|
Каталог- Микросхемы
- Транзисторы
- Тиристоры
- Диоды
- Стабилитроны и Ограничители
- Резисторы
- Конденсаторы
- Резонаторы и генераторы
- Дроссели, фильтры, ферриты, трансформаторы
- Коммутация
- Реле и оптоприборы (оптроны)
- Соединители и панельки
- Разъемы импортные
- Разъемы отечественные
- Панельки
- ZIF-панельки (с нулевым усилием)
- Телефонные и Ethernet (RJ45) разъемы
- ВЧ разъемы
- Разъемы аудио, видео, ТВ
- Разъемы интерфейсные (DSUB, USB, IEEE1394)
- Разъемы на плоский кабель IDC, DIN41612, краевые
- Разъемы питания и силовые разъемы
- Разъемы цилиндрические
- Штыревые разьемы и джамперы
- Зажимы (крокодилы, скотчлоки и прочие)
- Клеммники
- Барьерные и соединительные клеммы
- Клеммы и наконечники
- Держатели SIM и карт памяти
- Разъемы герметичные
- Автомобильные Разъемы
- Устройства защиты
- Датчики
- Светотехника
- Светодиоды выводные
- SMD светодиоды
- Светодиоды в корпусе и LED лампы
- Мощные светодиоды
- Держатели светодиодов
- Светодиодные ленты и аксессуары к ним
- Источники питания и драйвера для LED
- Индикаторы светодиодные
- Индикаторы ЖКИ
- Светодиоды, индикаторы импортные (общий)
- Светодиоды, индикаторы отечественные (общий)
- Лампочки, декоративное освещение и радиолампы
- Лампы неоновые и накаливания
- Акустические компоненты
- Установочные изделия
- Беспроводная передача информации (GSM, GPS, Bluetooth, Zigbee, Wi-Fi и прочее)
- Электротехника
- Провода, кабели и аксессуары
- Провода, кабели, шнуры, термоусадочные трубки и аксессуары (общий)
- Трубки термоусадочные
- Стяжки, площадки, скобы, маркировка
- Шнуры сетевые и автошнуры
- Шнуры компьютерные и для мобильных устройств
- Шнуры телефонные
- Шнуры аудио-видео и высокочастотные
- Шлейфы (кабель плоский)
- Провода монтажные
- Кабельные вводы и втулки
- Приборы
- Средства разработки
- Паяльное оборудование
- Монтажный инструмент
- Инструменты и осветители
- Кассетницы, ячейки
- Клеевые пистолеты и аксессуары
- Кримперы, стрипперы, пресс-клещи
- Кусачки, бокорезы
- Линзы, лупы, штативы для плат и освещение
- Микроскопы
- Наборы инструментов
- Отвертки, ключи
- Пинцеты, зажимы, экстракторы
- Плоскогубцы, длинногубцы, щипцы
- Сверла, дрели и абразивный инструмент
- Скальпели, ножи и ножницы
- Слесарный инструмент
- Сумки, чемоданы для инструмента
- Тиски
- Источники питания
- Для хобби, творчества и дома
Транзисторы
Всего найдено: 7257 наименований
 |
IRFU5305PBF
IRFU5305PBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies,55В, 31А, 110Вт, корпус TO-251AA(I-Pak) ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.73 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*40*52/1500 << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 250 шт.: 55.00 руб. Цена от 50 шт.: 56.91 руб. Цена от 25 шт.: 60.01 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 2000 шт
|
 |
IRFB7537
IRFB7537PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 180 А, 5 мОм, TO-220 Транзисторы ...
полевые Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 180 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5 Емкость, пФ 3699 Заряд затвора, нКл 115 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.99 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*32*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 << Производитель: JSMSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 250 шт.: 53.69 руб. Цена от 75 шт.: 55.55 руб. Цена от 25 шт.: 58.57 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 600 шт
|
 |
IRF3205STRLPBF
IRF3205STRLPBF, транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 110А, 200Вт, корпус TO-263-3( ...
D2Pak) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 110 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8 Заряд затвора, нКл 146 Описание 55V, 110A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвористок (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 2.34 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 250 шт.: 53.40 руб. Цена от 75 шт.: 55.27 руб. Цена от 25 шт.: 58.27 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 1000 шт
|
|
IRF840PBF
IRF840PBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB Транзисторы полевые Вес ...
брутто 2.81 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*54/2000 << Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 250 шт.: 52.92 руб. Цена от 75 шт.: 54.75 руб. Цена от 25 шт.: 57.73 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 2000 шт
|
 |
IRF7319TRPBF
IRF7319TRPBF, Сборка из полевых N и P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 30 В, 6.5А/4. ...
9А, 2.0Вт, 0.029 Ом/0.058 Ом, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N+P Максимальное напряжение сток-исток, В 30 / -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 46 Емкость, пФ 650 Заряд затвора, нКл 33 Описание MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.22 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 250 шт.: 52.23 руб. Цена от 75 шт.: 54.05 руб. Цена от 25 шт.: 56.99 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 3000 шт
|
 |
IRF1405PBF
IRF1405PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 133А, 200Вт, 0.005 Ом, корпус ...
TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А169 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5,3 Емкость, пФ 5480 Заряд затвора, нКл 260 Описание MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально доустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Вес брутто 3.04 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 250 шт.: 51.94 руб. Цена от 75 шт.: 53.74 руб. Цена от 25 шт.: 56.66 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 1000 шт
|
|
STP75NF75
STP75NF75, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 80А, 75В, корпус TO-220-3 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 75V, 80A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+175 С Вес брутто 3.05 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*41*32/10000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220-3 Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 << Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 250 шт.: 51.48 руб. Цена от 75 шт.: 53.28 руб. Цена от 25 шт.: 56.17 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 2000 шт
|
|
IRF740PBF (TO-220)
IRF740PBF, полевой N-канальный транзистор VISHAY, 400В, 10А, 125Вт, корпус TO-220-3 Транзисторы разные ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 400 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Заряд затвора, нКл 63 Описание 400V, 10A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Назначение управление силовыми цепями Время задержки включения/ вылючения - 14/ 50 нс Ток утечки непрерывный (Id) - 10 А Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 125 Вт Вес брутто 2.81 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. << Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 250 шт.: 49.92 руб. Цена от 75 шт.: 51.64 руб. Цена от 25 шт.: 54.45 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 4000 шт
|
|
IRF830PBF
IRF830PBF, полевой N-канальный транзистор VISHAY, 500В, 4.5А, 74Вт, корпус TO-220-3 Транзисторы разные ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 550 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2200 Заряд затвора, нКл 12 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка 50 MSL(Уровнь чувствительности к влажности) 1 << Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 250 шт.: 49.75 руб. Цена от 75 шт.: 51.47 руб. Цена от 25 шт.: 54.26 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 5000 шт
|
 |
IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 42A, корпус TO- 252-3 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 42 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Емкость, пФ 1700 Заряд затвора, нКл 48 Описание MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения - 84/ 15 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 69 Вт Вес брутто 0.65 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 300 шт.: 45.32 руб. Цена от 75 шт.: 46.89 руб. Цена от 25 шт.: 53.47 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 2000 шт
|
|
IPD70R900P7SAUMA1
IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 6A, корпус TO-252-3(DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 700 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 900 Емкость, пФ 211 Заряд затвора, нКл 6,8 Описание MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В Диапазон рабочих температур -40+150 С Время задержки включения/ выключения - 58/ 12 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 30,5 Вт Вес брутто 0.60 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 275 шт.: 47.14 руб. Цена от 75 шт.: 48.78 руб. Цена от 25 шт.: 53.45 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 2000 шт
|
|
STP55NF06
STP55NF06, Транзистор ST Microelectronics полевой N-канальный, 60В, 55А, 150Вт, корпус TO- 220-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 2.90 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*31/3000 << Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 275 шт.: 46.94 руб. Цена от 75 шт.: 48.57 руб. Цена от 25 шт.: 53.22 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 600 шт
|
|
STD5NK50ZT4
STD5NK50ZT4, Транзистор ST Microelectronics полевой N-канальный, 500В, 4.4А, 70Вт, корпус TO-252-3(DPak) ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.54 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/2500 << Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 300 шт.: 44.67 руб. Цена от 75 шт.: 46.23 руб. Цена от 25 шт.: 52.70 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 3000 шт
|
 |
IRF6216TRPBF (SOP-8) IR
IRF6216TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 2.2A, корпус SOIC-8 Транзисторы ...
разные Вес брутто 0.22 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/4000 << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 275 шт.: 46.23 руб. Цена от 75 шт.: 47.84 руб. Цена от 25 шт.: 52.42 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 4000 шт
|
|
IRF640NSTRLPBF
IRF640NSTRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 18А, 150Вт, корпус D2Pak ...
(TO-263) Транзисторы разные Вес брутто 2.31 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/1600 << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 300 шт.: 46.15 руб. Цена от 75 шт.: 47.75 руб. Цена от 25 шт.: 52.32 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 1000 шт
|
|
IRF7306TRPBF
IRF7306TRPBF, Сборка из двух полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 30В, 3.6А, 2. ...
0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -3,6 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100 Заряд затвора, нКл 25 Описание 30V, 3.6A 2P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.23 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 300 шт.: 43.86 руб. Цена от 75 шт.: 45.39 руб. Цена от 25 шт.: 51.75 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 4000 шт
|
|
IRF7303TRPBF (SO8)
IRF7303TRPBF, Сборка из полевых транзисторов Infineon Technologies, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт, ...
корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,9 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 50 Емкость, пФ 520 Заряд затвора, нКл 25 Описание MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.23 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8Упаковка REEL, 4000 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 300 шт.: 42.47 руб. Цена от 75 шт.: 43.95 руб. Цена от 25 шт.: 50.11 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 4000 шт
|
|
IRF7416TRPBF (SO8)
IRF7416TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 30В, 10А, 2.5Вт, корпус SOIC-8 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 1700 Заряд затвора, нКл 92 Описание MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимоенапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.24 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 325 шт.: 41.31 руб. Цена от 75 шт.: 42.75 руб. Цена от 25 шт.: 48.74 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 2000 шт
|
|
IRFR3411
IRFR3411PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 36 А, 20 мОм, 16.2 нКл, TO- 252 ...
(DPAK) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 36 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 1000 Заряд затвора, нКл 16,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.50 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*40*21.5/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: JSMSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 325 шт.: 40.99 руб. Цена от 75 шт.: 42.41 руб. Цена от 25 шт.: 48.36 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 3000 шт
|
|
IRFR540Z
IRFR540ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 36 А, 20 мОм, 16.2 нКл, TO-252 (DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 36 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 1000 Заряд затвора, нКл 16,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.60 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: JSMSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 325 шт.: 40.99 руб. Цена от 75 шт.: 42.41 руб. Цена от 25 шт.: 48.36 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 25 шт
Доступно: < 3000 шт
|
|
|
|
© 1997- Elsin.ru | |