Транзисторы

Транзисторы разные Вес брутто 0.39 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*40*50/1000 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 300 Емкость, пФ 2864 Заряд затвора, нКл 63 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.80 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*35*14/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F Упаковка TUBE, 50 шт. <<

0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2P Максимальное напряжение сток-исток, В -20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -9 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 18 Заряд затвора, нКл 42 Описание 20V, 9A 2P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 12 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.34 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 60, Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 8, Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 4, Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750, Структура PNP, <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 600 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Емкость, пФ 550 Заряд затвора, нКл 19 Описание N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 25 В Мощность рассеиваемая (max) - 70 Вт Вес брутто 0.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Вес брутто 0.26 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*46*55/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

корпус SOT-223 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 60 V, 0.7 A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -40+150 С Вес брутто 0.27 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -74 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 3400 Заряд затвора, нКл 180 Описание 55V, 74A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 3.07 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*46*35/6000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6,8 Емкость, пФ 5250 Заряд затвора, нКл 165 Описание MOSFET MOSFT P-Ch -30V -20A 4.6mOhm Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимонапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.14 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 80 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,3 Емкость, пФ 2680 Заряд затвора, нКл 45 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.60 Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*22/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) <<

биполярный PNP, -100 В, -25 А, hFE 1575, TO-247 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -4 Максимальный постоянный ток коллектора, А -25 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125 Коэффициент усиления hFE мин. 15 Коэффициент усиления hFE макс. 75 Граничная частота ft, МГц 3 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/450 Вес брутто 01.06.2016 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-247 Упаковка TUBE, 30 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 650 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 16 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 620 Емкость, пФ 2747 Заряд затвора, нКл 62 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.04 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*21*19/2000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -40 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 55 Емкость, пФ 1489 Заряд затвора, нКл 180 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.18 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

тока fгр.МГц 3, Диапазон рабочих температур, оС -65...150, Корпус TO3PN, Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100, Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100, Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 80, Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10, Статический коэффициент передачи тока hfe мин 20, Структура PNP, <<