Транзисторы

Всего найдено: 7712 наименований

Сортировать по: Названию Цене Норме отпуска

развернуть описания

←Ctrl 1 ... 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 ... 386 Ctrl →

Показывать по

MJD117T4 MJD117T4, Биполярный PNP транзистор ST Microelectronics, Darlington, 100В, 2А, 20Вт, корпус SOIC-16(0. ... 154', 3.90mm Width) Транзисторы биполярные Транспортная упаковка: размер/кол-во 615151/2500 Вес брутто 0.53 Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: ST Microelectronics Внешний вид товара может отличаться	Цена от 350 шт.: 40.03 руб. Цена от 100 шт.: 41.42 руб. Цена от 50 шт.: 42.25 руб. Цена от 30 шт.: 46.48 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 3000 шт
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 100В, 33А, 3.8Вт, корпус TO-263-3 ... Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 33Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 44 Емкость, пФ 1960 Заряд затвора, нКл 71 Описание MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимоенапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,8 Вт Вес брутто 2.31 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. << Производитель: Infineon Technologies Внешний вид товара может отличаться	Цена от 350 шт.: 39.75 руб. Цена от 100 шт.: 41.13 руб. Цена от 50 шт.: 41.95 руб. Цена от 30 шт.: 46.15 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 30 шт
КТ837П Транзисторы разные Конфигурация p-n-p Ток коллектора обратный: не более 0,15 мА Мощность рассеиваемая: ... 30 Вт Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В Коэффициент передачи тока статический: 10-40 Частота коэффициента передачи тока граничная: не менее 1 МГц Максимальный ток коллектора постоянный: 7,5 А Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом << Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 330 шт.: 40.09 руб. Цена от 90 шт.: 41.49 руб. Цена от 30 шт.: 43.74 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 30 шт Доступно: < 40 шт
STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP, Транзистор полевой ST Microelectronics, N-канальный, 600В, 6А, 32Вт, корпус TO-220FP ... Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 600 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6 Емкость, пФ 905 Заряд затвора, нКл 46 Описание N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 30 Вт Вес брутто 2.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 574636/5000 Сособ монтажа Through Hole Корпус TO-220-3 FP Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 << Производитель: ST Microelectronics Внешний вид товара может отличаться	Цена от 350 шт.: 35.90 руб. Цена от 100 шт.: 37.14 руб. Цена от 50 шт.: 39.17 руб. Цена от 30 шт.: 43.09 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 8000 шт
IRFR5305PBF IRFR5305PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -50 А, TO-252 (DPAK) Транзисторы ... разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -50 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 2950 Заряд затвора, нКл 165 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.44 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка 2500 << Производитель: JSMSEMI Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 360 шт.: 36.07 руб. Цена от 90 шт.: 37.32 руб. Цена от 30 шт.: 42.56 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 30 шт Доступно: < 2000 шт
IRF5305 (TO220AB) IRF5305PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -35 А, 55 мОм, 40 нКл, TO-220 Транзисторы ... разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -35 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 55 Емкость, пФ 1489 Заряд затвора, нКл 40 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 593218/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. << Производитель: JSMSEMI Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 350 шт.: 35.31 руб. Цена от 100 шт.: 36.54 руб. Цена от 50 шт.: 38.52 руб. Цена от 30 шт.: 42.37 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 300 шт
КТ857А Транзисторы разные Конфигурация n-p-n Ток коллектора обратный: не более 5 мА Мощность рассеиваемая: ... 60 Вт Максимальное напряжение эмиттер-база: 6 В Коэффициент передачи тока статический: более 7,5 Частота коэффициента передачи тока граничная: не менее 10 МГц Максимальный ток коллектора импульсный: 10 А Время рассасывания: не более 2500 нс Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ << Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 360 шт.: 35.64 руб. Цена от 90 шт.: 36.88 руб. Цена от 30 шт.: 42.04 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 30 шт Доступно: < 50 шт
BDW93CFP (TO220FP) BDW93CFP JSMSEMI составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 12 А, TO-220F Транзисторы биполярные ... Тип Составной транзистор (Дарлингтона) Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 5 Максимальный постоянный ток коллектора, А 12 Коэффициент усиления hFE мин. 1000 Коэффициент усиления hFE макс. 20000 Вес брутто 2.60 Корпус TO-220F Упаковка 50 << Производитель: JSMSEMI Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 400 шт.: 34.50 руб. Цена от 100 шт.: 35.71 руб. Цена от 50 шт.: 37.64 руб. Цена от 30 шт.: 41.40 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 800 шт
MJD112T4 MJD112T4, Биполярный PNP транзистор ST Microelectronics, Darlington, 100В, 2А, 20Вт, корпус DPAK(TO-252AA) ... Транзисторы биполярные Транспортная упаковка: размер/кол-во 615151/2500 Вес брутто 0.53 Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: ST Microelectronics Внешний вид товара может отличаться	Цена от 400 шт.: 34.32 руб. Цена от 100 шт.: 35.51 руб. Цена от 50 шт.: 37.44 руб. Цена от 30 шт.: 41.18 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 2000 шт
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF, Транзистор полевой P-канальный VISHAY, 60В, 1.8А, 2Вт, корпус SOT-223 Транзисторы ... полевые Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1,8 Емкость, пФ 270 Заряд затвора, нКл 12 Описание P-Channel 60 V 1.8A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.40 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: VISHAY Внешний вид товара может отличаться	Цена от 400 шт.: 34.13 руб. Цена от 100 шт.: 35.32 руб. Цена от 50 шт.: 37.24 руб. Цена от 30 шт.: 40.96 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 1000 шт
IRFR3910 IRFR3910TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 20 А, 87 мОм, 26.2 нКл, TO-252 (DPAK) ... Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 87 Емкость, пФ 1535 Заряд затвора, нКл 26,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.61 Транспортная упаковка: размер/кол-во 404034/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус T-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: HXY Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 400 шт.: 34.09 руб. Цена от 100 шт.: 35.28 руб. Цена от 50 шт.: 37.18 руб. Цена от 30 шт.: 40.91 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 3000 шт
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 10А, 600В, корпус TO- 220-3FP Транзисторы ... разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 600V, 10A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.62 Транспортная упаковка: размер/кол-во 605050/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 << Производитель: ST Microelectronics Внешний вид товара может отличаться	Цена от 400 шт.: 33.96 руб. Цена от 100 шт.: 35.15 руб. Цена от 50 шт.: 37.06 руб. Цена от 30 шт.: 40.77 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 300 шт
ESGNU04R02 ESGNU04R02 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 40 В, 140 А, 1.65 мОм, TO-220 Транзисторы ... разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 140 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1,65 Емкость, пФ 3830 Заряд затвора, нКл 66 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.30 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 << Производитель: Elecsuper Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 400 шт.: 33.95 руб. Цена от 100 шт.: 35.13 руб. Цена от 50 шт.: 37.04 руб. Цена от 30 шт.: 40.74 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 2000 шт
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF, Транзистор N-канальный Infineon Technologies, 55В, 1.9А, корпус SOT-223 Транзисторы ... разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1,9 Описание MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC Диапазон рабочихтемператур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,1 Вт Вес брутто 0.39 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: Infineon Technologies Внешний вид товара может отличаться	Цена от 400 шт.: 33.42 руб. Цена от 100 шт.: 34.59 руб. Цена от 50 шт.: 36.46 руб. Цена от 30 шт.: 40.11 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 3000 шт
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 100В, 13A, корпус TO- 252-3 ... Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -13 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 205 Емкость, пФ 760 Заряд затвора, нКл 58 Описание MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 66 Вт Вес брутто 0.64 Транспортная упаковка: размер/кол-во 605050/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. << Производитель: Infineon Technologies Внешний вид товара может отличаться	Цена от 400 шт.: 33.13 руб. Цена от 100 шт.: 34.28 руб. Цена от 50 шт.: 36.15 руб. Цена от 30 шт.: 39.76 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 2000 шт
TIP2955 TIP2955 JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -60 В, -15 А, TO-247 Транзисторы биполярные Описание Транзистор ... биполярный PNP, -60 В, -15 А, hFE 2070, TO-247 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -60 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -7 Максимальный постоянный ток коллектора, А -15 Коэффициент усиления hFE мин. 20 Коэффициент усиления hFE макс. 70 Граничная частота ft, МГц 2,5 Вес брутто 3.00 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-247 Упаковка 50 << Производитель: JSMSEMI Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 390 шт.: 33.41 руб. Цена от 90 шт.: 34.57 руб. Цена от 30 шт.: 39.41 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 30 шт Доступно: < 700 шт
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 55В, 2.8А, 2.1Вт, корпус SOT-223-4 ... Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 2,8Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 75 Емкость, пФ 400 Заряд затвора, нКл 18,3 Описание MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Ток утечки непрерывый (Id) - 4 А Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.30 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: Infineon Technologies Внешний вид товара может отличаться	Цена от 400 шт.: 31.96 руб. Цена от 100 шт.: 33.06 руб. Цена от 50 шт.: 34.86 руб. Цена от 30 шт.: 38.35 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 6000 шт
IRLR024NPBF TO-252 (RP) Транзисторы полевые Тип MOSFET Тип проводимости N Вес брутто 0.45 Способ монтажа поверхностный (SMT) ... Корпус TO-252 (DPAK) << Производитель: International Rectifier*** Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 2400 шт.: 25.29 руб. Цена от 30 шт.: 37.94 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 700 шт
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 30В, 15A, корпус SOIC-8 Транзисторы ... разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -15 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 11,2 Емкость, пФ 2590 Заряд затвора, нКл 98 Описание MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжние затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.25 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. << Производитель: Infineon Technologies Внешний вид товара может отличаться	Цена от 400 шт.: 31.56 руб. Цена от 100 шт.: 32.65 руб. Цена от 50 шт.: 34.42 руб. Цена от 30 шт.: 37.86 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 4000 шт
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 55В, 3.1А, 2.1Вт, корпус SOT-223-4 ... Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,4Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100 Емкость, пФ 510 Заряд затвора, нКл 15,6 Описание MOSFET MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рссеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.38 Транспортная упаковка: размер/кол-во 634444/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: Infineon Technologies Внешний вид товара может отличаться	Цена от 400 шт.: 31.50 руб. Цена от 100 шт.: 32.61 руб. Цена от 50 шт.: 34.38 руб. Цена от 30 шт.: 37.81 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт Доступно: < 2000 шт