Транзисторы

Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -3 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 15 Емкость, пФ 160 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.32 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 30 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 26 Емкость, пФ 1378 Заряд затвора, нКл 12,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.52 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-25(DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,7 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 43 Заряд затвора, нКл 24 Описание 55V, 4.7A 2N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.24 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 50 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 22 Емкость, пФ 1540 Заряд затвора, нКл 31 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.93 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 0.3 Емкость, пФ 94 Описание 600V, 0.3A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.23 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*37/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 4000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

биполярный PNP, -100 В, -6 А, hFE 15, TO-220 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -1,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 65 Коэффициент усиления hFE мин. 15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Вес брутто 01.02.1986 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-220 Упаковка 50 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 540 Емкость, пФ 250 Заряд затвора, нКл 6,1 Описание N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время здержки включения/ выключения - 47/ 18 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 10 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,1 Вт Вес брутто 0.37 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*39*39/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT)орпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 49 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 13 Емкость, пФ 1470 Заряд затвора, нКл 63 Диапазон рабочих температур -55+175 С Вес брутто 2.68 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка TUBE, 50 шт. <<

0Вт, 0.029 Ом, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 29 Емкость, пФ 650 Заряд затвора, нКл 33 Описание MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.22 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/8000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 5,2Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Заряд затвора, нКл 48 Описание MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.39 Транспортная упакока: размер/кол-во 58*46*46/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,5 Емкость, пФ 1800 Заряд затвора, нКл 29 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.60 Транспортная упаковка: размер/кол-во 38*29*38/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<