Микросхемы

входным сигналом +- 50 мВ (полная шкала +- 64 мВ) или +- 250 мВ (полная шкала +- 320 мВ). Функция отказоустойчивости включает обнаружение входного синфазного перенапряжения и обнаружение отсутствия VDD1, что упрощает проектирование и диагностику системы.
Напряжение изоляции до 5000 В (среднеквадратичное значение) Линейный диапазон напряжения питания +- 250 мВ Фиксированное усиление: 8 Низкая погрешность смещения и температурный дрейф: +-0,5 мВ (макс.), -4?4 мкВ/°C (макс.) Ошибка низкого коэффициента усиления и температурный дрейф: +-0,3% (макс.), +-50ppm/°C (макс.) Низкая нелинейность и температурный дрейф: +-0,03% (макс.), +-1ppm/°C (тип.) SNR: 86 дБ (тип., BW = 10 кГц), 72 дБ (тип., BW = 100 кГц) Полоса пропускания: 100 кГц (тип.) Высокий CMTI: 150 кВ/нас (тип.) Функции диагностики на уровне системы: Мониторинг VDD1 Обнаружение перенапряжения в синфазном режиме на входе Рабочая температура: от -40°C до 125°C Комплектация, соответствующая требованиям RoHS: Корпус: SOP8 (300) и DUB8 <<

способные функционировать в диапазоне от 4,5 В до 36 В при использовании одного источника питания или от ±2,25 В до ±18 В при использовании двух источников питания. Эти устройства обеспечивают работу в режиме «rail-to-rail».
SGM8249 -1 характеризуются низким напряжением смещения менее 10 мкВ и низким током смещения. Эти особенности делают их подходящими для использования в таких областях, как измерение температуры, давления и положения, а также в тензометрических усилителях и медицинском оборудовании. Они также могут быть использованы в любых других приложениях, где требуется точность и долговременная стабильность при напряжении от 4,5 В до 36 В. <<