Транзисторы импортные

TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А79 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,4 Емкость, пФ 2290 Заряд затвора, нКл 69 Описание MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимоеапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 110 Вт Вес брутто 2.96 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. <<

TO-247-3 Транзисторы разные Вес брутто 7.42 Транспортная упаковка: размер/кол-во 47*45*32/1000 <<

NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 230 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 230 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 6 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 1,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А 16 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 180 Коэффициент усиления hFE мин. 35 Коэффициент усиления hFE макс. 160 Граничная частота ft, МГц 15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/375 Вес брутто 01.12.1980 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3P(L) <<

TO-247-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 50 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Описание 200V, 50A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения - 17/ 55 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Вес брутто 7.35 Транспортная упаковка: размер/кол-во 53*44*45/2000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247AC Упаковка TUBE, 25 шт. <<

TO-247-3 Транзисторы разные Вес брутто 7.40 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*51*51/1000 <<

Full Pack Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 800 Максимальный ток стока (при Ta=25C),А 5.2 Емкость, пФ 1138 Описание 800V, 5.2A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 30 Вт Вес брутто 2.55 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*46*36/1000 Способ монтажа Through Hole КорпусTO-220-3 FP Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Емкость, пФ 4500 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+155 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.17 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

TO-220AB Транзисторы разные Вес брутто 2.85 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*26*32/1500 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -38 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 60 Емкость, пФ 2780 Заряд затвора, нКл 230 Описание MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустиме напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,8 Вт Вес брутто 2.30 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 1000 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5 Емкость, пФ 980 Заряд затвора, нКл 80 Описание MOSFET 1000V N-CH HEXFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 125 Вт Вес брутто 2.82 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220AB Упаковка TUBE, 1000 шт. <<

Транзисторы разные Вес брутто 7.38 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/500 <<