Транзисторы импортные

Всего найдено: 6649 наименований
Сортировать по: Названию Цене Норме отпуска 
развернуть описания
←Ctrl 1 ... 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 ... 333 Ctrl →
Показывать по
NZT660 (SOT-223) ONSEMI NZT660 (SOT-223) ONSEMI
Транзимстор PNP 60V 3A SOT-223.
Производитель: ON Semiconductor
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 36.49 руб. Цена от 100 шт.: 42.12 руб. Цена от 10 шт.: 55.11 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 200 шт
IRFB5615 IRFB5615
IRFB5615PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 40 А, 40 мОм, TO-220 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 150 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 40 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Емкость, пФ 2800 Заряд затвора, нКл 154 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.95 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/2000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 280 шт.: 47.67 руб. Цена от 70 шт.: 49.32 руб. Цена от 10 шт.: 56.24 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
VBZE50P06(TO252-2) VBSEMI VBZE50P06(TO252-2) VBSEMI
VBZE50P06, транзистор P канал 60В 50А 100Вт 1.5В/250мкА TO252-2 = 50P06.
Производитель: VBSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 1050 шт.: 53.50 руб. Цена от 600 шт.: 54.46 руб. Цена от 150 шт.: 57.36 руб. Цена от 10 шт.: 59.28 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF9317TRPBF (SO8) IRF9317TRPBF (SO8)
IRF9317TRPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 30В, 16A, корпус SOIC-8 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости P Емкость, пФ 2820 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 260 шт.: 51.15 руб. Цена от 70 шт.: 52.93 руб. Цена от 10 шт.: 60.35 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF3205Z IRF3205Z
IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 85 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,5 Емкость, пФ 3091 Заряд затвора, нКл 72 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.98 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 250 шт.: 53.42 руб. Цена от 70 шт.: 55.28 руб. Цена от 10 шт.: 63.03 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
VBA5638 (SO8) (IRF7343) VBA5638 (SO8) (IRF7343)
транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF
Производитель: VBSEMI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 800 шт.: 58.10 руб. Цена от 200 шт.: 60.71 руб. Цена от 10 шт.: 64.37 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 4000 шт
IRF7342TRPBF-VB (SO8) IRF7342TRPBF-VB (SO8)
транзистор 2P канал -55В -3.4А
Производитель: VBSEMI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 700 шт.: 58.10 руб. Цена от 400 шт.: 59.14 руб. Цена от 100 шт.: 62.28 руб. Цена от 10 шт.: 64.37 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 10000 шт
IRLR3705Z IRLR3705Z
IRLR3705ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3, 45 нКл, TO-252 (DPAK) Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 80 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,3 Емкость, пФ 2680 Заряд затвора, нКл 45 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.60 Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*22/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 240 шт.: 54.95 руб. Цена от 60 шт.: 56.87 руб. Цена от 10 шт.: 64.84 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 3000 шт
FQD2N100TM (DPAK) ONSEMI FQD2N100TM (DPAK) ONSEMI
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1000В, 1,6А, 9 Ом, DPAK.
Производитель: ON Semiconductor
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 51.09 руб. Цена от 100 шт.: 60.05 руб. Цена от 10 шт.: 66.37 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 800 шт
IRFB4115 IRFB4115
IRFB4115 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 120 А, 11.5 мОм, 45 нКл, TO-220 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 150 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 120 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 11,5 Емкость, пФ 3310 Заряд затвора, нКл 45 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.84 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: HXY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 60.90 руб. Цена от 60 шт.: 63.01 руб. Цена от 10 шт.: 71.85 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 600 шт
WMO18N50C4 N-Channel SJ-MOS C4 500V WMO18N50C4 N-Channel SJ-MOS C4 500V
Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500В
Производитель: WAYON
 Цена от 700 шт.: 67.51 руб. Цена от 400 шт.: 68.73 руб. Цена от 100 шт.: 72.38 руб. Цена от 10 шт.: 74.80 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF3415 IRF3415
IRF3415PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 40 А, 60 мОм, TO-220 Транзисторы ...
полевые Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 40 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 60 Емкость, пФ 2800 Заряд затвора, нКл 154 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.29 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 65.04 руб. Цена от 50 шт.: 67.30 руб. Цена от 10 шт.: 76.73 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 400 шт
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF
IRF1404ZPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 180А, 200Вт, корпус TO-220AB ...
Транзисторы полевые Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 180 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2,7 Емкость, пФ 4340 Заряд затвора, нКл 150 Описание 40V, 180A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 3.04 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*26*32/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220AB(TO-220-3) Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 190 шт.: 68.36 руб. Цена от 50 шт.: 70.74 руб. Цена от 10 шт.: 80.66 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
IRFB38N20D IRFB38N20D
IRFB38N20DPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 220 В, 45 А, 60 мОм, 154 нКл, TO-220 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 220 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 45 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 60 Емкость, пФ 2800 Заряд затвора, нКл 154 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.14 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60.5*32*17.5/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220паковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 190 шт.: 71.70 руб. Цена от 50 шт.: 74.20 руб. Цена от 10 шт.: 84.60 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 300 шт
NJW0302G NJW0302G
NJW0302G, биполярный транзистор JSMSEMI NPN, 250 В, 15 А, корпус TO-3PN Транзисторы биполярные Описание ...
Транзистор биполярный NPN, 250 В, 15 А, hFE 55160, TO-3PN Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 250 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 250 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 6 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 2,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А 15 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 150 Коэффициент усиления hFE мин. 55 Коэффициент усиления hFE макс. 160 Граничная частота ft, МГц 30 Вес брутто 01.07.1989 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3PN Упаковка 30 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 190 шт.: 71.70 руб. Цена от 50 шт.: 74.20 руб. Цена от 10 шт.: 84.60 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 300 шт
VBA3638 (SO-8) VBSEMI VBA3638 (SO-8) VBSEMI
VBA3638 Два N-канальных транзистора MOSFET, 60В 7А 4Вт (аналог SI4946BEY,AO4826, NCE6005AS)
Производитель: VBSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 700 шт.: 76.44 руб. Цена от 400 шт.: 77.81 руб. Цена от 100 шт.: 81.94 руб. Цена от 10 шт.: 84.70 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
20N50 20N50
20N50 HXY полевой транзистор (MOSFET) , N-канал, 500 В, 20 А, 300 мОм, 63 нКл, TO-220F Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 300 Емкость, пФ 2864 Заряд затвора, нКл 63 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.80 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*35*14/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 180 шт.: 72.36 руб. Цена от 50 шт.: 74.87 руб. Цена от 10 шт.: 85.36 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 300 шт
IRFP3306 IRFP3306
IRFP3306PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 120 А, 6 мОм, 115 нКл, TO- 247AC ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 120 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6 Емкость, пФ 2699 Заряд затвора, нКл 115 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 6.39 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/900 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247AC Упаковка TUBE, 30 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 170 шт.: 76.10 руб. Цена от 50 шт.: 78.75 руб. Цена от 10 шт.: 89.78 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 800 шт
STP4NK80ZFP (TO-220FP) STP4NK80ZFP (TO-220FP)
STP4NK80ZFP, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 3А, 800В, 25 Вт, корпус TO-220-3 ...
Full Pack Транзисторы разные Вес брутто 2.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/1000 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 170 шт.: 78.23 руб. Цена от 50 шт.: 80.95 руб. Цена от 10 шт.: 92.29 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
IPD122N10N3GATMA1 (DPAK/TO-252) IPD122N10N3GATMA1 (DPAK/TO-252)
IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, ...
серия OPTIMOS, корпус TO-252-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2 Емкость, пФ 2500 Заряд затвора, нКл 26 Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения24/ 14 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 94 Вт Вес брутто 0.55 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 170 шт.: 79.44 руб. Цена от 50 шт.: 82.20 руб. Цена от 10 шт.: 93.73 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
←Ctrl 1 ... 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 ... 333 Ctrl →
Показывать по
//
RUB