Транзисторы

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -15 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 11,2 Емкость, пФ 2590 Заряд затвора, нКл 98 Описание MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжние затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.25 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

60 Вт Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В Коэффициент передачи тока статический: более 750 Частота коэффициента передачи тока граничная: не менее 7 МГц Максимальный ток коллектора импульсный: 12 А Время выключения: не более 3300 нс Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 4050 Заряд затвора, нКл 39 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.03 Транспортная упаковка: размер/кол-во 54.5*20.2*20.5/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 5,2Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Заряд затвора, нКл 48 Описание MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.39 Транспортная упакока: размер/кол-во 58*46*46/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

0Вт, 0.029 Ом, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 29 Емкость, пФ 650 Заряд затвора, нКл 33 Описание MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.22 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/8000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 540 Емкость, пФ 250 Заряд затвора, нКл 6,1 Описание N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время здержки включения/ выключения - 47/ 18 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 10 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,1 Вт Вес брутто 0.37 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*39*39/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT)орпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

биполярный NPN, 100 В, 6 А, hFE 15, TO-220 Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 6 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 1,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А 6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 65 Коэффициент усиления hFE мин. 15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Вес брутто 01.02.1984 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-220 Упаковка 50 <<

Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 19 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.31 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,7 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 43 Заряд затвора, нКл 24 Описание 55V, 4.7A 2N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.24 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

: 2 Вт Максимальное напряжение эмиттер-база: 7 В Коэффициент передачи тока статический: >,15 Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером: <,0,8 В Максимальный ток коллектора импульсный: 14 А Рабочая температура -45+100 С Максимальная температура перехода: 175 С <<

MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 400 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 440 Емкость, пФ 1570 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.04 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка 50 <<