Транзисторы

(DPAK) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 15 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 112 Емкость, пФ 1535 Заряд затвора, нКл 26,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.53 Транспортная упаковка: размер/кол-во 38*38*38/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 3,6Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 54 Емкость, пФ 266 Заряд затвора, нКл 3,9 Описание MOSFET MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,3 Вт Вес брутто 0.06 Трнспортная упаковка: размер/кол-во 63*44*44/6000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

SOT-23-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 25 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 5,8 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 24 Емкость, пФ 430 Заряд затвора, нКл 5,4 Описание MOSFET MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,7 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Ток утечки непрерывный (Id) - 5,8 А Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,25 Вт Вес брутто 0.06 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 58 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 7,5 Емкость, пФ 4020 Заряд затвора, нКл 78 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.60 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка 2500 <<

Тип проводимости N+N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 8 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 27 Емкость, пФ 780 Заряд затвора, нКл 10,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.22 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*37/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

биполярные Вес брутто 0.22 <<

биполярные Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжениеЭБ (Vebo), В -5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1,5 Коэффициент усиления hFE мин. 500 Коэффициент усиления hFE макс. 12000 Граничная частота ft, МГц 25 Вес брутто 0.45 Корпус TO-252 (DAK) Упаковка 2500 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N+P Максимальное напряжение сток-исток, В 40/ - 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 7,2 / -6,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 26 Емкость, пФ 593 Заряд затвора, нКл 5,5 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.24 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*22/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -9,7 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 28 Емкость, пФ 1573 Заряд затвора, нКл 33,8 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.20 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,1Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 46 Емкость, пФ 290 Заряд затвора, нКл 3,5 Описание MOSFET MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допстимое напряжение затвор-исток (Vgs) 12 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,3 Вт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*50*52/6000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 3,4Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 63 Емкость, пФ 270 Заряд затвора, нКл 2,9 Описание MOSFET MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 800 мВ Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимално допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 12 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,3 Вт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*50/18000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 29 Емкость, пФ 650 Заряд затвора, нКл 6,8 Описание MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 800 мВ Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально дпустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 12 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,3 Вт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6,3 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 21 Емкость, пФ 700 Заряд затвора, нКл 8,9 Описание MOSFET MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимонапряжение затвор-исток (Vgs) 12 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,3 Вт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*50*52/12000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 50 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 14,5 Заряд затвора, нКл 30 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.52 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*38/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -9 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 1175 Заряд затвора, нКл 29 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.24 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*22/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзистор биполярный NPN, 120 В, 1,5 А, hFE 60320, TO-126 Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 120 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 180 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 1 Максимальный постоянный ток коллектора, А 1,5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1 Коэффициент усиления hFE мин. 60 Коэффициент усиления hFE макс. 320 Граничная частота ft, МГц 140 Вес брутто 0.65 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-126 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 9 Емкость, пФ 1317 Заряд затвора, нКл 17,6 Диапазон рабочих температур -55+175 С Вес брутто 0.54 Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*22/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<