Транзисторы

(TO-263) Транзисторы разные Вес брутто 2.31 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/1600 <<

разные Вес брутто 0.22 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/4000 <<

Транзисторы разные Вес брутто 2.90 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*31/3000 <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 550 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2200 Заряд затвора, нКл 12 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка 50 MSL(Уровнь чувствительности к влажности) 1 <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 400 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Заряд затвора, нКл 63 Описание 400V, 10A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Назначение управление силовыми цепями Время задержки включения/ вылючения - 14/ 50 нс Ток утечки непрерывный (Id) - 10 А Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 125 Вт Вес брутто 2.81 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 75V, 80A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+175 С Вес брутто 3.05 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*41*32/10000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220-3 Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А169 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5,3 Емкость, пФ 5480 Заряд затвора, нКл 260 Описание MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально доустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Вес брутто 3.04 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

брутто 2.81 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*54/2000 <<

0Вт, 0.058 Ом, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Описание MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 0.7 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 12 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.23 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*46*46/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзисторы разные Вес брутто 0.73 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*40*52/1500 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -31 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 65 Заряд затвора, нКл 63 Описание 55V, 31A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения - 14/ 39 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 110 Вт Вес брутто 0.64 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<

TO-247-3 Транзисторы разные Вес брутто 7.42 Транспортная упаковка: размер/кол-во 47*45*32/1000 <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Описание MOSFET 400V N-CH HEXFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 36 Вт Вес брутто 2.81 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

полевые Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 180 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5 Емкость, пФ 3699 Заряд затвора, нКл 115 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.99 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*32*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<

TO-247-3 Транзисторы разные Вес брутто 7.40 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*51*51/1000 <<

TO-220AB Транзисторы разные Вес брутто 2.85 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*26*32/1500 <<

TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А79 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,4 Емкость, пФ 2290 Заряд затвора, нКл 69 Описание MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимоеапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 110 Вт Вес брутто 2.96 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. <<

Full Pack Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 800 Максимальный ток стока (при Ta=25C),А 5.2 Емкость, пФ 1138 Описание 800V, 5.2A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 30 Вт Вес брутто 2.55 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*46*36/1000 Способ монтажа Through Hole КорпусTO-220-3 FP Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Емкость, пФ 4500 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+155 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.17 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 230 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 230 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 6 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 1,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А 16 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 180 Коэффициент усиления hFE мин. 35 Коэффициент усиления hFE макс. 160 Граничная частота ft, МГц 15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/375 Вес брутто 01.12.1980 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3P(L) <<