IGBT транзисторы

	IGBT Module N-CH 1200V 55A 210000mW 24-Pin ECONO2-5 Tray Биполярный транзистор IGBT Производитель: INF Внешний вид товара может отличаться	Цена от 6 шт.: 6689.25 руб. Цена от 3 шт.: 6814.44 руб. Цена от 2 шт.: 7202.62 руб. Цена от 1 шт.: 7656.76 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 50 шт
	AUIRG4PH50S (TO-247AC) INF IGBT 1200V 57A 200W TO247AC Производитель: INF Внешний вид товара может отличаться	Цена от 20 шт.: 611.78 руб. Цена от 7 шт.: 668.02 руб. Цена от 4 шт.: 699.26 руб. Цена от 1 шт.: 749.98 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: 7 шт
	AUIRGR4045D (TO-252AA) IGBT 600V 12A 77W DPAK Производитель: INF Внешний вид товара может отличаться	Цена от 25 шт.: 322.34 руб. Цена от 8 шт.: 339.37 руб. Цена от 4 шт.: 350.57 руб. Цена от 1 шт.: 360.86 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 30 шт
	BSM50GX120DN2BOSA1 IGBT 1200V 50A INF модуль IGBT 1200V 50A Производитель: INF Внешний вид товара может отличаться	Цена от 5 шт.: 14910.75 руб. Цена от 3 шт.: 15369.52 руб. Цена от 2 шт.: 15796.78 руб. Цена от 1 шт.: 16342.19 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: 8 шт
	BSM75GB120DN2 INF IGBT-модуль Производитель: INF	Цена от 5 шт.: 11011.73 руб. Цена от 3 шт.: 11565.51 руб. Цена от 2 шт.: 11679.83 руб. Цена от 1 шт.: 12085.82 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: 7 шт
	CM100TX-24S (Module) MIT Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В Производитель: MIT	Цена от 8 шт.: 6631.71 руб. Цена от 3 шт.: 6975.75 руб. Цена от 2 шт.: 7235.11 руб. Цена от 1 шт.: 7484.34 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: 2 шт
	CM1200DC-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A Mitsu Производитель: Mitsubishi Внешний вид товара может отличаться	Цена от 10 шт.: 94931.21 руб. Цена от 1 шт.: 96922.00 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: < 200 шт
	CM1200DC-34S, IGBT модуль Mitsubishi Производитель: Mitsubishi	Цена от 1 шт.: 103676.07 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: 4 шт
	CM150DX-34SA, модуль IGBT 150А 1700В CM150DX-34SA, модуль IGBT 150А 1700В. Производитель: MITSUBISHI Документация:   Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 4387.44 руб. Цена от 2 шт.: 4585.08 руб. Цена от 1 шт.: 4703.66 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: 3 шт
	CM150TX-24T#300G, модуль IGB T-Series NX-Typ Производитель: MITSUBISHI	Цена от 5 шт.: 19725.49 руб. Цена от 1 шт.: 20937.50 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: < 30 шт
	CM2400HCB-34N, модуль IGBT 1700В 2400A CM2400HCB-34N, модуль 1 IGBT 1700В 2400A. Производитель: MITSUBISHI Документация:   Внешний вид товара может отличаться	Цена от 1 шт.: 160863.18 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: < 20 шт
	CM300DX-24T#111G, модуль на 300 Ампер 1200 Во Производитель: Mitsubishi Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 13366.70 руб. Цена от 2 шт.: 13607.54 руб. Цена от 1 шт.: 14646.43 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: 2 шт
	CM300DX-24T#330G, модуль на 300 Ампер 1200 Во Производитель: Mitsubishi	Цена от 8 шт.: 13823.48 руб. Цена от 2 шт.: 14072.55 руб. Цена от 1 шт.: 14446.15 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: < 30 шт
	CM300DX-34T#111G, модуль IGBT T-series NX-Typ Производитель: Mitsubishi	Цена от 8 шт.: 16492.00 руб. Цена от 2 шт.: 16789.16 руб. Цена от 1 шт.: 17234.90 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: < 30 шт
	CM300DXP-24T#131G Mitsubishi CM300DXP-24T#131G, Сдвоенный (полумостовой) силовой транзисторный модуль с защитными диодами, 1200 В, 300 А, Производитель: Mitsubishi Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 12308.90 руб. Цена от 2 шт.: 12530.69 руб. Цена от 1 шт.: 12863.36 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: 3 шт
	CM400DU-24NFH, 2 IGBT 1200V 400A 50kHz NFH-Se Производитель: Mitsubishi Внешний вид товара может отличаться	Цена от 2 шт.: 40916.27 руб. Цена от 1 шт.: 41776.73 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: 4 шт
	CM400DY-12NF, 2 IGBT 600в 400а 5-gen NF-Serie IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной ... коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц.5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины. Отличительные особенности NF-модулей: - повышенная стойкость к короткому замыканию, - малая емкость затвора, - низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, - стандартный корпус (аналог популярной H-серии), - устойчивость к коротким замыканиям,- улучшенная теплопроводность подложки из AlN, - внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией. Область применения: - Инверторы- Системы вторичного электропитания- Производство электроэнергии, ветро и солнечные электростанции. - Электросварочное оборудование- Системы электроприводов << Производитель: Mitsubishi Внешний вид товара может отличаться	Цена от 2 шт.: 24100.92 руб. Цена от 1 шт.: 25262.63 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: 1 шт
	CM400DY-34T, IGBT модуль T серия 400А 1700В 300G, IGBTмодуль T-серия STD-Type 400А 1700В. Производитель: Mitsubishi Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 13102.25 руб. Цена от 2 шт.: 13338.33 руб. Цена от 1 шт.: 13692.45 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: 2 шт
	CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В Производитель: Mitsubishi Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 9616.32 руб. Цена от 2 шт.: 9789.59 руб. Цена от 1 шт.: 10049.49 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: 6 шт
	CM450DX-24T#111G, IGBT модуль 450A 1200В T-се CM450DX-24T#111G, IGBT модуль 450A 1200В T-серии. Производитель: Mitsubishi Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 15025.52 руб. Цена от 2 шт.: 15296.24 руб. Цена от 1 шт.: 15702.33 руб.	+-  В корзину Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: 8 шт

IGBT транзисторы — сочетание полевой и биполярной технологии 

В современных мощных устройствах таких, как сварочные инверторы, ламповые балласты, импульсные источники питания, электромобили, частотно-регулируемые приводы, системы пуска электродвигателей и т.д., существенным ограничением для развития стала проблема импульсных токовых перегрузок на быстродействующем оконечном управляющем элементе устройств — полевом транзисторе MOSFET. В 1979 году был разработан и запущен в производство гибридный компонент, сочетающий в себе положительные свойства полевого и биполярного транзистора Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT. Суть работы такого гибрида, конструктивно выполненном в одном корпусе, заключалась в том, что полевой транзистор с изолированным затвором на входе, имеющий высокое сопротивление, соответственно более низкий уровень мощности, которая тратится на управление затвором (управление низким уровнем напряжения), управляет более мощным биполярным транзистором на выходе, работающем при коммутации больших токов и высоких напряжений исключительно в ключевом режиме с низкими показателями остаточного напряжения во включенном состоянии. Такой подход позволил пожертвовать некоторым снижением скорости переключения в пользу большей устойчивости к токовым перегрузкам. По собранным за последнее время статистическим данным, при работе с коммутируемыми напряжениями до 1000 В (реже 1200 В), частотами переключения до 100 кГц и мощностью нагрузок до 10 кВт транзистор IGBT является вторым по применению в силовых цепях после силового транзистора MOSFET.

Представленная на сайте номенклатура позволяет максимально удовлетворить  возникшую потребность. Покупатель может купить IGBT транзисторы по оптимальной цене. Сервис доставки позволяет осуществить продажу в любые регионы.

Основные технические параметры транзисторов IGBT 

• максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vces - от 600 В до 1200 В
• максимальный ток коллектора в непрерывном режиме, Ic - от 20 А до 80 А
• максимальный импульсный ток через коллектор, Icm – от 40 А до 120 А
• максимальная рассеиваемая мощность, Pd — от 120 Вт до 300 Вт
• диапазон рабочих температур  - от - 55 °С до + 150 °С

В интернет-магазине компании «Элсин», поставщика широкого ассортимента компонентов, можно заказать и купить широкий спектр IGBT транзисторов как оптом, так и в розницу. В продажу поступают различные модификации изделий по доступным ценам. Доставка товаров осуществляется в любой регион.