Транзисторы

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 58 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 7,5 Емкость, пФ 4020 Заряд затвора, нКл 78 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.25 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<

Транзистор биполярный NPN, 100 В, 3 А, hFE 1070, TO-220 Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 1,2 Максимальный постоянный ток коллектора, А 3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 2 Коэффициент усиления hFE мин. 10 Коэффициент усиления hFE макс. 70 Граничная частота ft, МГц 3 Вес брутто 01.02.1998 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Транзистор биполярный PNP, -100 В, -3 А, hFE 1050, TO-220 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 2 Коэффициент усиления hFE мин. 10 Коэффициент усиления hFE макс. 50 Граничная частота ft, МГц 3 Вес брутто 03.03.2025 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 600 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2500 Емкость, пФ 515 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.64 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*30*20/2000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -11 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 175 Заряд затвора, нКл 19 Описание 55V, 11A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 38 Вт Вес брутто 0.64 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/10000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<

(DPak) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 17 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 65 Описание 55V, 17A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения - 7.1/ 20 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 45 Вт Вес брутто 0.62 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 18 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 150 Заряд затвора, нКл 67 Описание 200V, 18A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мщность рассеиваемая (Pd) - 130 Вт Вес брутто 3.03 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -5,8 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 55 Емкость, пФ 520 Заряд затвора, нКл 11 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.25 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*23/6000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -14 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 11 Емкость, пФ 3887 Заряд затвора, нКл 37 Описание MOSFET, P, -30 В, -14 А, 11 мОм, SOP-8 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.21 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*37/3000 Способ мнтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

монтажа Поверхностный Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -1,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 20 Коэффициент усиления hFE мин. 30 Коэффициент усиления hFE макс. 75 Граничная частота ft, МГц 3 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/2500 Вес брутто 0.48 Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. Описание Транзистор биполярный PNP, -100 В, -6 А, hFE 3075, TO-252 (DPAK) <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 15 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 11 Емкость, пФ 2470 Заряд затвора, нКл 20,8 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.28 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*39/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -5,8 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 55 Емкость, пФ 520 Заряд затвора, нКл 11 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.57 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*21/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упакока REEL, 3000 шт. <<

SOT-23-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.05 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 150 Емкость, пФ 650 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.21 Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*25/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 49 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 17,5 Заряд затвора, нКл 63 Описание 55V, 49A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 94 Вт Вес брутто 2.91 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*34*24/7000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -9,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 18 Емкость, пФ 1690 Заряд затвора, нКл 29 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.23 Транспортная упаковка: размер/кол-во 38*29*38/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

(DPAK) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 15 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 112 Емкость, пФ 1535 Заряд затвора, нКл 26,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.53 Транспортная упаковка: размер/кол-во 38*38*38/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<