Транзисторы импортные

TO-247AC Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 400 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 23 Заряд затвора, нКл 210 Описание MOSFET 400V N-CH HEXFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время задержки включения/ выключения - 79/ 67 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vg) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 280 Вт Вес брутто 6.70 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247AC Упаковка TUBE, 25 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 14 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 400 Емкость, пФ 2038 Заряд затвора, нКл 64 Описание N-Channel 500 V 14A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время задержки вклюения/ выключения - 36/29 нс Ток утечки непрерывный (Id) - 14 А Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 30 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 190 Вт Вес брутто 6.56 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247AC Упаковка TUBE, 25т. <<

Транзисторы разные Вес брутто 7.46 Транспортная упаковка: размер/кол-во 47*45*32/50 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 380 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1 Емкость, пФ 10990 Заряд затвора, нКл 180 Описание MOSFET MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2,5 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения - 590/ 200 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 380 Вт Вес брутто 1.83 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/300 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263-7 Упаковка REEL, 800 шт. <<

Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*46*46/600 Вес брутто 3.03 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -110 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6,9 Емкость, пФ 11400 Заряд затвора, нКл 345 Описание MOSFET 60V 110A 375W Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 375 Вт Вес брутто 2.18 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/800 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263-3 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 290Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2,6 Емкость, пФ 19860 Заряд затвора, нКл 540 Описание MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально дпустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 520 Вт Вес брутто 7.42 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247 Упаковка TUBE, 25 шт. <<

размер/кол-во 60*50*50/270 Вес брутто 8.30 <<

транзисторы Вес брутто 8.31 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/900 Мощность рассеиваемая (Pd) - 326 Вт Тип IGBT Диапазон рабочих температур -40+175 С Описание IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1 Корпус TO-247-3 Упаковка TUBE, 30 шт. <<

Транзисторы разные Вес брутто 7.36 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*39/500 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 130Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 9,7 Емкость, пФ 10720 Заряд затвора, нКл 241 Описание MOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержквключения/ выключения - 105/ 74 нс Ток утечки непрерывный (Id) - 130 А Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 30 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 520 Вт Вес брутто 7.47 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247 Упаковка TUE, 25 шт. <<

напряжение КЭ (Vces), В 650 Максимальный ток коллектора (Ic), А 100 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 1,65 Пороговое напряжение ЗЭ (Vge(th)), В 5,3 Потери на переключение, мДж 2,6 Диапазон рабочих температур -55+175 С Заряд затвора, нКл 183 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*33*18/225 Вес брутто 8.98 Корпус TO-247 Способ монтажа Through Hole Описание IGBT 650 В, 50 А, Vce(sat) 1.65 В, TO-247 <<

Вес брутто 8.40 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/300 <<

транзисторы Вес брутто 8.40 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/300 <<

транзисторы Вес брутто 8.14 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/210 Тип IGBT Корпус TO-247-3 Упаковка TUBE, 30 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

разные Вес брутто 0.92 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/500 <<

Транзисторы разные Вес брутто 8.08 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*40*52/500 <<