IGBT транзисторы

Всего найдено: 358 наименований
Показывать по
AUIRG4PH50S (TO-247AC) INF AUIRG4PH50S (TO-247AC) INF
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 20 шт.: 879.53 руб. Цена от 8 шт.: 957.73 руб. Цена от 4 шт.: 1000.55 руб. Цена от 1 шт.: 1070.82 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 10-16 раб.дней
Доступно: < 20 шт
AUIRGP4063D (TO-247AC) AUIRGP4063D (TO-247AC)
IGBT 600V 96A 330W TO-247AC
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 15 шт.: 706.06 руб. Цена от 3 шт.: 775.34 руб. Цена от 2 шт.: 801.99 руб. Цена от 1 шт.: 812.49 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 10-16 раб.дней
Доступно: 7 шт
AUIRGP4063D-E (TO-247AD) INF AUIRGP4063D-E (TO-247AD) INF
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 10 шт.: 444.11 руб. Цена от 3 шт.: 470.05 руб. Цена от 2 шт.: 476.32 руб. Цена от 1 шт.: 481.47 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 10-16 раб.дней
Доступно: 2 шт
AUIRGR4045D (TO-252AA) AUIRGR4045D (TO-252AA)
IGBT 600V 12A 77W DPAK
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 55 шт.: 317.04 руб. Цена от 20 шт.: 348.52 руб. Цена от 10 шт.: 366.49 руб. Цена от 1 шт.: 395.08 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 10-16 раб.дней
Доступно: < 50 шт
BSM50GB120DLC, IGBT модуль 2 IGBT полумост 12 BSM50GB120DLC, IGBT модуль 2 IGBT полумост 12
Производитель: Infineon
Цена от 3 шт.: 13429.55 руб. Цена от 1 шт.: 14034.49 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 9 шт
BSM50GX120DN2BOSA1 IGBT 1200V 50A INF BSM50GX120DN2BOSA1 IGBT 1200V 50A INF
модуль IGBT 1200V 50A
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 20342.43 руб. Цена от 3 шт.: 20976.77 руб. Цена от 2 шт.: 21631.58 руб. Цена от 1 шт.: 22839.78 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 10-16 раб.дней
Доступно: < 20 шт
BSM75GB120DN2 INF BSM75GB120DN2 INF
IGBT-модуль
Производитель: INF
Цена от 5 шт.: 14007.57 руб. Цена от 3 шт.: 14482.92 руб. Цена от 2 шт.: 15218.45 руб. Цена от 1 шт.: 16220.62 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 10-16 раб.дней
Доступно: < 20 шт
CM1000DXL-24S, 2 IGBT 1000а 1200в NX6 Mitsubi CM1000DXL-24S, 2 IGBT 1000а 1200в NX6 Mitsubi
CM1000DXL-24S, модуль 2 IGBT 1000А 1200В поколение NX6
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2 шт.: 21282.56 руб. Цена от 1 шт.: 21666.02 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 1 шт
CM100MXA-24S, 3-ф+тормозн+мост 100а 1200в NX6 CM100MXA-24S, 3-ф+тормозн+мост 100а 1200в NX6
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 14 шт.: 4729.45 руб. Цена от 8 шт.: 4851.95 руб. Цена от 2 шт.: 5127.68 руб. Цена от 1 шт.: 5810.68 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 3 шт
CM100TX-24S (Module) MIT CM100TX-24S (Module) MIT
Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В
Производитель: MIT
Цена от 8 шт.: 9367.65 руб. Цена от 3 шт.: 9536.44 руб. Цена от 2 шт.: 9718.39 руб. Цена от 1 шт.: 10199.39 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 10-16 раб.дней
Доступно: 2 шт
CM150DX-34SA CM150DX-34SA
CM150DX-34SA, 6 IGBT 150A 1700V NX6
Производитель: MIT
Цена от 5 шт.: 4279.71 руб. Цена от 3 шт.: 4636.11 руб. Цена от 2 шт.: 4699.68 руб. Цена от 1 шт.: 4871.77 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 10-16 раб.дней
Доступно: 2 шт
CM150DX-34SA, 6 IGBT 150а 1700в NX6 Mitsubish CM150DX-34SA, 6 IGBT 150а 1700в NX6 Mitsubish
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 14 шт.: 4729.45 руб. Цена от 8 шт.: 4851.95 руб. Цена от 2 шт.: 5127.68 руб. Цена от 1 шт.: 6218.45 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: < 20 шт
CM150DY-24A (Module) CM150DY-24A (Module)
IGBT MOD DUAL 1200V 150A A SER
Производитель: MIT
Цена от 7 шт.: 7486.57 руб. Цена от 3 шт.: 7621.47 руб. Цена от 2 шт.: 8051.17 руб. Цена от 1 шт.: 8554.46 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 10-16 раб.дней
Доступно: 3 шт
CM150DY-24T#300G, IGBT модуль 1200В Mitsubish CM150DY-24T#300G, IGBT модуль 1200В Mitsubish
300G, IGBT модуль T-серии, стандартного типа на 1200V
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 14 шт.: 3937.28 руб. Цена от 8 шт.: 4008.22 руб. Цена от 2 шт.: 4221.04 руб. Цена от 1 шт.: 4689.32 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 3 шт
CM200DY-24A без крепежа, модуль 2 IGBT 1200В CM200DY-24A без крепежа, модуль 2 IGBT 1200В
CM200DY-24A модуль, 2 IGBT 1200В 200A 5 поколение A серия.
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2 шт.: 18934.61 руб. Цена от 1 шт.: 20286.41 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: < 20 шт
CM300DY-13T#300G, IGBT модуль T-Series STD- CM300DY-13T#300G, IGBT модуль T-Series STD-
Производитель: Mitsubishi
Цена от 8 шт.: 11421.64 руб. Цена от 2 шт.: 11627.44 руб. Цена от 1 шт.: 11936.13 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 1 шт
CM400DY-12NF, 2 IGBT 600в 400а 5-gen NF-Serie CM400DY-12NF, 2 IGBT 600в 400а 5-gen NF-Serie
IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной ...
коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц.5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины. Отличительные особенности NF-модулей: - повышенная стойкость к короткому замыканию, - малая емкость затвора, - низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, - стандартный корпус (аналог популярной H-серии), - устойчивость к коротким замыканиям,- улучшенная теплопроводность подложки из AlN, - внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией. Область применения: - Инверторы- Системы вторичного электропитания- Производство электроэнергии, ветро и солнечные электростанции. - Электросварочное оборудование- Системы электроприводов <<
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 3 шт.: 20632.26 руб. Цена от 1 шт.: 21509.71 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 7 шт
CM400DY-34T#300G, IGBT модуль T серия STD тип CM400DY-34T#300G, IGBT модуль T серия STD тип
300G, IGBTмодуль T-серия STD-Type
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 14958.12 руб. Цена от 2 шт.: 15227.64 руб. Цена от 1 шт.: 15631.91 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 2 шт
CM400HA-24A#300G, 1 IGBT 1200в 400а 5-gen A CM400HA-24A#300G, 1 IGBT 1200в 400а 5-gen A
Силовые IGBT модули А-серии 5-го поколения предназначены для применения в системах электропривода, ...
сервопривода и оборудования для электросварки. Производство модулей А-серии 5-го поколения совмещает в себе две уникальных технологии: это CSTBT - Carrier Stored Trench Bipolar Transistor (траншейный транзистор с накоплением заряда), и LPT - Light Punch Through (технология легкого пробоя), что даёт низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat)= 2,4 В при температуре перехода 125оC, низкую энергию переключения E(on) и E(off), а также высокую надежность при коротком замыкании. 5-е поколение модулей А-серии благодаря особому соединению контактов и кристалла внутри модуля имеет низкую внутреннюю индуктивность.Благодаря использованию подложки из материала AlN достигнуто превосходное тепловое сопротивление по сравнению с существующими на рынке приборами аналогичного класса. Кроме этого, получены улучшенные характеристики термоциклирования за счет внедрению технологии Wire Bumps. Такая технология позволила значительно увеличить производительность модуля. В результаты, силовые модули Mitsubishi работают с выходными токами на 10% выше рыночных стандартов, а также имеют на 15% улучшенное термосопротивление переход-корпус. <<
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 16553.09 руб. Цена от 2 шт.: 16851.35 руб. Цена от 1 шт.: 17298.73 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 3 шт
CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В / Визуал CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В / Визуал
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 3 шт.: 11823.64 руб. Цена от 1 шт.: 12844.66 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 4-8 раб.дней
Доступно: 6 шт
Показывать по

IGBT транзисторы — сочетание полевой и биполярной технологии 

В современных мощных устройствах таких, как сварочные инверторы, ламповые балласты, импульсные источники питания, электромобили, частотно-регулируемые приводы, системы пуска электродвигателей и т.д., существенным ограничением для развития стала проблема импульсных токовых перегрузок на быстродействующем оконечном управляющем элементе устройств — полевом транзисторе MOSFET. В 1979 году был разработан и запущен в производство гибридный компонент, сочетающий в себе положительные свойства полевого и биполярного транзистора Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT. Суть работы такого гибрида, конструктивно выполненном в одном корпусе, заключалась в том, что полевой транзистор с изолированным затвором на входе, имеющий высокое сопротивление, соответственно более низкий уровень мощности, которая тратится на управление затвором (управление низким уровнем напряжения), управляет более мощным биполярным транзистором на выходе, работающем при коммутации больших токов и высоких напряжений исключительно в ключевом режиме с низкими показателями остаточного напряжения во включенном состоянии. Такой подход позволил пожертвовать некоторым снижением скорости переключения в пользу большей устойчивости к токовым перегрузкам. По собранным за последнее время статистическим данным, при работе с коммутируемыми напряжениями до 1000 В (реже 1200 В), частотами переключения до 100 кГц и мощностью нагрузок до 10 кВт транзистор IGBT является вторым по применению в силовых цепях после силового транзистора MOSFET.

Представленная на сайте номенклатура позволяет максимально удовлетворить  возникшую потребность. Покупатель может купить IGBT транзисторы по оптимальной цене. Сервис доставки позволяет осуществить продажу в любые регионы.

Основные технические параметры транзисторов IGBT 

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vces - от 600 В до 1200 В
  • максимальный ток коллектора в непрерывном режиме, Ic - от 20 А до 80 А
  • максимальный импульсный ток через коллектор, Icm – от 40 А до 120 А
  • максимальная рассеиваемая мощность, Pd — от 120 Вт до 300 Вт
  • диапазон рабочих температур  - от - 55 °С до + 150 °С

В интернет-магазине компании «Элсин», поставщика широкого ассортимента компонентов, можно заказать и купить широкий спектр IGBT транзисторов как оптом, так и в розницу. В продажу поступают различные модификации изделий по доступным ценам. Доставка товаров осуществляется в любой регион.