IGBT транзисторы

Всего найдено: 329 наименований
Сортировать по: Названию  Цене Норме отпуска
развернуть описания
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 17 Ctrl →
Показывать по
AUIRG4PH50S (TO-247AC) INF AUIRG4PH50S (TO-247AC) INF
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 15 шт.: 912.53 руб. Цена от 4 шт.: 976.87 руб. Цена от 2 шт.: 989.88 руб. Цена от 1 шт.: 1017.25 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 12-16 раб.дней
Доступно: < 40 шт
AUIRGP4063D (TO-247AC) AUIRGP4063D (TO-247AC)
IGBT 600V 96A 330W TO-247AC
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 20 шт.: 1108.77 руб. Цена от 6 шт.: 1237.14 руб. Цена от 3 шт.: 1290.84 руб. Цена от 1 шт.: 1379.55 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 12-16 раб.дней
Доступно: < 20 шт
AUIRGP4063D-E (TO-247AD) INF AUIRGP4063D-E (TO-247AD) INF
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 20 шт.: 939.10 руб. Цена от 7 шт.: 1049.23 руб. Цена от 4 шт.: 1095.79 руб. Цена от 1 шт.: 1172.31 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 12-16 раб.дней
Доступно: 2 шт
AUIRGP50B60PD1 (TO-247AC) INF AUIRGP50B60PD1 (TO-247AC) INF
IGBT 600V 75A 390W TO247AC
Производитель: INF
 Цена от 15 шт.: 1510.03 руб. Цена от 5 шт.: 1680.56 руб. Цена от 3 шт.: 1750.35 руб. Цена от 1 шт.: 1866.90 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 12-16 раб.дней
Доступно: < 20 шт
AUIRGR4045D (TO-252AA) AUIRGR4045D (TO-252AA)
IGBT 600V 12A 77W DPAK
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 55 шт.: 328.48 руб. Цена от 20 шт.: 361.10 руб. Цена от 10 шт.: 379.72 руб. Цена от 1 шт.: 409.35 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 12-16 раб.дней
Доступно: < 70 шт
BSM50GB120DLC, IGBT модуль 2 IGBT полумост 12 BSM50GB120DLC, IGBT модуль 2 IGBT полумост 12
Производитель: Infineon
 Цена от 3 шт.: 13975.44 руб. Цена от 1 шт.: 14604.96 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: < 20 шт
BSM50GX120DN2BOSA1 IGBT 1200V 50A INF BSM50GX120DN2BOSA1 IGBT 1200V 50A INF
модуль IGBT 1200V 50A
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 20065.22 руб. Цена от 3 шт.: 20915.32 руб. Цена от 2 шт.: 21572.09 руб. Цена от 1 шт.: 22781.69 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 12-16 раб.дней
Доступно: 7 шт
BSM75GB120DN2 INF BSM75GB120DN2 INF
IGBT-модуль
Производитель: INF
 Цена от 5 шт.: 14402.31 руб. Цена от 3 шт.: 15028.44 руб. Цена от 2 шт.: 15791.67 руб. Цена от 1 шт.: 16831.61 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 12-16 раб.дней
Доступно: < 20 шт
CM1000DUC-34NF Mitsubishi CM1000DUC-34NF Mitsubishi
CM1000DUC-34NF., IGBT модуль 1700В 1000A
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2 шт.: 96589.87 руб. Цена от 1 шт.: 98558.30 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 2 шт
CM1000DXL-24S, 2 IGBT 1000а 1200в NX6 Mitsubi CM1000DXL-24S, 2 IGBT 1000а 1200в NX6 Mitsubi
CM1000DXL-24S, модуль 2 IGBT 1000А 1200В поколение NX6
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2 шт.: 21773.55 руб. Цена от 1 шт.: 22165.87 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 1 шт
CM100MXA-24S, 3-ф+тормозн+мост 100а 1200в NX6 CM100MXA-24S, 3-ф+тормозн+мост 100а 1200в NX6
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 14 шт.: 4838.57 руб. Цена от 8 шт.: 4963.58 руб. Цена от 2 шт.: 5245.51 руб. Цена от 1 шт.: 5942.19 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 6 шт
CM100TX-24S (Module) MIT CM100TX-24S (Module) MIT
Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В
Производитель: MIT
 Цена от 8 шт.: 9604.69 руб. Цена от 3 шт.: 9852.53 руб. Цена от 2 шт.: 10069.20 руб. Цена от 1 шт.: 10567.54 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 12-16 раб.дней
Доступно: 2 шт
CM1200DB-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A Mitsu CM1200DB-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A Mitsu
CM1200DB-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A замена CM1200DC-34N
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 4 шт.: 129528.40 руб. Цена от 1 шт.: 136260.43 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: < 20 шт
CM150DX-34SA CM150DX-34SA
CM150DX-34SA, 6 IGBT 150A 1700V NX6
Производитель: MIT
 Цена от 5 шт.: 8949.52 руб. Цена от 3 шт.: 9537.63 руб. Цена от 2 шт.: 9867.42 руб. Цена от 1 шт.: 10545.02 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 12-16 раб.дней
Доступно: 2 шт
CM150DX-34SA, 6 IGBT 150а 1700в NX6 Mitsubish CM150DX-34SA, 6 IGBT 150а 1700в NX6 Mitsubish
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 14 шт.: 4838.57 руб. Цена от 8 шт.: 4963.58 руб. Цена от 2 шт.: 5245.51 руб. Цена от 1 шт.: 6352.00 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: < 20 шт
CM150DY-24T#300G, IGBT модуль 1200В Mitsubish CM150DY-24T#300G, IGBT модуль 1200В Mitsubish
300G, IGBT модуль T-серии, стандартного типа на 1200V
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 6834.47 руб. Цена от 2 шт.: 7142.33 руб. Цена от 1 шт.: 7888.77 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 3 шт
CM200DY-12NF (Module) CM200DY-12NF (Module)
IGBT MOD DUAL 600V 200A NF SER
Производитель: MIT
 Цена от 6 шт.: 19467.56 руб. Цена от 3 шт.: 20302.68 руб. Цена от 2 шт.: 20947.90 руб. Цена от 1 шт.: 22131.77 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 12-16 раб.дней
Доступно: 1 шт
CM200DY-24A без крепежа, модуль 2 IGBT 1200В CM200DY-24A без крепежа, модуль 2 IGBT 1200В
Производитель: Mitsubishi
 Цена от 8 шт.: 20116.35 руб. Цена от 2 шт.: 20182.93 руб. Цена от 1 шт.: 22027.07 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: < 30 шт
CM300DX-24T#330G, модуль на 300 Ампер 1200 Во CM300DX-24T#330G, модуль на 300 Ампер 1200 Во
Производитель: Mitsubishi
 Цена от 8 шт.: 14854.40 руб. Цена от 2 шт.: 15122.05 руб. Цена от 1 шт.: 16289.77 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: < 50 шт
CM300DY-13T#300G, IGBT модуль T-Series STD- CM300DY-13T#300G, IGBT модуль T-Series STD-
Производитель: Mitsubishi
 Цена от 8 шт.: 11685.15 руб. Цена от 2 шт.: 11895.68 руб. Цена от 1 шт.: 12211.50 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 1 шт
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 17 Ctrl →
Показывать по

IGBT транзисторы — сочетание полевой и биполярной технологии 

В современных мощных устройствах таких, как сварочные инверторы, ламповые балласты, импульсные источники питания, электромобили, частотно-регулируемые приводы, системы пуска электродвигателей и т.д., существенным ограничением для развития стала проблема импульсных токовых перегрузок на быстродействующем оконечном управляющем элементе устройств — полевом транзисторе MOSFET. В 1979 году был разработан и запущен в производство гибридный компонент, сочетающий в себе положительные свойства полевого и биполярного транзистора Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT. Суть работы такого гибрида, конструктивно выполненном в одном корпусе, заключалась в том, что полевой транзистор с изолированным затвором на входе, имеющий высокое сопротивление, соответственно более низкий уровень мощности, которая тратится на управление затвором (управление низким уровнем напряжения), управляет более мощным биполярным транзистором на выходе, работающем при коммутации больших токов и высоких напряжений исключительно в ключевом режиме с низкими показателями остаточного напряжения во включенном состоянии. Такой подход позволил пожертвовать некоторым снижением скорости переключения в пользу большей устойчивости к токовым перегрузкам. По собранным за последнее время статистическим данным, при работе с коммутируемыми напряжениями до 1000 В (реже 1200 В), частотами переключения до 100 кГц и мощностью нагрузок до 10 кВт транзистор IGBT является вторым по применению в силовых цепях после силового транзистора MOSFET.

Представленная на сайте номенклатура позволяет максимально удовлетворить  возникшую потребность. Покупатель может купить IGBT транзисторы по оптимальной цене. Сервис доставки позволяет осуществить продажу в любые регионы.

Основные технические параметры транзисторов IGBT 

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vces - от 600 В до 1200 В
  • максимальный ток коллектора в непрерывном режиме, Ic - от 20 А до 80 А
  • максимальный импульсный ток через коллектор, Icm – от 40 А до 120 А
  • максимальная рассеиваемая мощность, Pd — от 120 Вт до 300 Вт
  • диапазон рабочих температур  - от - 55 °С до + 150 °С

В интернет-магазине компании «Элсин», поставщика широкого ассортимента компонентов, можно заказать и купить широкий спектр IGBT транзисторов как оптом, так и в розницу. В продажу поступают различные модификации изделий по доступным ценам. Доставка товаров осуществляется в любой регион.