Транзисторы

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Вес брутто 2.44 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*54/500 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F <<

TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 280 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2,3 Заряд затвора, нКл 240 Описание MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-иток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Вес брутто 2.71 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Full Pack Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 900 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А5,8 Емкость, пФ 1350 Описание 900V, 5.8A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 30 Вт Вес брутто 2.44 Транспортная упаковка: размер/кол-во 56*46*36/500 Способ монтажа Through Hole Корпус TO220-3 FP Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

Транзисторы разные Вес брутто 2.29 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*40*52/800 <<

В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 56 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Емкость, пФ 4220 Заряд затвора, нКл 220 Описание N-Channel 200 V 56A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 380 Вт Вес брутто 2.78 Транспортная упаковка: размер/кол-во 56*26*24/600 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220-3 Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Вес брутто 6.92 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/900 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247-3 Упаковка TUBE, 30 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

Транзисторы разные Вес брутто 3.00 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/1000 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Емкость, пФ 2820 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2P Максимальное напряжение сток-исток, В -20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -9 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 18 Заряд затвора, нКл 42 Описание 20V, 9A 2P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 12 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.34 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 75 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 140 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 7 Заряд затвора, нКл 150 Описание 75V, 140A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мщность рассеиваемая (Pd) - 330 Вт Вес брутто 3.04 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

биполярный NPN, 100 В, 25 А, hFE 1080, TO-3P Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 5 Максимальный постоянный ток коллектора, А 25 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125 Коэффициент усиления hFE мин. 10 Коэффициент усиления hFE макс. 80 Граничная частота ft, МГц 3 Вес брутто 01.06.1970 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3P Упаковка 30 <<

биполярный PNP, -100 В, -25 А, hFE 1580, TO-3P Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -25 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125 Коэффициент усиления hFE мин. 15 Коэффициент усиления hFE макс. 80 Граничная частота ft, МГц 3 Вес брутто 01.06.1960 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3P Упаковка 30 <<

Транзисторы разные Вес брутто 3.10 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/500 <<

серия OPTIMOS, корпус TO-252-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2 Емкость, пФ 2500 Заряд затвора, нКл 26 Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения24/ 14 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 94 Вт Вес брутто 0.55 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 62 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,7 Емкость, пФ 1077 Заряд затвора, нКл 13 Описание MOSFET MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 65 Вт Вес брутто 2.97 Транспортная упаковка: размер/кол-во 61*51*51/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 180 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 2,7 Емкость, пФ 4340 Заряд затвора, нКл 150 Описание 40V, 180A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвористок (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 2.88 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -10,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 15 Заряд затвора, нКл 73 Описание 40V, 10.5A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs)0 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2.5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<