IGBT транзисторы CM1200DC-34S IGBT модуль Mitsubishi

CM1200DC-34S IGBT модуль Mitsubishi CM1200DC-34S IGBT модуль Mitsubishi
Производитель: Mitsubishi Electric
Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 10 шт.: 81636.42 руб. Цена от 2 шт.: 85773.74 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 8 шт
описание и характеристики товара

CM1200DC-34S, IGBT модуль.
Макс.напр.к-э,В1700.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.15.
Номинальный ток одиночного тр-ра,А1200.
Структура модуля полумост.
Тип силового модуляСборка на IGBT Транзисторах.
Максимальная частота модуляции,кГц15.
Входная емкость затвора,нФ176.
Драйвер управления внешний.


IGBT транзисторы CM1200DC-34S IGBT модуль Mitsubishi CM1200DC-34S, IGBT модуль. Макс.напр.к-э,В1700. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.15. Номинальный ток одиночного тр-ра,А1200. Структура модул... вы можете заказать в нашем интернет-магазине за 85773.74 ₽ прямо сейчас.

Чтобы осуществить заказ вам необходимо положить товар в корзину и заполнить небольшую форму заявки, это займет не больше 2-х минут. Цены указаны с учетом скидки при общей сумме заказа от 400 руб.

После оформления заказа информация о его состоянии будет пересылаться на Ваш электронный адрес и, при желании, на мобильный телефон в виде коротких сообщений. Полная информация о заказанных товарах всегда будет доступна в Вашем личном кабинете.

Для Ростова-на-Дону и Ставрополя предусмотрен самовывоз. В другие регионы мы отправляем заказы транспортными компаниями. Регулярно осуществляем доставку в Москву, Санкт-Петербург, Екатеринбург, Нижний Новгород, Новосибирск, Краснодар и другие регионы.

В нашем интернет-магазине очень большой ассортимент электронных компонентов и специализированных товаров, вы сможете подобрать igbt транзисторы по оптовой цене.




CM1200DC-34S IGBT модуль Mitsubishi
IGBT транзисторы CM1200DC-34S IGBT модуль Mitsubishi CM1200DC-34S, IGBT модуль.
Макс.напр.к-э,В1700.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.15.
Номинальный ...
ток одиночного тр-ра,А1200.
Структура модуля полумост.
Тип силового модуляСборка на IGBT Транзисторах.
Максимальная частота модуляции,кГц15.
Входная емкость затвора,нФ176.
Драйвер управления внешний. <<
//
85773.74RUB