Транзисторы

Всего найдено: 7735 наименований
Показывать по
IRLML2246TR (SOT-23) HOTTECH IRLML2246TR (SOT-23) HOTTECH
IRLML2246 Транзистор P-канальный MOSFET 20 В, 2.6 А, 1.3 Вт
Производитель: HOTTECH
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 1300 шт.: 14.76 руб. Цена от 250 шт.: 15.55 руб. Цена от 100 шт.: 15.81 руб. Цена от 45 шт.: 18.19 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 700 шт
КТ815Б КТ815Б
Транзисторы
Производитель: Интеграл
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 400 шт.: 14.91 руб. Цена от 100 шт.: 15.79 руб. Цена от 60 шт.: 16.18 руб. Цена от 45 шт.: 16.84 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 200 шт
BSP31.115 BSP31.115
Транзисторы биполярные (BJTs)
Производитель: NEX-NXP
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 1400 шт.: 13.63 руб. Цена от 270 шт.: 14.34 руб. Цена от 110 шт.: 14.58 руб. Цена от 45 шт.: 16.77 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 300 шт
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF
IRLL2705TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 55В, 3.8А, 2.1Вт, корпус SOT-223-4 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 5,2Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Заряд затвора, нКл 48 Описание MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.39 Транспортная упакока: размер/кол-во 58*46*46/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 450 шт.: 28.54 руб. Цена от 100 шт.: 29.54 руб. Цена от 50 шт.: 31.13 руб. Цена от 40 шт.: 34.25 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 3000 шт
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF
IRF7313TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 30В, 6.5А, 2. ...
0Вт, 0.029 Ом, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 29 Емкость, пФ 650 Заряд затвора, нКл 33 Описание MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.22 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/8000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 450 шт.: 28.28 руб. Цена от 100 шт.: 29.25 руб. Цена от 50 шт.: 30.85 руб. Цена от 40 шт.: 33.94 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 9000 шт
IRLZ44N IRLZ44N
Транзисторы разные Вес брутто 3.03 Транспортная упаковка: размер/кол-во 54.5*20.2*20.5/3000
Производитель: HXY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 450 шт.: 28.21 руб. Цена от 100 шт.: 29.20 руб. Цена от 50 шт.: 30.79 руб. Цена от 40 шт.: 33.86 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
IRFZ44NS (D2PAK) IRFZ44NS (D2PAK)
IRFZ44NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 49 А, 13 мОм, 63 нКл, TO-263 (D2PAK) Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 49 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 13 Емкость, пФ 1470 Заряд затвора, нКл 63 Диапазон рабочих температур -55+175 С Вес брутто 2.68 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 450 шт.: 27.80 руб. Цена от 100 шт.: 28.77 руб. Цена от 50 шт.: 30.33 руб. Цена от 40 шт.: 33.37 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 3000 шт
IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF
IRLL110TRPBF, Транзистор полевой N-канальный VISHAY, 100В, 1.5А, 2Вт, корпус SOT-223-4 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 540 Емкость, пФ 250 Заряд затвора, нКл 6,1 Описание N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время здержки включения/ выключения - 47/ 18 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 10 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,1 Вт Вес брутто 0.37 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*39*39/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT)орпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 450 шт.: 27.71 руб. Цена от 100 шт.: 28.68 руб. Цена от 50 шт.: 30.23 руб. Цена от 40 шт.: 33.25 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 4000 шт
BD244C BD244C
BD244C JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -100 В, -6 А, TO-220 Транзисторы биполярные Описание Транзистор ...
биполярный PNP, -100 В, -6 А, hFE 15, TO-220 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -1,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 65 Коэффициент усиления hFE мин. 15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Вес брутто 01.02.1986 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-220 Упаковка 50 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 450 шт.: 27.51 руб. Цена от 100 шт.: 28.47 руб. Цена от 50 шт.: 30.01 руб. Цена от 40 шт.: 33.01 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 500 шт
STN1NK60Z STN1NK60Z
STN1NK60Z, Транзистор ST Microelectronics полевой N-канальный, 600В, 0.3А, 3.3Вт, корпус SOT-223 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 0.3 Емкость, пФ 94 Описание 600V, 0.3A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.23 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*37/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 4000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 450 шт.: 27.33 руб. Цена от 100 шт.: 28.28 руб. Цена от 50 шт.: 29.81 руб. Цена от 40 шт.: 32.79 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 5000 шт
FQP50N06 FQP50N06
FQP50N06 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 22 мОм, TO-220 Транзисторы разные ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 50 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 22 Емкость, пФ 1540 Заряд затвора, нКл 31 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.93 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 450 шт.: 27.12 руб. Цена от 100 шт.: 28.07 руб. Цена от 50 шт.: 29.59 руб. Цена от 40 шт.: 32.55 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 4000 шт
IRF7341TRPBF (SO8) IRF7341TRPBF (SO8)
IRF7341TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 55В, 4.7А, 2. ...
0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,7 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 43 Заряд затвора, нКл 24 Описание 55V, 4.7A 2N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.24 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 440 шт.: 28.42 руб. Цена от 120 шт.: 29.41 руб. Цена от 40 шт.: 32.22 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 40 шт
Доступно: < 4000 шт
IRLR2905 IRLR2905
IRLR2905PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 30 А, 26 мОм, 12.6 нКл, TO-252 (DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 30 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 26 Емкость, пФ 1378 Заряд затвора, нКл 12,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.52 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-25(DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 2500 шт.: 21.27 руб. Цена от 40 шт.: 31.91 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 26-27 нед.
Ставрополь: 26-27 нед.
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 3000 шт
44H11 44H11
44H11 SLKOR биполярный транзистор NPN, 80 В, 10 А, TO-220 Транзисторы биполярные Описание Транзистор ...
биполярный NPN, 80 В, 10 А, hFE 60, TO-220 Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 80 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 1 Максимальный постоянный ток коллектора, А 10 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 50 Коэффициент усиления hFE мин. 60 Граничная частота ft, МГц 50 Вес брутто 01.02.1984 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-220 Упаковка 50 <<
Производитель: SLKOR
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 26.44 руб. Цена от 100 шт.: 27.36 руб. Цена от 50 шт.: 28.84 руб. Цена от 40 шт.: 31.73 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 1000 шт
STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4
STD4NK60ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 600В, 4А, корпус TO-252 (DPAK) Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 600V, MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.59 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*40*52/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 26.43 руб. Цена от 100 шт.: 27.34 руб. Цена от 50 шт.: 28.83 руб. Цена от 40 шт.: 31.72 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 4000 шт
IRF3205PBF IRF3205PBF
IRF3205PBF, транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 110А, 200Вт, корпус TO220-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 110 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8 Заряд затвора, нКл 146 Описание 55V, 110A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs)20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 2.83 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 26.28 руб. Цена от 100 шт.: 27.20 руб. Цена от 50 шт.: 28.67 руб. Цена от 40 шт.: 31.53 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 5000 шт
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF
IRLR120NTRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 100В, 10А, 39Вт, корпус TO-252-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 185 Емкость, пФ 440 Заряд затвора, нКл 20 Описание MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержкиключения/ выключения - 35/ 22 нс Мощность рассеиваемая (Pd) - 48 Вт Вес брутто 0.64 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 25.97 руб. Цена от 150 шт.: 26.87 руб. Цена от 50 шт.: 28.33 руб. Цена от 40 шт.: 31.16 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 3000 шт
10N65 10N65
10N65, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 650 В, 10 А, 1.05 Ом, 32 нКл, TO-220F Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 650 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1050 Емкость, пФ 1642 Заряд затвора, нКл 32 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.71 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 25.86 руб. Цена от 150 шт.: 26.76 руб. Цена от 50 шт.: 28.21 руб. Цена от 40 шт.: 31.04 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 1000 шт
IRF830 (TO-220) JSMSEMI IRF830 (TO-220) JSMSEMI
IRF830PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 550 В, 4 А, TO-220 Транзисторы разные Тип ...
MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 550 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2200 Емкость, пФ 560 Заряд затвора, нКл 12 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.95 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка 50 MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 25.54 руб. Цена от 150 шт.: 26.43 руб. Цена от 50 шт.: 27.87 руб. Цена от 40 шт.: 30.65 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF830APBF (TO-220) (RP) IRF830APBF (TO-220) (RP)
IRF830APBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 550 В, 4 А, TO-220 Транзисторы разные Тип ...
MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 550 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.88 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка 50 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 25.54 руб. Цена от 150 шт.: 26.43 руб. Цена от 50 шт.: 27.87 руб. Цена от 40 шт.: 30.65 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 1000 шт
Показывать по