Транзисторы

Всего найдено: 7345 наименований
Показывать по
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF
IRF8788TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 30В, 24А, 2.5Вт, корпус SOIC-8 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 24 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2,8 Емкость, пФ 5720 Заряд затвора, нКл 44 Описание MOSFET MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимоеапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 61.35 руб. Цена от 60 шт.: 63.49 руб. Цена от 20 шт.: 66.94 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 700 шт
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF
IRFR3710ZTRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,100В, 42A, корпус DPAK(TO-252-3) ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.81 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*51*51/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 62.46 руб. Цена от 60 шт.: 64.63 руб. Цена от 20 шт.: 68.14 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK) ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.77 Транспортная упаковка: размер/кол-во 47*45*32/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 63.54 руб. Цена от 60 шт.: 65.75 руб. Цена от 20 шт.: 69.31 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF
IRFH5300TRPBF, транзистор полевой кремниевый N-канальный 30В 40A 3.6Вт Infineon Technologies Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 40 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 1,1 Заряд затвора, нКл 120 Описание 30V, 40A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время задержки включения/ выключения - 31/ 26 нс Максимално допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,6 Вт Вес брутто 0.16 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус PQFN-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 63.54 руб. Цена от 60 шт.: 65.75 руб. Цена от 20 шт.: 69.31 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 800 шт
FDD6637 (DPAK/TO-252) FDD6637 (DPAK/TO-252)
FDD6637, Полевой P-канальный транзистор ON Semiconductor, 35В, 55А, 3.1Вт, корпус DPAK (TO-252AA) ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.68 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/1000 <<
Производитель: ON Semiconductor
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 64.82 руб. Цена от 60 шт.: 67.08 руб. Цена от 20 шт.: 70.71 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 4000 шт
STD3NK50ZT4 (DPAK/TO252) STD3NK50ZT4 (DPAK/TO252)
STD3NK50ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 500В, 2.3A, корпус TO-252 (DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 2,3 Емкость, пФ 280 Заряд затвора, нКл 15 Описание N-Channel 500 V 2.3A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 30 В Мощность рассеиваемая (max) - 45 Вт Вес бруто 0.54 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 66.70 руб. Цена от 60 шт.: 69.02 руб. Цена от 20 шт.: 72.76 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF4905PBF (ТО220AB) IRF4905PBF (ТО220AB)
IRF4905PBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 55В, 74А, 200Вт, корпус TO-220-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -74 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 3400 Заряд затвора, нКл 180 Описание 55V, 74A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 3.07 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*46*35/6000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 68.48 руб. Цена от 60 шт.: 70.85 руб. Цена от 20 шт.: 74.70 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 700 шт
BSP75NHUMA1 BSP75NHUMA1
BSP75NHUMA1, интеллектуальный ключ нижнего плеча Infineon Technologies, 60 В, 0.7 А, 1.8 Вт, Automotive, ...
корпус SOT-223 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 60 V, 0.7 A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -40+150 С Вес брутто 0.27 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 68.50 руб. Цена от 60 шт.: 70.88 руб. Цена от 20 шт.: 74.73 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 3000 шт
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF
IRF7410TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies,12В,16A, 2.5Вт, корпус SOIC-8 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Вес брутто 0.26 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*46*55/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 69.20 руб. Цена от 60 шт.: 71.60 руб. Цена от 20 шт.: 75.49 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
STD10NM60N STD10NM60N
STD10NM60N, Транзистор полевой ST Microelectronics, N-канальный, 600В, 10А, 70Вт, корпус TO-252(DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 600 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Емкость, пФ 550 Заряд затвора, нКл 19 Описание N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 25 В Мощность рассеиваемая (max) - 70 Вт Вес брутто 0.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 69.24 руб. Цена от 60 шт.: 71.66 руб. Цена от 20 шт.: 75.55 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 3000 шт
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1
IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1A, корпус TO-252-3(DPAK) ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.39 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*40*50/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 180 шт.: 72.20 руб. Цена от 40 шт.: 74.71 руб. Цена от 20 шт.: 78.77 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 700 шт
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF
IRFB3307ZPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 75В,120A, 230Вт, корпус TO-220-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 3.04 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*26*32/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 180 шт.: 76.73 руб. Цена от 40 шт.: 79.39 руб. Цена от 20 шт.: 83.71 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 600 шт
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF
IRF7425TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 20В,15A, корпус SOIC-8 Транзисторы ...
разные Вес брутто 0.25 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/2000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 180 шт.: 79.10 руб. Цена от 40 шт.: 81.84 руб. Цена от 20 шт.: 86.29 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 800 шт
IRFB4115PBF IRFB4115PBF
IRFB4115PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 104А, 380Вт, корпус TO- ...
220-3 Транзисторы разные Вес брутто 3.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*40*52/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 160 шт.: 81.56 руб. Цена от 40 шт.: 84.40 руб. Цена от 20 шт.: 88.98 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 400 шт
IRFD320PBF IRFD320PBF
IRFD320PBF, Полевой N-канальный транзистор, 400В, 0.6А, 1.3Вт, 1.8 Ом, корпус DIP-4 Транзисторы полевые ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 400 Емкость, пФ 410 Заряд затвора, нКл 20 Описание MOSFET N-Channel 400 V 490mA Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.73 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*56*53/2500 Способ монтажа Through Hole Корпус DIP-4 (0.300', 7.62mm) Упаковка TUBE, 100 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 160 шт.: 82.07 руб. Цена от 40 шт.: 84.92 руб. Цена от 20 шт.: 89.53 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 700 шт
IRF3415PBF IRF3415PBF
IRF3415PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 43А, 200Вт, корпус TO-220-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 3.00 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 160 шт.: 85.54 руб. Цена от 40 шт.: 88.52 руб. Цена от 20 шт.: 93.32 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF5210PBF (TO-220AB) IRF5210PBF (TO-220AB)
IRF5210PBF, транзистор полевой кремниевый P-канальный 100В 40А 200Вт Infineon Technologies Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -40 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 60 Заряд затвора, нКл 180 Описание 100V, 40A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 ВМощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 3.03 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 160 шт.: 85.86 руб. Цена от 40 шт.: 88.84 руб. Цена от 20 шт.: 93.66 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 4000 шт
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF
IRF7815TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 5,1A, корпус SOIC-8 Транзисторы ...
разные Тип Полевой N-канальный транзистор Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 20 / -20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 5.1 Емкость, пФ 1647 Описание MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 5 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) -2,5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 160 шт.: 87.22 руб. Цена от 40 шт.: 90.25 руб. Цена от 20 шт.: 95.15 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 500 шт
IRLMS1902TRPBF (Micro6/TSOP6) Infineon IRLMS1902TRPBF (Micro6/TSOP6) Infineon
IRLMS1902TRPBF, транзистор N канал 20В 3.2А лог Micro6/TSOP6
Корпус Micro6/TSOP6, Максимальное напряжение ...
сток-исток Uси,В 20, Структура N-канал, <<
Производитель: Infineon
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 1050 шт.: 11.63 руб. Цена от 406 шт.: 11.94 руб. Цена от 105 шт.: 12.13 руб. Цена от 21 шт.: 13.20 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 7 шт
Доступно: < 400 шт
MJD32CQ (TO-252) PNP транзистор, -100В, -3А, MJD32CQ (TO-252) PNP транзистор, -100В, -3А,
PNP силовой транзистор, -100В, -3А, 1.25Вт (TO-252)
Производитель: Yangjie (YJ)
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 1344 шт.: 16.37 руб. Цена от 770 шт.: 16.79 руб. Цена от 196 шт.: 17.23 руб. Цена от 21 шт.: 17.81 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 7 шт
Доступно: < 3000 шт
Показывать по
//
RUB