Транзисторы

Всего найдено: 7742 наименования
Показывать по
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF
IRFB3307ZPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 75В,120A, 230Вт, корпус TO-220-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 3.04 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*26*32/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 180 шт.: 76.51 руб. Цена от 40 шт.: 79.18 руб. Цена от 20 шт.: 83.48 руб. Цена от 10 шт.: 91.82 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 800 шт
IRFD320PBF IRFD320PBF
IRFD320PBF, Полевой N-канальный транзистор, 400В, 0.6А, 1.3Вт, 1.8 Ом, корпус DIP-4 Транзисторы разные ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 400 Емкость, пФ 410 Заряд затвора, нКл 20 Описание MOSFET N-Channel 400 V 490mA Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.73 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*56*53/2500 Способ монтажа Through Hole Корпус DIP-4 (0.300', 7.62mm) Упаковка TUBE, 100 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 180 шт.: 76.51 руб. Цена от 40 шт.: 79.18 руб. Цена от 20 шт.: 83.48 руб. Цена от 10 шт.: 91.82 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
STP7NK80ZFP STP7NK80ZFP
STP7NK80ZFP, Полевой N-канальный транзистор ST Microelectronics, 800В, 5.2А, 30Вт, корпус TO-220-3 ...
Full Pack Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 800 Максимальный ток стока (при Ta=25C),А 5.2 Емкость, пФ 1138 Описание 800V, 5.2A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 30 Вт Вес брутто 2.55 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*46*36/1000 Способ монтажа Through Hole КорпусTO-220-3 FP Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 170 шт.: 76.84 руб. Цена от 50 шт.: 79.52 руб. Цена от 10 шт.: 90.66 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 600 шт
2SC5200 2SC5200
Транзисторы биполярные Описание Транзистор биполярный NPN, 230 В, 16 А, hFE 35160, TO-3P(L) Тип проводимости ...
NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 230 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 230 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 6 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 1,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А 16 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 180 Коэффициент усиления hFE мин. 35 Коэффициент усиления hFE макс. 160 Граничная частота ft, МГц 15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/375 Вес брутто 01.12.1980 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3P(L) <<
Производитель: JSMSEMI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 170 шт.: 76.73 руб. Цена от 50 шт.: 79.40 руб. Цена от 10 шт.: 90.53 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 300 шт
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF
IRLR3636TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 99А, 143Вт, корпус DPAK(TO-252-3) ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.65 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*51*51/2000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 180 шт.: 74.92 руб. Цена от 40 шт.: 77.52 руб. Цена от 20 шт.: 81.73 руб. Цена от 10 шт.: 89.90 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4
STB6NK60ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 600В, 6А, 110Вт, корпус TO-263(D2PAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 600 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1200 Емкость, пФ 905 Заряд затвора, нКл 46 Описание N-Channel 600 V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 30 В Мощность рассеиваемая (max) - 110 Вт Вес брутто 2.00 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/1000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 1000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 180 шт.: 73.28 руб. Цена от 50 шт.: 75.83 руб. Цена от 10 шт.: 86.46 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 700 шт
IRF7309TRPBF (SO-8) Infineon IRF7309TRPBF (SO-8) Infineon
IRF7309TRPBF, транзистор NP канал 30B 4/3A, SO-8
Производитель: INFINEON
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 140 шт.: 46.60 руб. Цена от 80 шт.: 47.81 руб. Цена от 20 шт.: 51.07 руб. Цена от 10 шт.: 85.63 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 800 шт
IRF4905PBF (ТО220AB) IRF4905PBF (ТО220AB)
IRF4905PBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 55В, 74А, 200Вт, корпус TO-220-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -74 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 3400 Заряд затвора, нКл 180 Описание 55V, 74A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 3.07 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*46*35/6000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 69.69 руб. Цена от 60 шт.: 72.11 руб. Цена от 20 шт.: 76.02 руб. Цена от 10 шт.: 83.62 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
КТ973А, ( KT-27-2) (2024) КТ973А, ( KT-27-2) (2024)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 200, Корпус KT-27-2, Макс. напр. к-э при заданном ...
токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 60, Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 8, Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 4, Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750, Структура PNP, <<
Производитель: ИНТЕГРАЛ
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 350 шт.: 43.21 руб. Цена от 200 шт.: 49.28 руб. Цена от 50 шт.: 53.73 руб. Цена от 10 шт.: 83.59 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 3000 шт
TIP34C (TO-218) ISC TIP34C (TO-218) ISC
Hfe при напряжении к-э, В 4, Hfe при токе коллектора, А 3, Граничная частота коэффициента передачи ...
тока fгр.МГц 3, Диапазон рабочих температур, оС -65...150, Корпус TO3PN, Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100, Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100, Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 80, Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10, Статический коэффициент передачи тока hfe мин 20, Структура PNP, <<
Производитель: Inchange
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 80 шт.: 46.89 руб. Цена от 20 шт.: 50.05 руб. Цена от 10 шт.: 83.59 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 300 шт
2SA1492 2SA1492
2SA1492 JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -180 В, -15 А, TO-3PN Транзисторы биполярные Описание ...
Транзистор биполярный PNP, -180 В, -15 А, hFE 50180, TO-3PN Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -180 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -180 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -6 Максимальный постоянный ток коллектора, А -15 Коэффициент усиления hFE мин. 50 Коэффициент усиления hFE макс. 180 Граничная частота ft, МГц 20 Вес брутто 01.07.1955 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3PN Упаковка 30 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 180 шт.: 70.46 руб. Цена от 50 шт.: 72.90 руб. Цена от 10 шт.: 83.13 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 700 шт
IRFP250N IRFP250N
IRFP250NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 220 В, 30 А, 50 мОм, 154 нКл, TO-247AC ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 220 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 30 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 50 Емкость, пФ 2800 Заряд затвора, нКл 154 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.67 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60.5*32*17.5/450 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247ACУпаковка TUBE, 30 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 180 шт.: 70.23 руб. Цена от 50 шт.: 72.68 руб. Цена от 10 шт.: 82.87 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 700 шт
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1
IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1A, корпус TO-252-3(DPAK) ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.39 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*40*50/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 69.00 руб. Цена от 60 шт.: 71.39 руб. Цена от 20 шт.: 75.26 руб. Цена от 10 шт.: 82.79 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 1000 шт
STP4NK80ZFP STP4NK80ZFP
STP4NK80ZFP, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 3А, 800В, 25 Вт, корпус TO-220-3 ...
Full Pack Транзисторы разные Вес брутто 2.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/1000 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 68.78 руб. Цена от 60 шт.: 71.16 руб. Цена от 20 шт.: 75.02 руб. Цена от 10 шт.: 82.53 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
BSP75NHUMA1 BSP75NHUMA1
BSP75NHUMA1, интеллектуальный ключ нижнего плеча Infineon Technologies, 60 В, 0.7 А, 1.8 Вт, Automotive, ...
корпус SOT-223 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 60 V, 0.7 A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -40+150 С Вес брутто 0.27 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 68.31 руб. Цена от 60 шт.: 70.69 руб. Цена от 20 шт.: 74.53 руб. Цена от 10 шт.: 81.98 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 3000 шт
20N50 20N50
Транзисторы разные Вес брутто 2.80 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*35*14/1000
Производитель: HXY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 190 шт.: 69.14 руб. Цена от 50 шт.: 71.55 руб. Цена от 10 шт.: 81.57 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 1000 шт
MJE15035G (TO220AB) SPTECH MJE15035G (TO220AB) SPTECH
PNP 350В/ 4А/ 50 Вт
Производитель: SPTECH
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 100 шт.: 71.82 руб. Цена от 30 шт.: 74.81 руб. Цена от 12 шт.: 77.97 руб. Цена от 10 шт.: 81.20 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Доступно: < 30 шт
TIP36C TIP36C
TIP36C JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -100 В, -25 А, TO-3P Транзисторы биполярные Описание Транзистор ...
биполярный PNP, -100 В, -25 А, hFE 1575, TO-247 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -4 Максимальный постоянный ток коллектора, А -25 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125 Коэффициент усиления hFE мин. 15 Коэффициент усиления hFE макс. 75 Граничная частота ft, МГц 3 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/450 Вес брутто 01.06.2016 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-247 Упаковка TUBE, 30 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 190 шт.: 68.09 руб. Цена от 50 шт.: 70.46 руб. Цена от 10 шт.: 80.34 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 200 шт
STD10NM60N STD10NM60N
STD10NM60N, Транзистор полевой ST Microelectronics, N-канальный, 600В, 10А, 70Вт, корпус TO-252(DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 600 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Емкость, пФ 550 Заряд затвора, нКл 19 Описание N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 25 В Мощность рассеиваемая (max) - 70 Вт Вес брутто 0.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 66.17 руб. Цена от 60 шт.: 68.47 руб. Цена от 20 шт.: 72.19 руб. Цена от 10 шт.: 79.41 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 3000 шт
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF
IRF7410TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies,12В,16A, 2.5Вт, корпус SOIC-8 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Вес брутто 0.26 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*46*55/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 66.13 руб. Цена от 60 шт.: 68.43 руб. Цена от 20 шт.: 72.14 руб. Цена от 10 шт.: 79.35 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
Показывать по