Транзисторы

Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -2 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 160 Емкость, пФ 444,2 Заряд затвора, нКл 11,3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.05 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -12 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 9,5 Емкость, пФ 1780 Заряд затвора, нКл 46 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.18 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзистор биполярный PNP, -160 В, -1,5 А, hFE 60320, TO-126 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -160 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -180 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -1 Максимальный постоянный ток коллектора, А -1,5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1 Коэффициент усиления hFE мин. 60 Коэффициент усиления hFE макс. 320 Граничная частота ft, МГц 140 Вес брутто 0.60 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-126 <<

Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытогоканала, мОм 16 Емкость, пФ 770 Заряд затвора, нКл 11,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.17 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -2 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 160 Емкость, пФ 444 Заряд затвора, нКл 11,3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.05 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*22/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6 Емкость, пФ 2000 Заряд затвора, нКл 27 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.55 Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*22/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

корпус SOT-23-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 2,7 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 116 Емкость, пФ 290 Заряд затвора, нКл 2,5 Описание MOSFET MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время здержки включения/ выключения - 6,3/ 4,2 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,25 Вт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*50/12000 Способ монтажа поверхностный (SMTКорпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 25 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 30 Емкость, пФ 1378 Заряд затвора, нКл 12,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.52 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

200 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Транзисторы разные Тип Цифровой биполярный транзистор Тип проводимости PNP Описание Bipolar Transistors - Pre-Biased PNPSilicon Digital TRANSISTOR Вес брутто 0.05 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Максимальное напряжение сток-исток, В 20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1,2 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 250 Заряд затвора, нКл 3,9 Описание MOSFET MOSFT 20V 1.2A 250mOhm 2.6nC LogLvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 700 мВ Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs12 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 540 мВт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/21000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -3 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 98 Емкость, пФ 510 Заряд затвора, нКл 14 Описание P-Channel 30 V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3/SOT-23 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4 В Диапазон рабочих температур -55+150Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,25 Вт Вес брутто 0.05 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*46*46/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 80 Максимальный постоянный ток коллектора, А 1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0,5 Коэффициент усиления hFE мин. 100 Корпус SOT-89 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 50 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 10 Емкость, пФ 940 Заряд затвора, нКл 43 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.52 Транспортная упаковка: размер/кол-во 35*35*42/7500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 38 Емкость, пФ 233 Заряд затвора, нКл 3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.05 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*22/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 80 Максимальный постоянный ток коллектора, А 1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1 Коэффициент усиления hFE мин. 100 Вес брутто 0.20 Корпус SOT-223 Упаковка 1000 <<

Транзистор биполярный PNP, -80 В, -1 А, hFE 100, SOT-223 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -80 Максимальный постоянный ток коллектора, А -1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1,35 Коэффициент усиления hFE мин. 100 Вес брутто 0.19 Способ монтажа Поверхностный Корпус SOT-223 Упаковка 4000 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 2,7Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100 Емкость, пФ 110 Заряд затвора, нКл 1 Описание MOSFET MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1,3 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустиое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,3 Вт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*50/15000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. MSL(Уровень чувствитльности к влажности) 1 <<

MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -4,4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Заряд затвора, нКл 21 Вес брутто 0.04 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<