Транзисторы

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 19 Емкость, пФ 2800 Заряд затвора, нКл 35 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.31 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упакова REEL, 3000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 8,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 18 Емкость, пФ 583 Заряд затвора, нКл 6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.74 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/1000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 30 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 26 Емкость, пФ 1378 Заряд затвора, нКл 12,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.52 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) <<

SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N+P Максимальное напряжение сток-исток, В 25 / -25 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 3,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100 Емкость, пФ 330 Заряд затвора, нКл 27 Описание MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимонапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.23 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 8,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 18 Емкость, пФ 583 Заряд затвора, нКл 6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.31 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 УпаковкаREEL, 3000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 80 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6,8 Емкость, пФ 1160 Заряд затвора, нКл 11,1 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.62 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) КорпусO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости 2P Максимальное напряжение сток-исток, В -20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -4 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 95 Емкость, пФ 325 Заряд затвора, нКл 10,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.32 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 9 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 300 Емкость, пФ 605 Заряд затвора, нКл 19 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*37/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 68 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 10 Емкость, пФ 1204 Заряд затвора, нКл 17,9 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.50 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*40*21.5/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 700 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 900 Емкость, пФ 211 Заряд затвора, нКл 6,8 Описание MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В Диапазон рабочих температур -40+150 С Время задержки включения/ выключения - 58/ 12 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 30,5 Вт Вес брутто 0.60 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 17 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 90 Заряд затвора, нКл 37 Описание 100V, 17A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Моность рассеиваемая (Pd) - 70 Вт Вес брутто 2.81 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 90 Емкость, пФ 3020 Заряд затвора, нКл 44 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.84 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*27.5*28/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<

0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2P Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,9 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 58 Емкость, пФ 710 Заряд затвора, нКл 34 Описание Mosfet Array 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.23 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

IPAK (TO-251) Транзисторы разные Вес брутто 0.74 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/1500 <<

биполярные Тип Составной транзистор (Дарлингтона) Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальный постоянный ток коллектора, А 8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 20 Коэффициент усиления hFE мин. 1000 Вес брутто 0.54 Корпус TO-252 (DPAK) <<

А, 2.0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N+P Максимальное напряжение сток-исток, В 55 / -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,7 / -3,4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 50 Емкость, пФ 740 Заряд затвора, нКл 36 Описание MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.25 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 3,7 Емкость, пФ 4310 Заряд затвора, нКл 51 Описание MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2,32 В Диапазон рабочих температур -55+155 С Максимально допустимое напряжение зтвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 33Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 44 Емкость, пФ 1960 Заряд затвора, нКл 71 Описание MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимоенапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,8 Вт Вес брутто 2.31 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<

1.4 Вт, 0.05 Ом/ 0.1 Ом, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N+P Максимальное напряжение сток-исток, В 30 / -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4 / -3 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 50 / 100 Заряд затвора, нКл 25 Описание 30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1.4 Вт Вес брутто 0.23 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

SOIC-8 Транзисторы разные Вес брутто 0.23 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/4000 <<