Транзисторы

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 600 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6 Емкость, пФ 905 Заряд затвора, нКл 46 Описание N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 30 Вт Вес брутто 2.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*46*36/5000 Сособ монтажа Through Hole Корпус TO-220-3 FP Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

154', 3.90mm Width) Транзисторы биполярные Транспортная упаковка: размер/кол-во 61*51*51/2500 Вес брутто 0.53 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 53 Минимальное сопротивлениеоткрытого канала, мОм 12 Емкость, пФ 2050 Заряд затвора, нКл 50 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.90 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 140 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1,65 Емкость, пФ 3830 Заряд затвора, нКл 66 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.30 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<

биполярный NPN, 60 В, 15 А, hFE 2070, TO-247 Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 60 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 7 Максимальный постоянный ток коллектора, А 15 Коэффициент усиления hFE мин. 20 Коэффициент усиления hFE макс. 70 Граничная частота ft, МГц 2,5 Вес брутто 01.06.1930 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-247 Упаковка 50 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 90 Емкость, пФ 3020 Заряд затвора, нКл 44 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.84 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*27.5*28/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<

Корпус TO-252 (DPAK) <<

MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 87 Емкость, пФ 1650 Заряд затвора, нКл 7,5 Вес брутто 3.01 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1,9 Описание MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC Диапазон рабочихтемператур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,1 Вт Вес брутто 0.39 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -50 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 2950 Заряд затвора, нКл 165 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.44 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка 2500 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -35 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 55 Емкость, пФ 1489 Заряд затвора, нКл 40 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Тип Составной транзистор (Дарлингтона) Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 5 Максимальный постоянный ток коллектора, А 12 Коэффициент усиления hFE мин. 1000 Коэффициент усиления hFE макс. 20000 Вес брутто 2.60 Корпус TO-220F Упаковка 50 <<

Транзисторы биполярные Транспортная упаковка: размер/кол-во 61*51*51/2500 Вес брутто 0.53 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 87 Емкость, пФ 1535 Заряд затвора, нКл 26,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.61 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус T-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -13 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 205 Емкость, пФ 760 Заряд затвора, нКл 58 Описание MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 66 Вт Вес брутто 0.64 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 140 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2,1 Емкость, пФ 6201 Заряд затвора, нКл 257 Диапазон рабочих температур -55+175 С Вес брутто 2.90 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*31*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,4Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100 Емкость, пФ 510 Заряд затвора, нКл 15,6 Описание MOSFET MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рссеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.38 Транспортная упаковка: размер/кол-во 63*44*44/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

биполярный PNP, -60 В, -15 А, hFE 2070, TO-247 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -60 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -7 Максимальный постоянный ток коллектора, А -15 Коэффициент усиления hFE мин. 20 Коэффициент усиления hFE макс. 70 Граничная частота ft, МГц 2,5 Вес брутто 3.00 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-247 Упаковка 50 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -15 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 11,2 Емкость, пФ 2590 Заряд затвора, нКл 98 Описание MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжние затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.25 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 57 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 23 Заряд затвора, нКл 86,7 Описание 100V, 57A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 Вощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 3.09 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<