Транзисторы

Всего найдено: 7370 наименований
Показывать по
BD679A (TO-126) KLS BD679A (TO-126) KLS
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 40 Вт
Производитель: KLS
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2450 шт.: 8.32 руб. Цена от 1250 шт.: 8.54 руб. Цена от 180 шт.: 8.91 руб. Цена от 30 шт.: 9.05 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-8 раб.дней
Ставрополь: 7-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 700 шт
BSP51 (SOT-223) HOTTECH BSP51 (SOT-223) HOTTECH
Производитель: HOTTECH
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2450 шт.: 8.32 руб. Цена от 1250 шт.: 8.54 руб. Цена от 180 шт.: 8.91 руб. Цена от 30 шт.: 9.05 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-8 раб.дней
Ставрополь: 7-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: > 10000 шт
BCX53-16 ! BCX53-16 !
Производитель: SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
Цена от 400 шт.: 5.81 руб. Цена от 100 шт.: 7.08 руб. Цена от 30 шт.: 9.01 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 500 шт
BSS127S-7 (SOT23) DIODES BSS127S-7 (SOT23) DIODES
Производитель: DIODES
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2600 шт.: 7.28 руб. Цена от 250 шт.: 7.70 руб. Цена от 60 шт.: 7.83 руб. Цена от 30 шт.: 9.00 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: > 10000 шт
CJU100N03S (TO-252-2L) JSCJ CJU100N03S (TO-252-2L) JSCJ
CJU100N03S Транзистор N-канальный MOSFET 30 В 100 А 88 Вт
Производитель: JSCJ
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2600 шт.: 7.27 руб. Цена от 250 шт.: 7.69 руб. Цена от 60 шт.: 7.82 руб. Цена от 30 шт.: 8.99 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 3000 шт
WMS10N04TS (SOP8L) WAYON WMS10N04TS (SOP8L) WAYON
Производитель: WAYON
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2600 шт.: 7.26 руб. Цена от 250 шт.: 7.69 руб. Цена от 60 шт.: 7.81 руб. Цена от 30 шт.: 8.98 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 3000 шт
BD679A (TO-126) LGE BD679A (TO-126) LGE
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 40 Вт
Производитель: LGE
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2500 шт.: 8.15 руб. Цена от 1250 шт.: 8.37 руб. Цена от 190 шт.: 8.73 руб. Цена от 30 шт.: 8.88 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-8 раб.дней
Ставрополь: 7-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 5000 шт
WMS10DN03T1 (SOP8L) WAYON WMS10DN03T1 (SOP8L) WAYON
Производитель: WAYON
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2800 шт.: 5.30 руб. Цена от 770 шт.: 6.50 руб. Цена от 460 шт.: 7.24 руб. Цена от 30 шт.: 8.87 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: > 10000 шт
YJQ3622A YJ YJQ3622A YJ
Производитель: YJ
Цена от 2600 шт.: 7.15 руб. Цена от 260 шт.: 7.56 руб. Цена от 60 шт.: 7.70 руб. Цена от 30 шт.: 8.85 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 4000 шт
IRF640NPBF (TO-220) IRF640NPBF (TO-220)
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Производитель: Infineon
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 23.39 руб. Цена от 100 шт.: 25.01 руб. Цена от 45 шт.: 25.42 руб. Цена от 29 шт.: 26.47 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Доступно: < 2000 шт
IRLML0060TRPBF (Micro3/SOT23) Infineon IRLML0060TRPBF (Micro3/SOT23) Infineon
IRLML0060TRPBF, N-канальный транзистор 60В 2.7А Micro3 SOT23
Производитель: Infineon
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 1260 шт.: 10.09 руб. Цена от 252 шт.: 10.36 руб. Цена от 70 шт.: 10.53 руб. Цена от 28 шт.: 13.17 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 14 шт
Доступно: < 30 шт
STMPS2141STR STMPS2141STR
Транзисторы
Производитель: ST Microelectronics
Цена от 250 шт.: 24.95 руб. Цена от 100 шт.: 25.99 руб. Цена от 30 шт.: 26.43 руб. Цена от 27 шт.: 27.52 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Доступно: < 2000 шт
MJL1302AG MJL1302AG
Транзисторы биполярные Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/375 Вес брутто 01.12.1959 Способ ...
монтажа Сквозной <<
Производитель: JSMSEMI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 100 шт.: 148.65 руб. Цена от 25 шт.: 153.82 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 200 шт
IRF5210STRLPBF (D2PAK) IRF5210STRLPBF (D2PAK)
IRF5210STRLPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 100В, 38A, корпус TO-263-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -38 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 60 Емкость, пФ 2780 Заряд затвора, нКл 230 Описание MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустиме напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,8 Вт Вес брутто 2.30 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 175 шт.: 80.24 руб. Цена от 50 шт.: 83.03 руб. Цена от 25 шт.: 84.69 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF
IRF7842TRPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 18А, 2.5Вт, корпус SOIC-8 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Емкость, пФ 4500 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+155 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.17 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 175 шт.: 73.67 руб. Цена от 50 шт.: 76.24 руб. Цена от 25 шт.: 80.37 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 900 шт
STP7NK80ZFP STP7NK80ZFP
STP7NK80ZFP, Полевой N-канальный транзистор ST Microelectronics, 800В, 5.2А, 30Вт, корпус TO-220-3 ...
Full Pack Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 800 Максимальный ток стока (при Ta=25C),А 5.2 Емкость, пФ 1138 Описание 800V, 5.2A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 30 Вт Вес брутто 2.55 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*46*36/1000 Способ монтажа Through Hole КорпусTO-220-3 FP Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 175 шт.: 72.62 руб. Цена от 50 шт.: 75.14 руб. Цена от 25 шт.: 79.22 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 1000 шт
IRFBG30PBF IRFBG30PBF
IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3 Транзисторы полевые ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 1000 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5 Емкость, пФ 980 Заряд затвора, нКл 80 Описание MOSFET 1000V N-CH HEXFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 125 Вт Вес брутто 2.82 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220AB Упаковка TUBE, 1000 шт. <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 70.94 руб. Цена от 50 шт.: 73.39 руб. Цена от 25 шт.: 77.38 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF1018EPBF (TO220AB) IRF1018EPBF (TO220AB)
IRF1018EPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 60В, 79А, 110Вт, 0.0071 Ом, корпус ...
TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А79 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,4 Емкость, пФ 2290 Заряд затвора, нКл 69 Описание MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимоеапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 110 Вт Вес брутто 2.96 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 63.54 руб. Цена от 50 шт.: 65.75 руб. Цена от 25 шт.: 69.31 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 700 шт
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF
IRLZ44NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,55В, 47А, 83Вт, 0.022 Ом, корпус ...
TO-220AB Транзисторы разные Вес брутто 2.85 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*26*32/1500 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 63.03 руб. Цена от 50 шт.: 65.22 руб. Цена от 25 шт.: 68.76 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 500 шт
IRFP150NPBF IRFP150NPBF
IRFP150NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 39А, 140Вт, 0.036 Ом, корпус ...
TO-247-3 Транзисторы разные Вес брутто 7.40 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*51*51/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 62.04 руб. Цена от 50 шт.: 64.19 руб. Цена от 25 шт.: 67.68 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 500 шт
Показывать по
//
RUB