Транзисторы импортные

Всего найдено: 6775 наименований
Показывать по
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
IPB107N20N3GATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, 300Вт, корпус ...
TO-263 (D2PAK) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 9,6 Заряд затвора, нКл 65 Описание 200V, 88A N-Channel MOSFET Максимальный ток коллектора (Iк max) - 88 А Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Вес брутто 2.08 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 1000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 45 шт.: 289.35 руб. Цена от 15 шт.: 299.42 руб. Цена от 5 шт.: 315.67 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 700 шт
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3
SUM110P08-11L-E3, Полевой P-канальный транзистор VISHAY, 80В, 110A, корпус TO-263-3 (D2PAK) Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -80 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -110 Емкость, пФ 10850 Заряд затвора, нКл 270 Описание MOSFET P-Channel 80 V 110A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK) Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 375 Вт Вес брутто 1.65 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*39/200 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263-3 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 45 шт.: 296.11 руб. Цена от 15 шт.: 306.40 руб. Цена от 5 шт.: 323.05 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 20 шт
IRFP4868PBF IRFP4868PBF
IRFP4868PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 300В, 70А, 517Вт, корпус TO-247-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 8.08 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*40*52/500 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 45 шт.: 296.35 руб. Цена от 15 шт.: 306.67 руб. Цена от 5 шт.: 323.31 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 500 шт
SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3FKSA1
SPW17N80C3FKSA1, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 800В, 17A, 208Вт, корпус ...
TO-247-3 Транзисторы разные Вес брутто 8.45 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*40*52/600 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 45 шт.: 306.90 руб. Цена от 15 шт.: 317.58 руб. Цена от 5 шт.: 334.82 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 500 шт
IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF
IRFP460LCPBF, Транзистор полевой VISHAY, N-канальный, 500В, 20А, 280Вт, корпус TO-247-3 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 270 Емкость, пФ 3600 Заряд затвора, нКл 120 Описание MOSFET 500V N-CH HEXFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время задержки включения/ выключения - 77/ 43 нсМаксимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 280 Вт Вес брутто 7.00 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247AC Упаковка TUBE, 25 шт. <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 45 шт.: 312.29 руб. Цена от 15 шт.: 323.15 руб. Цена от 5 шт.: 340.69 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 300 шт
STP11NM80 STP11NM80
STP11NM80, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 800В, 11A, корпус TO-220-3 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 11 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 400 Емкость, пФ 1630 Заряд затвора, нКл 43,6 Описание Диапазон рабочих температур -65+150 С Мощность рассеиваемая (max) - 150 Вт Вес брутто 2.80 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/300 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаквка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 40 шт.: 333.44 руб. Цена от 10 шт.: 345.04 руб. Цена от 5 шт.: 363.77 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 300 шт
CSD19531KCS (TO-220) CSD19531KCS (TO-220)
N-канал 100В 100A
Производитель: TI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 338.19 руб. Цена от 50 шт.: 353.43 руб. Цена от 5 шт.: 374.75 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 300 шт
STD18N55M5 STD18N55M5
STD18N55M5, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 550В, 13А, 90Вт, корпус TO-252 (DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 550 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 16 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 192 Емкость, пФ 1260 Заряд затвора, нКл 31 Описание N-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 5 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максиально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 25 В Мощность рассеиваемая (max) - 110 Вт Вес брутто 0.54 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт.MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 40 шт.: 345.33 руб. Цена от 10 шт.: 357.34 руб. Цена от 5 шт.: 376.73 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 500 шт
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3 IGBT ...
транзисторы Вес брутто 7.89 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/180 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 40 шт.: 349.24 руб. Цена от 10 шт.: 361.39 руб. Цена от 5 шт.: 381.01 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 200 шт
IRFP7718PBF IRFP7718PBF
IRFP7718PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,75В, 195А, 517Вт, корпус TO-247-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 7.10 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*39/200 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 40 шт.: 366.59 руб. Цена от 10 шт.: 379.34 руб. Цена от 5 шт.: 399.94 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 200 шт
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1
IPP110N20N3GXKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, корпус TO-220-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 3.07 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*40*50/150 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 35 шт.: 387.08 руб. Цена от 10 шт.: 400.55 руб. Цена от 5 шт.: 408.56 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 20 шт
IRLZ34N (TO220AB) IRLZ34N (TO220AB)
транзистор N канал 60В 30А logic TO220AB
Производитель: VBSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 31.01 руб. Цена от 50 шт.: 36.37 руб. Цена от 6 шт.: 44.21 руб.
Срок доставки в офис:
склад Ростов-н/Д
Доступно: < 900 шт
IRFBG30PBF TOKMAS IRFBG30PBF TOKMAS
Производитель: TOKMAS
Цена от 520 шт.: 35.87 руб. Цена от 53 шт.: 37.92 руб. Цена от 11 шт.: 38.56 руб. Цена от 6 шт.: 44.35 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 3000 шт
FDD5614P (DPAK/ TO252) VBSEMI FDD5614P (DPAK/ TO252) VBSEMI
60V 30A 61mO@10V,30A 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs
Производитель: VBSEMI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 460 шт.: 32.57 руб. Цена от 150 шт.: 36.88 руб. Цена от 89 шт.: 39.11 руб. Цена от 6 шт.: 44.55 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 400 шт
CEP09N7G (TO-220) CET (IRFBE30) CEP09N7G (TO-220) CET (IRFBE30)
Производитель: CET
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 40.93 руб. Цена от 250 шт.: 42.02 руб. Цена от 40 шт.: 43.83 руб. Цена от 6 шт.: 44.55 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-8 раб.дней
Ставрополь: 7-11 раб.дней
Доступно: > 10000 шт
WMO15N25T2 (TO252) WAYON WMO15N25T2 (TO252) WAYON
Производитель: WAYON
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 460 шт.: 32.58 руб. Цена от 150 шт.: 36.89 руб. Цена от 89 шт.: 39.12 руб. Цена от 6 шт.: 44.56 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: > 10000 шт
IRL3705NPBF (TO-220AB) JSMICRO IRL3705NPBF (TO-220AB) JSMICRO
IRL3705NPBF Транзистор N-канальный MOSFET 55 В 77 А 130 Вт
Производитель: JSMICRO
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 460 шт.: 32.65 руб. Цена от 150 шт.: 36.97 руб. Цена от 89 шт.: 39.21 руб. Цена от 6 шт.: 44.66 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 400 шт
JMGC540P10A (TO220) JIEJIE JMGC540P10A (TO220) JIEJIE
100V 35A 140W 40m?@10V,20A P Channel TO-252 MOSFETs
Производитель: JIEJIE
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 510 шт.: 36.15 руб. Цена от 52 шт.: 38.21 руб. Цена от 11 шт.: 38.87 руб. Цена от 6 шт.: 44.70 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 600 шт
MJE15034 (TO220AB) SPTECH MJE15034 (TO220AB) SPTECH
NPN 350В/ 4А/ 50 Вт
Производитель: SPTECH
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 510 шт.: 36.36 руб. Цена от 52 шт.: 38.43 руб. Цена от 11 шт.: 39.08 руб. Цена от 6 шт.: 44.94 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 600 шт
YJG110G10B (PDFN5060-8L) 100B 110A 113Вт YJG110G10B (PDFN5060-8L) 100B 110A 113Вт
одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 110A, 113Вт.
Производитель: YJ
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 651 шт.: 38.99 руб. Цена от 372 шт.: 40.03 руб. Цена от 93 шт.: 41.05 руб. Цена от 6 шт.: 45.07 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 3 шт
Доступно: < 5000 шт
Показывать по
//
RUB