Транзисторы

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 42 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Емкость, пФ 1700 Заряд затвора, нКл 48 Описание MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения - 84/ 15 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 69 Вт Вес брутто 0.65 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) <<

0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2P Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,9 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 58 Емкость, пФ 710 Заряд затвора, нКл 34 Описание Mosfet Array 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.23 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

Транзисторы разные Вес брутто 0.12 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/1000 <<

корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 9,7 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,5 Заряд затвора, нКл 6 Описание 30V, 9.7A 2N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.22 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 44 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 27 Емкость, пФ 1300 Заряд затвора, нКл 65 Описание MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустмое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 107 Вт Вес брутто 0.62 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 33 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 38 Емкость, пФ 1331 Заряд затвора, нКл 53 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.04 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*37/1600 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263(D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 33Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 44 Емкость, пФ 1960 Заряд затвора, нКл 71 Описание MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимоенапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,8 Вт Вес брутто 2.31 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<

SOIC-8 Транзисторы разные Вес брутто 0.23 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/4000 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 700 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 900 Емкость, пФ 211 Заряд затвора, нКл 6,8 Описание MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В Диапазон рабочих температур -40+150 С Время задержки включения/ выключения - 58/ 12 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 30,5 Вт Вес брутто 0.60 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

А, 2.0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N+P Максимальное напряжение сток-исток, В 55 / -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,7 / -3,4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 50 Емкость, пФ 740 Заряд затвора, нКл 36 Описание MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.25 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N+P Максимальное напряжение сток-исток, В 25 / -25 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 3,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100 Емкость, пФ 330 Заряд затвора, нКл 27 Описание MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимонапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.23 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

IPAK (TO-251) Транзисторы разные Вес брутто 0.74 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/1500 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 2,8Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 75 Емкость, пФ 400 Заряд затвора, нКл 18,3 Описание MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Ток утечки непрерывый (Id) - 4 А Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.30 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 17 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 90 Заряд затвора, нКл 37 Описание 100V, 17A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Моность рассеиваемая (Pd) - 70 Вт Вес брутто 2.81 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 600V, 10A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.62 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 9 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 300 Емкость, пФ 605 Заряд затвора, нКл 19 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*37/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPA) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости 2P Максимальное напряжение сток-исток, В -20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -4 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 95 Емкость, пФ 325 Заряд затвора, нКл 10,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.32 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 <<