Транзисторы полевые (MOSFET) импортные IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 140 шт.: 99.41 руб. Цена от 40 шт.: 102.86 руб. Цена от 10 шт.: 117.28 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
описание и характеристики товара

IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2 Емкость, пФ 2500 Заряд затвора, нКл 26 Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения24/ 14 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 94 Вт Вес брутто 0.55 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт.


Транзисторы полевые (MOSFET) импортные IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3 Транзисторы разн... вы можете заказать в нашем интернет-магазине за 117.28 ₽ прямо сейчас.

Чтобы осуществить заказ вам необходимо положить товар в корзину и заполнить небольшую форму заявки, это займет не больше 2-х минут. Цены указаны с учетом скидки при общей сумме заказа от 400 руб.

После оформления заказа информация о его состоянии будет пересылаться на Ваш электронный адрес и, при желании, на мобильный телефон в виде коротких сообщений. Полная информация о заказанных товарах всегда будет доступна в Вашем личном кабинете.

Для Ростова-на-Дону и Ставрополя предусмотрен самовывоз. В другие регионы мы отправляем заказы транспортными компаниями. Регулярно осуществляем доставку в Москву, Санкт-Петербург, Екатеринбург, Нижний Новгород, Новосибирск, Краснодар и другие регионы.

В нашем интернет-магазине очень большой ассортимент электронных компонентов и специализированных товаров, вы сможете подобрать транзисторы полевые (mosfet) импортные по оптовой цене.




IPD122N10N3GATMA1
Транзисторы полевые (MOSFET) импортные IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, ...
серия OPTIMOS, корпус TO-252-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2 Емкость, пФ 2500 Заряд затвора, нКл 26 Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения24/ 14 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 94 Вт Вес брутто 0.55 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
//
117.28RUB