Транзисторы импортные

Всего найдено: 7004 наименования
Показывать по
IRFB5615 IRFB5615
IRFB5615PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 40 А, 40 мОм, TO-220 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 150 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 40 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Емкость, пФ 2800 Заряд затвора, нКл 154 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.95 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/2000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 270 шт.: 45.55 руб. Цена от 60 шт.: 47.13 руб. Цена от 30 шт.: 49.70 руб. Цена от 20 шт.: 54.66 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF5305PBF IRF5305PBF
IRF5305PBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 55В, 31А, 110Вт, 0.06 Ом, корпус ...
TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -31 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 60 Емкость, пФ 1200 Заряд затвора, нКл 63 Описание MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 110 Вт Вес брутто 2.81 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 260 шт.: 49.75 руб. Цена от 60 шт.: 51.48 руб. Цена от 20 шт.: 58.70 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 1000 шт
IRF740AS IRF740AS
IRF740ASTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 28 нКл, TO-263 (D2PAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 400 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Емкость, пФ 1050 Заряд затвора, нКл 28 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.22 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/1600 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 260 шт.: 51.36 руб. Цена от 60 шт.: 53.15 руб. Цена от 20 шт.: 60.60 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
STB11NK40Z STB11NK40Z
STB11NK40ZT4 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 550 мОм, 28 нКл, TO-263 (D2PAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 400 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Емкость, пФ 1050 Заряд затвора, нКл 28 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.32 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/1600 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 1600 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 260 шт.: 51.36 руб. Цена от 60 шт.: 53.15 руб. Цена от 20 шт.: 60.60 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF840APBF (TO-220AB) IRF840APBF (TO-220AB)
IRF840APBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB Транзисторы разные Вес ...
брутто 2.80 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/1000 <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 240 шт.: 53.40 руб. Цена от 60 шт.: 55.26 руб. Цена от 20 шт.: 63.00 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
STD20NF06LT4 STD20NF06LT4
STD20NF06LT4, Транзистор ST Microelectronics полевой N-канальный, 60В, 24А, 0.032 Ом, 60Вт, корпус ...
TO-252-3(DPak) Транзисторы разные Вес брутто 0.41 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/1000 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 240 шт.: 56.23 руб. Цена от 60 шт.: 58.18 руб. Цена от 20 шт.: 63.75 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 600 шт
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF
IRFR4615TRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 33A, корпус DPAK(TO-252-3) ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.51 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*39/2000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 240 шт.: 55.00 руб. Цена от 60 шт.: 56.91 руб. Цена от 20 шт.: 64.89 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF7241TRPBF IRF7241TRPBF
IRF7241TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 40В, 6.2А, 2.5Вт, корпус SOIC-8 ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.12 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 57.61 руб. Цена от 60 шт.: 59.62 руб. Цена от 20 шт.: 65.32 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 1000 шт
IRLR7843 IRLR7843
IRLR7843TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 120 А, 3.8 мОм, 20.6 нКл, TO-252 (DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 120 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 3,8 Емкость, пФ 2485 Заряд затвора, нКл 20,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.58 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) КорпусTO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 60.02 руб. Цена от 60 шт.: 62.11 руб. Цена от 20 шт.: 65.48 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 3000 шт
IRFB4110PBF (TO-220AB) IRFB4110PBF (TO-220AB)
IRFB4110PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 120А, корпус TO- 220AB Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 120 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 4,5 Емкость, пФ 9620 Заряд затвора, нКл 210 Описание N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 370 Вт Вес брутто 3.01 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/1500 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 60.11 руб. Цена от 60 шт.: 62.20 руб. Цена от 20 шт.: 65.57 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 700 шт
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF
IRFH5300TRPBF, транзистор полевой кремниевый N-канальный 30В 40A 3.6Вт Infineon Technologies Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 40 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 1,1 Заряд затвора, нКл 120 Описание 30V, 40A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время задержки включения/ выключения - 31/ 26 нс Максимално допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,6 Вт Вес брутто 0.16 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус PQFN-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 60.52 руб. Цена от 60 шт.: 62.63 руб. Цена от 20 шт.: 66.02 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 800 шт
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF
IRF8788TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 30В, 24А, 2.5Вт, корпус SOIC-8 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 24 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2,8 Емкость, пФ 5720 Заряд затвора, нКл 44 Описание MOSFET MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимоеапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 58.63 руб. Цена от 60 шт.: 60.67 руб. Цена от 20 шт.: 66.48 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 700 шт
2SA1492 2SA1492
2SA1492 JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -180 В, -15 А, TO-3PN Транзисторы биполярные Описание ...
Транзистор биполярный PNP, -180 В, -15 А, hFE 50180, TO-3PN Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -180 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -180 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -6 Максимальный постоянный ток коллектора, А -15 Коэффициент усиления hFE мин. 50 Коэффициент усиления hFE макс. 180 Граничная частота ft, МГц 20 Вес брутто 01.07.1955 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3PN Упаковка 30 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 61.67 руб. Цена от 60 шт.: 63.81 руб. Цена от 20 шт.: 67.27 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 700 шт
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF
IRF8910TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм13,4 Емкость, пФ 960 Заряд затвора, нКл 11 Описание Mosfet Array 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2.55В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 ВМощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.12 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 63.58 руб. Цена от 60 шт.: 65.79 руб. Цена от 20 шт.: 69.36 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
STD3NK50ZT4 (DPAK/TO252) STD3NK50ZT4 (DPAK/TO252)
STD3NK50ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 500В, 2.3A, корпус TO-252 (DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 2,3 Емкость, пФ 280 Заряд затвора, нКл 15 Описание N-Channel 500 V 2.3A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 30 В Мощность рассеиваемая (max) - 45 Вт Вес бруто 0.54 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 63.74 руб. Цена от 60 шт.: 65.95 руб. Цена от 20 шт.: 69.53 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF4905PBF (ТО220AB) IRF4905PBF (ТО220AB)
IRF4905PBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 55В, 74А, 200Вт, корпус TO-220-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -74 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 3400 Заряд затвора, нКл 180 Описание 55V, 74A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 3.07 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*46*35/6000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 65.43 руб. Цена от 60 шт.: 67.70 руб. Цена от 20 шт.: 71.38 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
BSP75NHUMA1 BSP75NHUMA1
BSP75NHUMA1, интеллектуальный ключ нижнего плеча Infineon Technologies, 60 В, 0.7 А, 1.8 Вт, Automotive, ...
корпус SOT-223 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 60 V, 0.7 A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -40+150 С Вес брутто 0.27 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 65.46 руб. Цена от 60 шт.: 67.74 руб. Цена от 20 шт.: 71.41 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 3000 шт
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK) ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.77 Транспортная упаковка: размер/кол-во 47*45*32/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 65.58 руб. Цена от 60 шт.: 67.86 руб. Цена от 20 шт.: 71.55 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 1000 шт
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF
IRF7410TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies,12В,16A, 2.5Вт, корпус SOIC-8 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Вес брутто 0.26 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*46*55/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 66.13 руб. Цена от 60 шт.: 68.43 руб. Цена от 20 шт.: 72.14 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
STD10NM60N STD10NM60N
STD10NM60N, Транзистор полевой ST Microelectronics, N-канальный, 600В, 10А, 70Вт, корпус TO-252(DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 600 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Емкость, пФ 550 Заряд затвора, нКл 19 Описание N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 25 В Мощность рассеиваемая (max) - 70 Вт Вес брутто 0.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 66.17 руб. Цена от 60 шт.: 68.47 руб. Цена от 20 шт.: 72.19 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 3000 шт
Показывать по