Транзисторы импортные

Всего найдено: 6778 наименований
Показывать по
STGP19NC60HD STGP19NC60HD
STGP19NC60HD, IGBT транзистор ST Microelectronics, 21А, 600В,130Вт, корпус TO-220-3 Транзисторы биполярные ...
Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*46*46/600 Вес брутто 3.03 <<
Производитель: ST Microelectronics
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 60 шт.: 228.75 руб. Цена от 15 шт.: 236.71 руб. Цена от 5 шт.: 259.35 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 600 шт
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3 IGBT ...
транзисторы Вес брутто 8.40 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/300 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 60 шт.: 229.15 руб. Цена от 15 шт.: 237.12 руб. Цена от 5 шт.: 259.81 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 200 шт
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1
IPT007N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 300A, корпус HSOF-8 Транзисторы ...
разные Вес брутто 0.92 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/500 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 60 шт.: 230.80 руб. Цена от 15 шт.: 238.84 руб. Цена от 5 шт.: 261.68 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 300 шт
IKW25N120H3FKSA1 (TO247) IKW25N120H3FKSA1 (TO247)
IKW25N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3 IGBT ...
транзисторы Вес брутто 8.31 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/900 Мощность рассеиваемая (Pd) - 326 Вт Тип IGBT Диапазон рабочих температур -40+175 С Описание IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1 Корпус TO-247-3 Упаковка TUBE, 30 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 55 шт.: 240.20 руб. Цена от 15 шт.: 248.55 руб. Цена от 5 шт.: 262.04 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 700 шт
STP12NM50FP STP12NM50FP
STP12NM50FP, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 12А, 500В, 35Вт, корпус TO-220-3 ...
Full Pack Транзисторы разные Вес брутто 2.55 Транспортная упаковка: размер/кол-во 56*46*41/1000 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 55 шт.: 240.20 руб. Цена от 15 шт.: 248.55 руб. Цена от 5 шт.: 262.04 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 300 шт
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF
IRL1404ZPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 75А, 230Вт, корпус TO-220-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 200 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 3,1 Емкость, пФ 5080 Заряд затвора, нКл 110 Описание MOSFET MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC LogLvAB Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допстимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 230 Вт Вес брутто 3.15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*60/200 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 60 шт.: 222.40 руб. Цена от 15 шт.: 230.13 руб. Цена от 5 шт.: 262.39 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 200 шт
IRFP4332PBF IRFP4332PBF
IRFP4332PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 250В, 360Вт, корпус TO- 247-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 7.36 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*39/500 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 60 шт.: 222.94 руб. Цена от 15 шт.: 230.69 руб. Цена от 5 шт.: 263.03 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 500 шт
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3 IGBT ...
транзисторы Вес брутто 8.14 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/210 Тип IGBT Корпус TO-247-3 Упаковка TUBE, 30 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 60 шт.: 233.38 руб. Цена от 15 шт.: 241.49 руб. Цена от 5 шт.: 264.59 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 400 шт
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1
IKW75N65EH5XKSA1, IGBT транзистор , 650В, 90А, 395Вт, корпус TO-247-3 Транзисторы полевые Вес брутто ...
8.44 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/270 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 60 шт.: 233.53 руб. Цена от 15 шт.: 241.66 руб. Цена от 5 шт.: 264.77 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 200 шт
VBZMB20N65S (TO220FP) VBSEMI VBZMB20N65S (TO220FP) VBSEMI
VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S,
Производитель: VBSEMI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 300 шт.: 240.51 руб. Цена от 75 шт.: 244.84 руб. Цена от 5 шт.: 266.51 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 900 шт
CSD87384M (LGA5) CSD87384M (LGA5)
транзисторная сборка синхронного выпрямителя 2xN-канал 30В 30A DBC
Производитель: TI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 105 шт.: 247.54 руб. Цена от 40 шт.: 254.10 руб. Цена от 10 шт.: 260.68 руб. Цена от 5 шт.: 269.44 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 80 шт
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3
SUM110P06-07L-E3, Полевой P-канальный транзистор VISHAY, 60В, 110A, корпус TO-263-3 (D2PAK) Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -110 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6,9 Емкость, пФ 11400 Заряд затвора, нКл 345 Описание MOSFET 60V 110A 375W Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 375 Вт Вес брутто 2.18 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/800 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263-3 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 55 шт.: 254.48 руб. Цена от 15 шт.: 263.34 руб. Цена от 5 шт.: 277.64 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 20 шт
RS30N50W (TO-247) REASUNOS RS30N50W (TO-247) REASUNOS
RS30N50W, N-канал полевой транзистор, 500В, 30A, TO-247, аналог для FDH45N50F SIHG25N50E-GE3
Производитель: REASUNOS
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 250.74 руб. Цена от 50 шт.: 262.03 руб. Цена от 5 шт.: 277.85 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 800 шт
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3 IGBT транзисторы Вес ...
брутто 7.24 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/1000 Тип IGBT Корпус TO-247 Упаковка TUBE, 30 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) Not Applicable <<
Производитель: ON Semiconductor
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 50 шт.: 265.01 руб. Цена от 15 шт.: 274.22 руб. Цена от 5 шт.: 289.12 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 400 шт
IRFP2907PBF IRFP2907PBF
IRFP2907PBF, Полевой транзистор Infineon Technologies, N-канальный, 75В, 209А, 470Вт, корпус TO-247-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 7.38 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/500 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 50 шт.: 268.55 руб. Цена от 15 шт.: 277.89 руб. Цена от 5 шт.: 292.97 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 200 шт
IRFP27N60KPBF IRFP27N60KPBF
IRFP27N60KPBF, Транзистор полевой N-канальный VISHAY, 600В, 27А, 500Вт, корпус TO-247-3 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 600 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 27 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 220 Емкость, пФ 4660 Заряд затвора, нКл 180 Описание N-Channel 600 V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 3 В Время задержки включения/ выключения - 110/ 38 нс Токтечки непрерывный (Id) - 27 А Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 30 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 500 Вт Вес брутто 6.87 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247AC Упаковка TUBE, 25 шт. <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 50 шт.: 272.67 руб. Цена от 15 шт.: 282.16 руб. Цена от 5 шт.: 297.48 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 300 шт
CSD17573Q5B, Транзистор N-канал 30В 100A Q5B CSD17573Q5B, Транзистор N-канал 30В 100A Q5B
Производитель: TI
Цена от 200 шт.: 269.58 руб. Цена от 50 шт.: 281.72 руб. Цена от 5 шт.: 298.73 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 200 шт
FGH60N60SMD (TO-247) ON FGH60N60SMD (TO-247) ON
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3 IGBT транзисторы Тип ...
IGBT Транспортная упаковка: размер/кол-во 67*47*47/450 Вес брутто 7.20 Корпус TO-247 Упаковка TUBE, 30 шт. <<
Производитель: ON Semiconductor
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 50 шт.: 274.28 руб. Цена от 15 шт.: 283.82 руб. Цена от 5 шт.: 299.22 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 600 шт
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3
SUM110P08-11L-E3, Полевой P-канальный транзистор VISHAY, 80В, 110A, корпус TO-263-3 (D2PAK) Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -80 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -110 Емкость, пФ 10850 Заряд затвора, нКл 270 Описание MOSFET P-Channel 80 V 110A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK) Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 375 Вт Вес брутто 1.65 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*39/200 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263-3 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 45 шт.: 296.11 руб. Цена от 15 шт.: 306.40 руб. Цена от 5 шт.: 323.05 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 20 шт
IRFP4868PBF IRFP4868PBF
IRFP4868PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 300В, 70А, 517Вт, корпус TO-247-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 8.08 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*40*52/500 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 45 шт.: 296.35 руб. Цена от 15 шт.: 306.67 руб. Цена от 5 шт.: 323.31 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 500 шт
Показывать по
//
RUB