Транзисторы

Всего найдено: 7739 наименований
Показывать по
IRF9358 IRF9358
IRF9358 HXY сборка полевых транзисторов (MOSFET), P+P канал, -30 В, -11 А, 18 мОм, 22 нКл, SOP-8 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -11 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 18 Емкость, пФ 1330 Заряд затвора, нКл 22 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.29 Транспортная упаковка: размер/кол-во 38*29*38/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 25.74 руб. Цена от 150 шт.: 26.63 руб. Цена от 50 шт.: 28.08 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 3000 шт
IRF9956 (SO8) IRF9956 (SO8)
IRF9956TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), 2N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 8,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 18 Емкость, пФ 572 Заряд затвора, нКл 6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.32 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 УпаковкREEL, 3000 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 25.58 руб. Цена от 150 шт.: 26.47 руб. Цена от 50 шт.: 27.91 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 3000 шт
IRFR220N IRFR220N
IRFR220NTRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK) Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 9 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 300 Емкость, пФ 539 Заряд затвора, нКл 15 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.51 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*37/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (PAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 25.23 руб. Цена от 150 шт.: 26.11 руб. Цена от 50 шт.: 27.53 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 4000 шт
TIP41C (TO220) TIP41C (TO220)
TIP41C, Биполярный NPN транзистор ST Microelectronics , 100 В, 6А, корпус TO-220-3 Транзисторы биполярные ...
Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальный постоянный ток коллектора, А 6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 65 Коэффициент усиления hFE мин. 15 Вес брутто 2.91 Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 24.95 руб. Цена от 150 шт.: 25.82 руб. Цена от 50 шт.: 27.22 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 1000 шт
IRF7455 IRF7455
IRF7455TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 18 А, 6.5 мОм, 12.6 нКл, SOP-8 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 18 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6,5 Емкость, пФ 1317 Заряд затвора, нКл 12,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.32 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упковка REEL, 3000 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 24.88 руб. Цена от 150 шт.: 25.74 руб. Цена от 50 шт.: 27.14 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 3000 шт
IRF9Z34NPBF (TO-220AB) IRF9Z34NPBF (TO-220AB)
IRF9Z34NPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 55В, 19А, 68Вт, корпус TO-220-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -19 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100 Емкость, пФ 620 Заряд затвора, нКл 35 Описание P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимаьно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 68 Вт Вес брутто 3.05 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 550 шт.: 24.55 руб. Цена от 150 шт.: 25.41 руб. Цена от 50 шт.: 26.79 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 900 шт
2SA1837 2SA1837
2SA1837 JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -230 В, -1 А, TO-220F Транзисторы биполярные Описание ...
Транзистор биполярный PNP, -230 В, -1 А, hFE 100270, TO-220F Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -230 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -230 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -1,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 2 Коэффициент усиления hFE мин. 100 Коэффициент усиления hFE макс. 270 Граничная частота ft, МГц 70 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*32*18/2000 Вес брутто 01.02.1975 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-220F Упаковка 50 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 550 шт.: 24.55 руб. Цена от 150 шт.: 25.41 руб. Цена от 50 шт.: 26.79 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 1000 шт
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF
IRFR120NTRPBF, транзистор полевой кремниевый N-канальный 100В 9.4А 48Вт Infineon Technologies Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 9,4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 210 Заряд затвора, нКл 25 Описание 100V, 9.4A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения - 4.5/ 32 нс Максиально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 48 Вт Вес брутто 0.62 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 550 шт.: 22.54 руб. Цена от 150 шт.: 23.32 руб. Цена от 50 шт.: 26.58 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 4000 шт
IRFR110 IRFR110
IRFR110TR JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 15 А, 100 мОм, 24 нКл, TO-252 (DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 15 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100 Емкость, пФ 890 Заряд затвора, нКл 24 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.50 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 550 шт.: 24.36 руб. Цена от 150 шт.: 25.21 руб. Цена от 50 шт.: 26.57 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 3000 шт
FQD19N10TM FQD19N10TM
FQD19N10TM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 19 А, 60 мОм, TO-252 (DPAK) Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 19 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 60 Емкость, пФ 1680 Заряд затвора, нКл 13 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.50 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*40*21.5/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 550 шт.: 24.36 руб. Цена от 150 шт.: 25.21 руб. Цена от 50 шт.: 26.57 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 3000 шт
IRF530N IRF530N
IRF530N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, TO-220 Транзисторы полевые ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 33 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 38 Емкость, пФ 1331 Заряд затвора, нКл 53 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.93 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/5000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 600 шт.: 22.37 руб. Цена от 150 шт.: 23.14 руб. Цена от 50 шт.: 26.38 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 2000 шт
NDT2955 NDT2955
NDT2955 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -3 А, 150 мОм, SOT-223 Транзисторы полевые ...
Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -3 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 150 Емкость, пФ 160 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.35 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 600 шт.: 22.30 руб. Цена от 150 шт.: 23.08 руб. Цена от 50 шт.: 26.31 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF3205PBF IRF3205PBF
IRF3205PBF, транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 110А, 200Вт, корпус TO220-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 110 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8 Заряд затвора, нКл 146 Описание 55V, 110A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs)20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 2.83 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 550 шт.: 24.12 руб. Цена от 150 шт.: 24.95 руб. Цена от 50 шт.: 26.30 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 5000 шт
MJE350G MJE350G
MJE350G JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.5 А, TO-126 Транзисторы биполярные Описание ...
Транзистор биполярный PNP, -300 В, -0,5 А, hFE 100, TO-126 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -300 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -300 Максимальный постоянный ток коллектора, А -0,5 Коэффициент усиления hFE мин. 100 Вес брутто 0.58 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-126 Упаковка 500 <<
Производитель: JSMSEMI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 550 шт.: 23.16 руб. Цена от 150 шт.: 23.97 руб. Цена от 50 шт.: 26.26 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 800 шт
STN1NK80Z STN1NK80Z
STN1NK80Z, Транзистор полевой ST Microelectronics, N-канальный, 800В, 2.5Вт, корпус SOT-223 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 0.25 Емкость, пФ 160 Заряд затвора, нКл 7,7 Описание N-Channel 800 V 250mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.26 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*37/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 4000 шт. ML(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 600 шт.: 22.24 руб. Цена от 150 шт.: 23.01 руб. Цена от 50 шт.: 26.25 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 6000 шт
IRF7341 (SO8) SLKOR IRF7341 (SO8) SLKOR
IRF7341 SLKOR полевой транзистор (MOSFET) N+N, 60 В, 5 А, 30 мОм, SOP-8 Транзисторы полевые Тип MOSFET ...
Тип проводимости N+N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 30 Емкость, пФ 1020 Заряд затвора, нКл 19 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.30 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка 4000 <<
Производитель: SLKOR
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 550 шт.: 23.13 руб. Цена от 150 шт.: 23.93 руб. Цена от 50 шт.: 26.22 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 3000 шт
IRF540NPBF TO-220 MOSFET IRF540NPBF TO-220 MOSFET
Производитель: Infineon
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 500 шт.: 24.49 руб. Цена от 100 шт.: 25.33 руб. Цена от 50 шт.: 26.19 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-8 раб.дней
Ставрополь: 7-11 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 2000 шт
MJD45H11T4G MJD45H11T4G
MJD45H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -80 В, -8 А, TO-252 (DPAK) Транзисторы биполярные ...
Способ монтажа Поверхностный Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -80 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -1 Максимальный постоянный ток коллектора, А -8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 50 Коэффициент усиления hFE мин. 40 Граничная частота ft, МГц 40 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/2500 Вес брутто 0.47 Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. Описание Транзистор биполярный PNP, В, -8 А, hFE 40, TO-252 (DPAK) <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 550 шт.: 22.99 руб. Цена от 150 шт.: 23.80 руб. Цена от 50 шт.: 26.07 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 2000 шт
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 55В, 2А, 2.1Вт, корпус SOT-223-4 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 2 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 140 Емкость, пФ 230 Заряд затвора, нКл 14 Описание MOSFET MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустмое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.37 Транспортная упаковка: размер/кол-во 63*44*44/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 550 шт.: 23.88 руб. Цена от 150 шт.: 24.71 руб. Цена от 50 шт.: 26.05 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 3000 шт
КТ3130В9 (201*г) КТ3130В9 (201*г)
Транзисторы разные Конфигурация n-p-n Ток коллектора обратный: не более 1 мкА Мощность рассеиваемая ...
постоянная: 100 мВт Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В Коэффициент передачи тока статический: 400-1000 Частота коэффициента передачи тока граничная: не менее 150 МГц Максимальный ток коллектора постоянный: 100 мА Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ <<
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 600 шт.: 22.06 руб. Цена от 150 шт.: 22.82 руб. Цена от 50 шт.: 26.02 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 200 шт
Показывать по