|
Каталог- Микросхемы
- Транзисторы
- Тиристоры
- Диоды
- Стабилитроны и Ограничители
- Резисторы
- Конденсаторы
- Резонаторы и генераторы
- Дроссели, фильтры, ферриты, трансформаторы
- Коммутация
- Реле и оптоприборы (оптроны)
- Соединители и панельки
- Разъемы импортные
- Разъемы отечественные
- Панельки
- ZIF-панельки (с нулевым усилием)
- Телефонные и Ethernet (RJ45) разъемы
- ВЧ разъемы
- Разъемы аудио, видео, ТВ
- Разъемы интерфейсные (DSUB, USB, IEEE1394)
- Разъемы на плоский кабель IDC, DIN41612, краевые
- Разъемы питания и силовые разъемы
- Разъемы цилиндрические
- Штыревые разьемы и джамперы
- Зажимы (крокодилы, скотчлоки и прочие)
- Клеммники
- Барьерные и соединительные клеммы
- Клеммы и наконечники
- Держатели SIM и карт памяти
- Разъемы герметичные
- Автомобильные Разъемы
- Устройства защиты
- Датчики
- Светотехника
- Светодиоды выводные
- SMD светодиоды
- Светодиоды в корпусе и LED лампы
- Мощные светодиоды
- Держатели светодиодов
- Светодиодные ленты и аксессуары к ним
- Источники питания и драйвера для LED
- Индикаторы светодиодные
- Индикаторы ЖКИ
- Светодиоды, индикаторы импортные (общий)
- Светодиоды, индикаторы отечественные (общий)
- Лампочки, декоративное освещение и радиолампы
- Лампы неоновые и накаливания
- Акустические компоненты
- Установочные изделия
- Беспроводная передача информации (GSM, GPS, Bluetooth, Zigbee, Wi-Fi и прочее)
- Электротехника
- Провода, кабели и аксессуары
- Провода, кабели, шнуры, термоусадочные трубки и аксессуары (общий)
- Трубки термоусадочные
- Стяжки, площадки, скобы, маркировка
- Шнуры сетевые и автошнуры
- Шнуры компьютерные и для мобильных устройств
- Шнуры телефонные
- Шнуры аудио-видео и высокочастотные
- Шлейфы (кабель плоский)
- Провода монтажные
- Кабельные вводы и втулки
- Приборы
- Средства разработки
- Паяльное оборудование
- Монтажный инструмент
- Инструменты и осветители
- Кассетницы, ячейки
- Клеевые пистолеты и аксессуары
- Кримперы, стрипперы, пресс-клещи
- Кусачки, бокорезы
- Линзы, лупы, штативы для плат и освещение
- Микроскопы
- Наборы инструментов
- Отвертки, ключи
- Пинцеты, зажимы, экстракторы
- Плоскогубцы, длинногубцы, щипцы
- Сверла, дрели и абразивный инструмент
- Скальпели, ножи и ножницы
- Слесарный инструмент
- Сумки, чемоданы для инструмента
- Тиски
- Источники питания
- Для хобби, творчества и дома
Транзисторы импортные
Всего найдено: 6746 наименований
![]() |
IRF1407
IRF1407PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 120 В, 120 А, 7.5 мОм, TO-220 Транзисторы полевые ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 120 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 120 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 7,5 Емкость, пФ 3614 Заряд затвора, нКл 60,8 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*35*14/2000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 << Производитель: HXY
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 160 шт.: 86.15 руб. Цена от 40 шт.: 89.15 руб. Цена от 10 шт.: 101.64 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
|
![]() |
STB6NK60ZT4
STB6NK60ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 600В, 6А, 110Вт, корпус TO-263(D2PAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 600 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1200 Емкость, пФ 905 Заряд затвора, нКл 46 Описание N-Channel 600 V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 30 В Мощность рассеиваемая (max) - 110 Вт Вес брутто 2.00 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/1000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 1000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 << Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 160 шт.: 85.33 руб. Цена от 40 шт.: 88.30 руб. Цена от 10 шт.: 100.68 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
|
![]() |
BSP149H6327XTSA1
BSP149H6327XTSA1, cиловой МОП-транзистор Infineon Technologies, N-канал, 200 В, 660 мА, 1 Ом, SOT-223 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.27 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 1000 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 160 шт.: 85.07 руб. Цена от 40 шт.: 88.02 руб. Цена от 10 шт.: 100.36 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
|
![]() |
IRF7820TRPBF
IRF7820TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 3.7A, корпус SOIC-8 Транзисторы ...
разные Вес брутто 0.24 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/4000 << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 160 шт.: 82.39 руб. Цена от 40 шт.: 85.26 руб. Цена от 10 шт.: 97.20 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 4000 шт
|
![]() |
IRFB38N20D
IRFB38N20DPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 220 В, 45 А, 60 мОм, 154 нКл, TO-220 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 220 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 45 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 60 Емкость, пФ 2800 Заряд затвора, нКл 154 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.14 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60.5*32*17.5/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220паковка TUBE, 50 шт. << Производитель: JSMSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 160 шт.: 81.96 руб. Цена от 40 шт.: 84.81 руб. Цена от 10 шт.: 96.69 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 300 шт
|
![]() |
NJW0302G
NJW0302G, биполярный транзистор JSMSEMI NPN, 250 В, 15 А, корпус TO-3PN Транзисторы биполярные Описание ...
Транзистор биполярный NPN, 250 В, 15 А, hFE 55160, TO-3PN Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 250 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 250 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 6 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 2,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А 15 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 150 Коэффициент усиления hFE мин. 55 Коэффициент усиления hFE макс. 160 Граничная частота ft, МГц 30 Вес брутто 01.07.1989 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3PN Упаковка 30 << Производитель: JSMSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 160 шт.: 81.96 руб. Цена от 40 шт.: 84.81 руб. Цена от 10 шт.: 96.69 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 400 шт
|
![]() |
IPD122N10N3GATMA1
IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, ...
серия OPTIMOS, корпус TO-252-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2 Емкость, пФ 2500 Заряд затвора, нКл 26 Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения24/ 14 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 94 Вт Вес брутто 0.55 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 170 шт.: 79.44 руб. Цена от 50 шт.: 82.20 руб. Цена от 10 шт.: 93.73 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
|
![]() |
STP4NK80ZFP (TO-220FP)
STP4NK80ZFP, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 3А, 800В, 25 Вт, корпус TO-220-3 ...
Full Pack Транзисторы разные Вес брутто 2.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/1000 << Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 170 шт.: 78.23 руб. Цена от 50 шт.: 80.95 руб. Цена от 10 шт.: 92.29 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
|
![]() |
IRF1404ZPBF
IRF1404ZPBF, Транзистор полевой N-канальный кремниевый 40В 180А 200Вт Infineon Technologies Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 180 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 2,7 Емкость, пФ 4340 Заряд затвора, нКл 150 Описание 40V, 180A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвористок (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 2.88 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 170 шт.: 76.99 руб. Цена от 50 шт.: 79.67 руб. Цена от 10 шт.: 90.84 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 200 шт
|
![]() |
IRFB4115
IRFB4115 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 120 А, 11.5 мОм, 45 нКл, TO-220 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 150 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 120 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 11,5 Емкость, пФ 3310 Заряд затвора, нКл 45 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.84 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. << Производитель: HXY
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 190 шт.: 69.60 руб. Цена от 50 шт.: 72.02 руб. Цена от 10 шт.: 82.12 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 700 шт
|
![]() |
WMM340N20HG2 (D2PAK) (TO263) WAYON
Транзистор полевой N канал 30В-250В D2PAK/TO263 = IXFA50N20X3
Производитель: WAYON
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 210 шт.: 73.84 руб. Цена от 30 шт.: 75.75 руб. Цена от 10 шт.: 78.29 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 5000 шт
|
![]() |
TIP36C
TIP36C JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -100 В, -25 А, TO-3P Транзисторы биполярные Описание Транзистор ...
биполярный PNP, -100 В, -25 А, hFE 1575, TO-247 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -4 Максимальный постоянный ток коллектора, А -25 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125 Коэффициент усиления hFE мин. 15 Коэффициент усиления hFE макс. 75 Граничная частота ft, МГц 3 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/450 Вес брутто 01.06.2016 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-247 Упаковка TUBE, 30 шт. << Производитель: JSMSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 200 шт.: 66.12 руб. Цена от 50 шт.: 68.42 руб. Цена от 10 шт.: 78.01 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 300 шт
|
![]() |
VBA3638 (SO-8) VBSEMI
VBA3638 Два N-канальных транзистора MOSFET, 60В 7А 4Вт (аналог SI4946BEY,AO4826, NCE6005AS)
Производитель: VBSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 700 шт.: 66.41 руб. Цена от 400 шт.: 67.61 руб. Цена от 100 шт.: 71.19 руб. Цена от 10 шт.: 73.59 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
|
![]() |
IRF3205Z
IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 85 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,5 Емкость, пФ 3091 Заряд затвора, нКл 72 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.98 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. << Производитель: JSMSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 250 шт.: 53.42 руб. Цена от 70 шт.: 55.28 руб. Цена от 10 шт.: 63.03 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
|
![]() |
IRF9317TRPBF (SO8)
IRF9317TRPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 30В, 16A, корпус SOIC-8 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости P Емкость, пФ 2820 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 260 шт.: 51.15 руб. Цена от 70 шт.: 52.93 руб. Цена от 10 шт.: 60.35 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
|
![]() |
FQD2N100TM (DPAK) ONSEMI
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1000В, 1,6А, 9 Ом, DPAK.
Производитель: ON Semiconductor
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 200 шт.: 44.90 руб. Цена от 100 шт.: 51.89 руб. Цена от 10 шт.: 57.32 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
|
![]() |
IRFB5615
IRFB5615PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 40 А, 40 мОм, TO-220 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 150 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 40 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Емкость, пФ 2800 Заряд затвора, нКл 154 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.95 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/2000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. << Производитель: JSMSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 280 шт.: 47.67 руб. Цена от 70 шт.: 49.32 руб. Цена от 10 шт.: 56.24 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
|
![]() |
VBA5638 (SO8) (IRF7343)
транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF
Производитель: VBSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 800 шт.: 50.47 руб. Цена от 200 шт.: 52.74 руб. Цена от 10 шт.: 55.92 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 4000 шт
|
![]() |
IRF7342TRPBF-VB (SO8)
транзистор 2P канал -55В -3.4А
Производитель: VBSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 1050 шт.: 50.47 руб. Цена от 400 шт.: 51.38 руб. Цена от 100 шт.: 54.10 руб. Цена от 10 шт.: 55.92 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 10000 шт
|
![]() |
IRLR3636
IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 80 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,3 Емкость, пФ 2680 Заряд затвора, нКл 45 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.66 Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*22/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. << Производитель: HXY
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 300 шт.: 43.11 руб. Цена от 80 шт.: 44.60 руб. Цена от 10 шт.: 52.78 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 3000 шт
|












