Транзисторы

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 9 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 300 Емкость, пФ 539 Заряд затвора, нКл 15 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.51 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*37/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (PAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Тип Составной транзистор (Дарлингтона) Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальный постоянный ток коллектора, А -5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 2 Коэффициент усиления hFE мин. 1000 Вес брутто 2.98 Корпус TO-220 Упаковка 50 <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 50 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 17 Емкость, пФ 2498 Заряд затвора, нКл 36 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.59 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*23/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 15 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100 Емкость, пФ 890 Заряд затвора, нКл 24 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.50 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 19 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 60 Емкость, пФ 1680 Заряд затвора, нКл 13 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.50 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*40*21.5/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 9,4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 210 Заряд затвора, нКл 25 Описание 100V, 9.4A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения - 4.5/ 32 нс Максиально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 48 Вт Вес брутто 0.62 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,5 Емкость, пФ 1800 Заряд затвора, нКл 29 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.60 Транспортная упаковка: размер/кол-во 38*29*38/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальный постоянный ток коллектора, А 6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 65 Коэффициент усиления hFE мин. 15 Вес брутто 2.91 Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

биполярный NPN, 80 В, 10 А, hFE 60, TO-220 Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 80 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 1 Максимальный постоянный ток коллектора, А 10 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 50 Коэффициент усиления hFE мин. 60 Граничная частота ft, МГц 50 Вес брутто 01.02.1984 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-220 Упаковка 50 <<

биполярный PNP, -80 В, 10 А, hFE 60, TO-220 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -80 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -1 Максимальный постоянный ток коллектора, А 10 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 50 Коэффициент усиления hFE мин. 60 Граничная частота ft, МГц 40 Вес брутто 01.02.1985 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-220 Упаковка 50 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -15 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 11,2 Емкость, пФ 2590 Заряд затвора, нКл 98 Описание MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжние затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.25 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

038, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10, Структура P-FET, <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 4050 Заряд затвора, нКл 39 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.03 Транспортная упаковка: размер/кол-во 54.5*20.2*20.5/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 110 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8 Заряд затвора, нКл 146 Описание 55V, 110A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs)20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 2.83 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 600V, MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.59 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*40*52/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 49 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 13 Емкость, пФ 1470 Заряд затвора, нКл 63 Диапазон рабочих температур -55+175 С Вес брутто 2.68 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 185 Емкость, пФ 440 Заряд затвора, нКл 20 Описание MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержкиключения/ выключения - 35/ 22 нс Мощность рассеиваемая (Pd) - 48 Вт Вес брутто 0.64 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 57 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 23 Заряд затвора, нКл 86,7 Описание 100V, 57A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 Вощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 3.09 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

007, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1.5, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10, Структура P-FET, <<