IGBT транзисторы

Всего найдено: 293 наименования
Сортировать по: Названию  Цене Норме отпуска
развернуть описания
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 15 Ctrl →
Показывать по
5SNG1000X170300, IGBT, 1700V 2 x 1000A ABB 5SNG1000X170300, IGBT, 1700V 2 x 1000A ABB
Производитель: ABB
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 1 шт.: 108899.65 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 60 шт
AUIRG4PH50S (TO-247AC) INF AUIRG4PH50S (TO-247AC) INF
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 35 шт.: 490.37 руб. Цена от 10 шт.: 536.90 руб. Цена от 5 шт.: 563.06 руб. Цена от 1 шт.: 605.14 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 80 шт
AUIRGR4045D (TO-252AA) AUIRGR4045D (TO-252AA)
IGBT 600V 12A 77W DPAK
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 20 шт.: 287.22 руб. Цена от 5 шт.: 316.19 руб. Цена от 3 шт.: 322.46 руб. Цена от 2 шт.: 332.62 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 4 шт
BSM75GB120DN2 INF BSM75GB120DN2 INF
IGBT-модуль
Производитель: INF
 Цена от 5 шт.: 8940.36 руб. Цена от 3 шт.: 9519.73 руб. Цена от 2 шт.: 9842.88 руб. Цена от 1 шт.: 10511.48 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 8 шт
CM100TX-24S (Module) MIT CM100TX-24S (Module) MIT
Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В
Производитель: MIT
 Цена от 8 шт.: 4822.75 руб. Цена от 3 шт.: 5217.63 руб. Цена от 2 шт.: 5287.45 руб. Цена от 1 шт.: 5479.70 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 1 шт
CM1200DC-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A Mitsu CM1200DC-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A Mitsu
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 10 шт.: 76526.73 руб. Цена от 1 шт.: 79092.30 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 200 шт
CM1200DC-34S IGBT модуль Mitsubishi CM1200DC-34S IGBT модуль Mitsubishi
CM1200DC-34S, IGBT модуль.
Макс.напр.к-э,В1700.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.15.
Номинальный ...
ток одиночного тр-ра,А1200.
Структура модуля полумост.
Тип силового модуляСборка на IGBT Транзисторах.
Максимальная частота модуляции,кГц15.
Входная емкость затвора,нФ176.
Драйвер управления внешний. <<
Производитель: Mitsubishi Electric
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 10 шт.: 80909.32 руб. Цена от 2 шт.: 85009.77 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
CM1200DC-34S, IGBT модуль 1200А 1700В CM1200DC-34S, IGBT модуль 1200А 1700В
IGBT модуль 1200А 1700В.
Производитель: MITSUBISHI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 70 шт.: 75279.81 руб. Цена от 40 шт.: 76523.56 руб. Цена от 10 шт.: 77767.30 руб. Цена от 1 шт.: 81640.38 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 20 шт
CM150TX-24T#300G, модуль IGB T-Series NX-Typ CM150TX-24T#300G, модуль IGB T-Series NX-Typ
Производитель: MITSUBISHI
 Цена от 5 шт.: 16575.20 руб. Цена от 1 шт.: 17321.83 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 30 шт
CM300DX-24T#111G, IGBT модуль MITSUBISHI CM300DX-24T#111G, IGBT модуль MITSUBISHI
CM300DX-24T#111G, IGBT модуль 300 Ампер 1200 Вольт T-Серия =GD300HFY120C6S,FF300R12ME4
Производитель: MITSUBISHI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 10 шт.: 8647.18 руб. Цена от 1 шт.: 9270.40 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 300 шт
CM300DX-24T#330G модуль MITSUBISHI CM300DX-24T#330G модуль MITSUBISHI
CM300DX-24T#330G, IGBT модуль 300 Ампер 1200 Вольт T-Серия
Производитель: MITSUBISHI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 11587.55 руб. Цена от 2 шт.: 11796.34 руб. Цена от 1 шт.: 12109.51 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 8 шт
CM300DX-34T#111G, IGBT модуль MITSUBISHI CM300DX-34T#111G, IGBT модуль MITSUBISHI
CM300DX-34T#111G, IGBT модуль 300 Ампер 1700 Вольт T-Серия =GD300HFX170C6S,FF300R17ME4
Производитель: MITSUBISHI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 10 шт.: 9535.04 руб. Цена от 1 шт.: 10192.30 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 200 шт
CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 8484.57 руб. Цена от 2 шт.: 8866.75 руб. Цена от 1 шт.: 9096.07 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 6 шт
CM450DA-66X MIT CM450DA-66X MIT
IGBT модуль
Производитель: Mitsubishi Electric
 Цена от 1 шт.: 72567.84 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 5 шт
CM450DX-24T#111G, IGBT модуль MITSUBISHI CM450DX-24T#111G, IGBT модуль MITSUBISHI
CM450DX-24T#111G, IGBT модуль 450 Ампер 1200 Вольт T-Серия =FF450R12ME4,GD450HFY120C6S
Производитель: MITSUBISHI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 10 шт.: 9858.25 руб. Цена от 1 шт.: 10302.32 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 400 шт
CM450DX-34T#111G, IGBT модуль MITSUBISHI CM450DX-34T#111G, IGBT модуль MITSUBISHI
CM450DX-34T#111G, IGBT модуль 450 Ампер 1700 Вольт T-Серия =GD450HFX170C6S,FF450R17ME4
Производитель: MITSUBISHI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 10 шт.: 12519.79 руб. Цена от 1 шт.: 13083.74 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 200 шт
CM600DX-34T#111G модуль MITSUBISHI CM600DX-34T#111G модуль MITSUBISHI
CM600DX-34T#111G, IGBT модуль 600 Ампер 1700 Вольт T-Серия=GD600HFX170C6S,FF600R17ME4
Производитель: MITSUBISHI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 10 шт.: 16666.10 руб. Цена от 1 шт.: 17734.62 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 200 шт
CM600DXP-34T#131G модуль MITSUBISHI CM600DXP-34T#131G модуль MITSUBISHI
CM600DXP-34T#131G, IGBT модуль 600 Ампер 1700 Вольт T-Серия Pressfit
Производитель: MITSUBISHI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 19554.91 руб. Цена от 1 шт.: 20282.70 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 60 шт
CM800DU-12H, IGBT U-Series модуль 800А 600В M CM800DU-12H, IGBT U-Series модуль 800А 600В M
CM800DU-12H, IGBT модуль 800А 600В U-серия.
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2 шт.: 27574.84 руб. Цена от 1 шт.: 28071.68 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 2 шт
CM800DZ-34H#301, модуль 2 IGBT MITSUBISHI CM800DZ-34H#301, модуль 2 IGBT MITSUBISHI
CM800DZ-34H#301, модуль 2 IGBT 1700В 800A=GD800HFX170C3S,FF800R17KP4_B2
Производитель: MITSUBISHI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 1 шт.: 58836.42 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 200 шт
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 15 Ctrl →
Показывать по

IGBT транзисторы — сочетание полевой и биполярной технологии 

В современных мощных устройствах таких, как сварочные инверторы, ламповые балласты, импульсные источники питания, электромобили, частотно-регулируемые приводы, системы пуска электродвигателей и т.д., существенным ограничением для развития стала проблема импульсных токовых перегрузок на быстродействующем оконечном управляющем элементе устройств — полевом транзисторе MOSFET. В 1979 году был разработан и запущен в производство гибридный компонент, сочетающий в себе положительные свойства полевого и биполярного транзистора Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT. Суть работы такого гибрида, конструктивно выполненном в одном корпусе, заключалась в том, что полевой транзистор с изолированным затвором на входе, имеющий высокое сопротивление, соответственно более низкий уровень мощности, которая тратится на управление затвором (управление низким уровнем напряжения), управляет более мощным биполярным транзистором на выходе, работающем при коммутации больших токов и высоких напряжений исключительно в ключевом режиме с низкими показателями остаточного напряжения во включенном состоянии. Такой подход позволил пожертвовать некоторым снижением скорости переключения в пользу большей устойчивости к токовым перегрузкам. По собранным за последнее время статистическим данным, при работе с коммутируемыми напряжениями до 1000 В (реже 1200 В), частотами переключения до 100 кГц и мощностью нагрузок до 10 кВт транзистор IGBT является вторым по применению в силовых цепях после силового транзистора MOSFET.

Представленная на сайте номенклатура позволяет максимально удовлетворить  возникшую потребность. Покупатель может купить IGBT транзисторы по оптимальной цене. Сервис доставки позволяет осуществить продажу в любые регионы.

Основные технические параметры транзисторов IGBT 

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vces - от 600 В до 1200 В
  • максимальный ток коллектора в непрерывном режиме, Ic - от 20 А до 80 А
  • максимальный импульсный ток через коллектор, Icm – от 40 А до 120 А
  • максимальная рассеиваемая мощность, Pd — от 120 Вт до 300 Вт
  • диапазон рабочих температур  - от - 55 °С до + 150 °С

В интернет-магазине компании «Элсин», поставщика широкого ассортимента компонентов, можно заказать и купить широкий спектр IGBT транзисторов как оптом, так и в розницу. В продажу поступают различные модификации изделий по доступным ценам. Доставка товаров осуществляется в любой регион.

//
RUB