Транзисторы

Всего найдено: 7734 наименования
Показывать по
IRLR3636TRPBF-VB (TO252) VBSEMI IRLR3636TRPBF-VB (TO252) VBSEMI
Транзистор N-канал, 97A, 60V
Производитель: VBSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 525 шт.: 44.78 руб. Цена от 300 шт.: 45.97 руб. Цена от 75 шт.: 47.16 руб. Цена от 15 шт.: 48.74 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 15 шт
Доступно: < 3000 шт
2SC5353 2SC5353
Транзисторы биполярные (BJTs)
Производитель: ISC
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 460 шт.: 40.23 руб. Цена от 92 шт.: 42.36 руб. Цена от 37 шт.: 43.07 руб. Цена от 15 шт.: 49.53 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Доступно: < 300 шт
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF
Транзисторы
Производитель: Infineon
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 100 шт.: 45.09 руб. Цена от 45 шт.: 46.97 руб. Цена от 18 шт.: 48.94 руб. Цена от 15 шт.: 50.97 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Доступно: < 80 шт
КТ972А КТ972А
Транзисторы биполярные (BJTs)
Производитель: Интеграл
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 100 шт.: 45.92 руб. Цена от 45 шт.: 47.84 руб. Цена от 18 шт.: 49.85 руб. Цена от 15 шт.: 51.91 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Доступно: < 300 шт
WMO18N50C4 N-Channel SJ-MOS C4 500V WMO18N50C4 N-Channel SJ-MOS C4 500V
Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500В
Производитель: WAYON
Цена от 525 шт.: 51.22 руб. Цена от 210 шт.: 52.57 руб. Цена от 60 шт.: 53.94 руб. Цена от 15 шт.: 55.74 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 15 шт
Доступно: < 2000 шт
IRL540NPBF IRL540NPBF
IRL540NPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 100В, 36А, 140Вт, 0.044 Ом, корпус ...
TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 36 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 44 Емкость, пФ 1800 Описание MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 140 Вт Вес брутто 2.82 Транспортная упаковка: размер/кол-во 63*44*44/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 165 шт.: 75.02 руб. Цена от 45 шт.: 77.63 руб. Цена от 15 шт.: 85.06 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 15 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF
IRF3205STRLPBF, транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 110А, 200Вт, корпус TO-263-3( ...
D2Pak) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 110 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8 Заряд затвора, нКл 146 Описание 55V, 110A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвористок (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 2.34 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 165 шт.: 75.61 руб. Цена от 45 шт.: 78.25 руб. Цена от 15 шт.: 85.72 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 15 шт
Доступно: < 70 шт
PBSS5540Z,115 (SC-73) NXP PBSS5540Z,115 (SC-73) NXP
TRANS PNP 40V 5A SOT223
Производитель: NEX
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 3600 шт.: 12.48 руб. Цена от 1800 шт.: 12.71 руб. Цена от 555 шт.: 19.60 руб. Цена от 15 шт.: 98.02 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-8 недель
Ставрополь: 6-8 недель
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: > 10000 шт
IRF7341TRPBF-VB (SO8) IRF7341TRPBF-VB (SO8)
Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET
Производитель: VBSEMI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 528 шт.: 28.12 руб. Цена от 80 шт.: 28.84 руб. Цена от 16 шт.: 29.81 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 8 шт
Доступно: > 10000 шт
BD682 BD682
Транзисторы биполярные (BJTs)
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 480 шт.: 38.47 руб. Цена от 96 шт.: 40.52 руб. Цена от 39 шт.: 41.19 руб. Цена от 16 шт.: 47.37 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Доступно: < 300 шт
IRF7416TRPBF (SO8) IRF7416TRPBF (SO8)
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Производитель: Infineon
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 480 шт.: 38.54 руб. Цена от 96 шт.: 40.58 руб. Цена от 39 шт.: 41.27 руб. Цена от 16 шт.: 47.46 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Доступно: < 4000 шт
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF
Транзисторы полевые (FETs MOSFETs)
Производитель: Infineon
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 100 шт.: 42.12 руб. Цена от 45 шт.: 43.87 руб. Цена от 18 шт.: 45.72 руб. Цена от 16 шт.: 47.61 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Доступно: < 40 шт
IRFP064NPBF (TO247AC) IRFP064NPBF (TO247AC)
IRFP064NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 55В, 110А, 200Вт, 0.008 Ом, корпус ...
TO-247-3 Транзисторы разные Вес брутто 7.42 Транспортная упаковка: размер/кол-во 47*45*32/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 232 шт.: 55.15 руб. Цена от 56 шт.: 57.06 руб. Цена от 32 шт.: 60.15 руб. Цена от 16 шт.: 66.17 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 2-3 нед.
Ставрополь: 2-3 нед.
Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF710PBF IRF710PBF
IRF710PBF, Транзистор полевой VISHAY, N-канальный, 400В, 2А, 36Вт, корпус TO-220-3 Транзисторы разные ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Описание MOSFET 400V N-CH HEXFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 36 Вт Вес брутто 2.96 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 232 шт.: 56.06 руб. Цена от 56 шт.: 58.01 руб. Цена от 32 шт.: 61.16 руб. Цена от 16 шт.: 67.28 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 2000 шт
STP75NF75 STP75NF75
STP75NF75, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 80А, 75В, корпус TO-220-3 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 75V, 80A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+175 С Вес брутто 3.05 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*41*32/10000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220-3 Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 232 шт.: 57.42 руб. Цена от 56 шт.: 59.42 руб. Цена от 32 шт.: 62.64 руб. Цена от 16 шт.: 68.91 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF1405PBF IRF1405PBF
IRF1405PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 133А, 200Вт, 0.005 Ом, корпус ...
TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А169 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5,3 Емкость, пФ 5480 Заряд затвора, нКл 260 Описание MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально доустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Вес брутто 3.04 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 232 шт.: 58.75 руб. Цена от 56 шт.: 60.80 руб. Цена от 32 шт.: 64.09 руб. Цена от 16 шт.: 70.50 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 500 шт
IRFP150NPBF IRFP150NPBF
IRFP150NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 39А, 140Вт, 0.036 Ом, корпус ...
TO-247-3 Транзисторы разные Вес брутто 7.40 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*51*51/1000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 232 шт.: 59.28 руб. Цена от 56 шт.: 61.34 руб. Цена от 32 шт.: 64.67 руб. Цена от 16 шт.: 71.14 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 900 шт
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF
IRLZ44NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,55В, 47А, 83Вт, 0.022 Ом, корпус ...
TO-220AB Транзисторы разные Вес брутто 2.85 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*26*32/1500 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 60.23 руб. Цена от 56 шт.: 62.32 руб. Цена от 32 шт.: 65.71 руб. Цена от 16 шт.: 72.28 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF1018EPBF (TO220AB) IRF1018EPBF (TO220AB)
IRF1018EPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 60В, 79А, 110Вт, 0.0071 Ом, корпус ...
TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А79 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,4 Емкость, пФ 2290 Заряд затвора, нКл 69 Описание MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимоеапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 110 Вт Вес брутто 2.96 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 200 шт.: 60.71 руб. Цена от 56 шт.: 62.83 руб. Цена от 32 шт.: 66.23 руб. Цена от 16 шт.: 72.86 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 800 шт
IRFBG30PBF IRFBG30PBF
IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3 Транзисторы разные ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 1000 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5 Емкость, пФ 980Заряд затвора, нКл 80 Описание MOSFET 1000V N-CH HEXFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 125 Вт Вес брутто 2.82 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220AB Упаковка TUBE, 1000 шт. <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 176 шт.: 78.10 руб. Цена от 56 шт.: 80.81 руб. Цена от 32 шт.: 82.43 руб. Цена от 16 шт.: 90.67 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 2000 шт
Показывать по