Транзисторы импортные

Всего найдено: 7096 наименований

Сортировать по: Названию Цене Норме отпуска

развернуть описания

←Ctrl 1 ... 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 ... 355 Ctrl →

Показывать по

SPW55N80C3FKAS1 (TO247-3) INFINEON SPW55N80C3FKAS1, транзистор N канал 800В 55A 85мОм, TO247-3 Производитель: INFINEON Внешний вид товара может отличаться	Цена от 21 шт.: 2140.36 руб. Цена от 12 шт.: 2178.93 руб. Цена от 1 шт.: 2294.63 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: < 90 шт
SCT30N120 (HiP247[тм]) STM Полевой транзистор N-канальный 1200В 45A HIP247 Производитель: STM	Цена от 10 шт.: 1917.49 руб. Цена от 3 шт.: 2131.20 руб. Цена от 2 шт.: 2217.57 руб. Цена от 1 шт.: 2323.67 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 30 шт
IHW30N160R2FKSA1 (TO247) INF1 IGBT Производитель: INF Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 1977.27 руб. Цена от 3 шт.: 2139.02 руб. Цена от 2 шт.: 2224.49 руб. Цена от 1 шт.: 2329.39 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 80 шт
MG50HF12TFC1 YJ Производитель: YJ	Цена от 60 шт.: 1701.99 руб. Цена от 10 шт.: 1841.23 руб. Цена от 3 шт.: 2069.42 руб. Цена от 1 шт.: 2359.15 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней Ставрополь: 6-10 раб.дней Доступно: < 20 шт
GD100CUY120C1S STARPWR IGBT силовой транзисторный модуль (одиночный) 1200 В, 100 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ... устойчивость к короткому замыканию. << Производитель: STARPWR Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 24 шт.: 2290.67 руб. Цена от 6 шт.: 2373.98 руб. Цена от 2 шт.: 2415.62 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней Ставрополь: 6-10 раб.дней Доступно: < 80 шт
IXFH16N80P (TO-247AD (IXFH)) IXYS Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 16 А Производитель: IXYS Внешний вид товара может отличаться	Цена от 5 шт.: 2283.87 руб. Цена от 3 шт.: 2432.40 руб. Цена от 2 шт.: 2461.15 руб. Цена от 1 шт.: 2484.54 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 20 шт
GD150HFX65C1S STARPWR IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 650 В, 150 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ... устойчивость к короткому замыканию. << Производитель: STARPWR Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 2430.33 руб. Цена от 1 шт.: 2517.13 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней Ставрополь: 6-10 раб.дней Доступно: < 200 шт
PS11032, IGBT модуль 0.2кВт 220В 1/3 фаз Драйвер управления встроенный, Защита от короткого замыкания есть, Защита от перегрева есть, Защита ... от пониженного напряжения питания есть, Защита по току есть, Макс.напр.к-э,В 220, Максимальная частота модуляции,кГц 20, Мощность привода, кВт 0.2, Напряжение изоляции, В 2500, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.9, Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост, Температурный диапазон,С -20...125, Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM, << Производитель: Mitsubishi Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 2421.54 руб. Цена от 1 шт.: 2550.12 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: 2 шт
P3M12025K3 (TO247) PN JUNCTION SiC MOSFET Полярность: N-Channel, V(br)dss: 1200 В, Rds(on): 25 мОм, Qrr: 172 нКл, I d: 80 А, Корпус: TO-247-3. Производитель: PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 2471.87 руб. Цена от 1 шт.: 2560.14 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Доступно: 2 шт
P3M12025K4 (TO247) PN JUNCTION SiC MOSFET Полярность: N-Channel, V(br)dss: 1200 В, Rds(on): 25 мОм, Qrr: 172 нКл, I d: 80 А, Корпус: TO-247-3. Производитель: PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 2471.87 руб. Цена от 1 шт.: 2560.14 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Доступно: 1 шт
GD100HFY120C1S Starpower IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 1200 В, 100 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ... устойчивость к короткому замыканию. << Производитель: STARPWR Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 2481.58 руб. Цена от 1 шт.: 2570.21 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней Ставрополь: 6-10 раб.дней Доступно: < 200 шт
MG100HF12TFC1 YJ Производитель: YJ	Цена от 39 шт.: 2455.09 руб. Цена от 8 шт.: 2499.74 руб. Цена от 2 шт.: 2589.01 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней Ставрополь: 6-10 раб.дней Доступно: < 100 шт
GD200HFX65C2S Starpower IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 650 В, 200 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ... устойчивость к короткому замыканию. << Производитель: STARPWR Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 24 шт.: 2457.34 руб. Цена от 6 шт.: 2546.69 руб. Цена от 2 шт.: 2591.37 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней Ставрополь: 6-10 раб.дней Доступно: < 300 шт
IPW65R019C7FKSA1 INF Полевой транзистор Производитель: INF	Цена от 5 шт.: 2342.33 руб. Цена от 3 шт.: 2546.17 руб. Цена от 2 шт.: 2583.64 руб. Цена от 1 шт.: 2612.68 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 70 шт
MGC75D12A1-251H3 TechSem Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В Производитель: TechSem	Цена от 5 шт.: 2532.37 руб. Цена от 3 шт.: 2674.25 руб. Цена от 2 шт.: 2701.25 руб. Цена от 1 шт.: 2723.98 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: 1 шт
MG100HF065TLC1 YJ Модуль полумостовой IGBT 650В 150А Производитель: Yangzhou Yangjie	Цена от 6 шт.: 2468.12 руб. Цена от 3 шт.: 2598.92 руб. Цена от 2 шт.: 2665.35 руб. Цена от 1 шт.: 2734.43 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 20 шт
BG150B12UY4-I BYD Производитель: BYD	Цена от 20 шт.: 2704.84 руб. Цена от 5 шт.: 2803.21 руб. Цена от 2 шт.: 2852.39 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней Ставрополь: 6-10 раб.дней Доступно: < 30 шт
UF3C065040T3S ONSEMI SiC транзистор Производитель: ON Semiconductor	Цена от 7 шт.: 2759.01 руб. Цена от 1 шт.: 2857.55 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Доступно: 6 шт
GD200HFX65C2S Starpower IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 650 В, 200 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ... устойчивость к короткому замыканию. << Производитель: Starpower Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 5 шт.: 2647.96 руб. Цена от 3 шт.: 2818.34 руб. Цена от 2 шт.: 2850.99 руб. Цена от 1 шт.: 2877.70 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: 4 шт
DFI100HF17DE1, IGBT модуль LEAPERS DFI100HF17DE1, IGBT модуль, 1700V, 100A, полумост, альтернатива для SKM145GB176D-SEMITRANS Производитель: LEAPERS Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 16 шт.: 2723.00 руб. Цена от 4 шт.: 2845.66 руб. Цена от 2 шт.: 2919.25 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Кратность заказа: 2 шт Доступно: 6 шт