Транзисторы

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 38 Емкость, пФ 500 Заряд затвора, нКл 31 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.53 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*38/7500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 30 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 35 Емкость, пФ 900 Заряд затвора, нКл 20 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*38/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

(DPAK) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 15 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100 Емкость, пФ 890 Заряд затвора, нКл 24 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.53 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*39/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 80 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6,8 Емкость, пФ 1160 Заряд затвора, нКл 11,1 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*22/7500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 3 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 60 Емкость, пФ 260 Заряд затвора, нКл 5 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.05 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*22/6000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -12 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -4,3Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 50 Емкость, пФ 830 Заряд затвора, нКл 15 Описание MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимальнодопустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 8 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,3 Вт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*50/18000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 33 Емкость, пФ 860 Заряд затвора, нКл 20,3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.54 Транспортная упаковка: размер/кол-во 36*26*36/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 39 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12 Емкость, пФ 1150 Заряд затвора, нКл 15 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.62 Транспортная упаковка: размер/кол-во 46.5*24*30.5/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

корпус SOT-23-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 0,76 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 600 Емкость, пФ 75 Заряд затвора, нКл 5,1 Описание MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1 В Диапазон рабочих температур -55+150Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 540 мВт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*50*52/15000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт <<

биполярный PNP, -45 В, -1,5 А, hFE 40250, TO-126 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -45 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -45 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -0,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -1,5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1,25 Коэффициент усиления hFE мин. 40 Коэффициент усиления hFE макс. 250 Транспортная упаковка: размер/кол-во 38*31*27/9000 Вес брутто 0.88 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-126 <<

биполярный PNP, -80 В, -1,5 А, hFE 40250, TO-126 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -80 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -80 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -0,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -1,5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1,25 Коэффициент усиления hFE мин. 40 Коэффициент усиления hFE макс. 250 Вес брутто 0.81 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-126 Упаковка 200 <<

MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -12 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 9,5 Емкость, пФ 1780 Заряд затвора, нКл 46 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.20 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*39*36/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

SOT-23-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -0,78 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 600 Емкость, пФ 97 Заряд затвора, нКл 3,6 Описание MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максиально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 12 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 540 мВт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*50*52/18000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -2 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 160 Емкость, пФ 444 Заряд затвора, нКл 11,3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.05 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*22/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -3,6 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 64 Емкость, пФ 388 Заряд затвора, нКл 4,8 Описание MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затво-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,3 Вт Вес брутто 0.07 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*51*41/6000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -2 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 160 Емкость, пФ 444,2 Заряд затвора, нКл 11,3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.07 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*23/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6 Емкость, пФ 2000 Заряд затвора, нКл 27 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.55 Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*22/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 25 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 30 Емкость, пФ 1378 Заряд затвора, нКл 12,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.52 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

200 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Транзисторы разные Тип Цифровой биполярный транзистор Тип проводимости PNP Описание Bipolar Transistors - Pre-Biased PNPSilicon Digital TRANSISTOR Вес брутто 0.05 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -3 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 98 Емкость, пФ 510 Заряд затвора, нКл 14 Описание P-Channel 30 V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3/SOT-23 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4 В Диапазон рабочих температур -55+150Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,25 Вт Вес брутто 0.05 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*46*46/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<