Транзисторы импортные

Всего найдено: 6690 наименований
Показывать по
MG75HF12TLC1 YJ MG75HF12TLC1 YJ
Модуль полумостовой IGBT 1200В 75А
Производитель: YangJie
Цена от 7 шт.: 2740.34 руб. Цена от 4 шт.: 2862.69 руб. Цена от 2 шт.: 3034.02 руб. Цена от 1 шт.: 3156.61 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 100 шт
GD150HFX65C1S IGBT модуль Starpower GD150HFX65C1S IGBT модуль Starpower
IGBT силовой транзисторный модуль сдвоенный, 650В 180А, сверхнизкие потери.
Производитель: Starpower
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 4 шт.: 2839.95 руб. Цена от 3 шт.: 2956.55 руб. Цена от 2 шт.: 3030.84 руб. Цена от 1 шт.: 3107.98 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 5 шт
MGC50D12A1-251H3 TechSem MGC50D12A1-251H3 TechSem
Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
Производитель: TechSem
Цена от 5 шт.: 2843.60 руб. Цена от 3 шт.: 3002.21 руб. Цена от 2 шт.: 3032.35 руб. Цена от 1 шт.: 3057.70 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 1 шт
PS11032, IGBT модуль 0.2кВт 220В 1/3 фаз PS11032, IGBT модуль 0.2кВт 220В 1/3 фаз
Драйвер управления встроенный, Защита от короткого замыкания есть, Защита от перегрева есть, Защита ...
от пониженного напряжения питания есть, Защита по току есть, Макс.напр.к-э,В 220, Максимальная частота модуляции,кГц 20, Мощность привода, кВт 0.2, Напряжение изоляции, В 2500, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.9, Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост, Температурный диапазон,С -20...125, Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM, <<
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 14 шт.: 2845.26 руб. Цена от 8 шт.: 2896.53 руб. Цена от 1 шт.: 3050.33 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 2 шт
BG150B12UY4-I BYD BG150B12UY4-I BYD
Производитель: BYD
Цена от 7 шт.: 2940.04 руб. Цена от 1 шт.: 3045.04 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 20 шт
GD100HFY120C1S модуль IGBT STARPOWER GD100HFY120C1S модуль IGBT STARPOWER
Модуль, Half Bridge, 1200V, 100A, C1.0, альтернатива для CM100DY-24T
Производитель: STARPOWER
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 14 шт.: 2701.86 руб. Цена от 8 шт.: 2750.53 руб. Цена от 2 шт.: 2896.58 руб. Цена от 1 шт.: 2955.77 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 1 шт
IPW65R019C7FKSA1 INF IPW65R019C7FKSA1 INF
Полевой транзистор
Производитель: INF
Цена от 8 шт.: 2523.94 руб. Цена от 4 шт.: 2639.00 руб. Цена от 2 шт.: 2798.29 руб. Цена от 1 шт.: 2912.99 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 70 шт
GD100HFY120C1S Starpower GD100HFY120C1S Starpower
IGBT модуль 1200В 155А 511Вт 150°С
Производитель: Starpower
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 7 шт.: 2421.52 руб. Цена от 3 шт.: 2617.71 руб. Цена от 2 шт.: 2720.88 руб. Цена от 1 шт.: 2847.55 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 30 шт
UF3C065040T3S ONSEMI UF3C065040T3S ONSEMI
SiC транзистор
Производитель: ON Semiconductor
Цена от 8 шт.: 2728.89 руб. Цена от 1 шт.: 2826.34 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 6 шт
GD75HFY120C1S STARPWR GD75HFY120C1S STARPWR
Производитель: STARPWR
Цена от 8 шт.: 2510.08 руб. Цена от 3 шт.: 2713.11 руб. Цена от 2 шт.: 2745.81 руб. Цена от 1 шт.: 2809.51 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 30 шт
GD150HFX65C1S STARPWR GD150HFX65C1S STARPWR
IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 650 В, 150 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ...
устойчивость к короткому замыканию. <<
Производитель: STARPWR
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 2620.70 руб. Цена от 1 шт.: 2714.30 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 200 шт
AFT05MS031NR1 (TO-270-2) NXP AFT05MS031NR1 (TO-270-2) NXP
Транзистор полевой FET вымокочастотный 40В 520МГц TO-270-2
Производитель: NXP
Цена от 7 шт.: 2296.61 руб. Цена от 3 шт.: 2483.88 руб. Цена от 2 шт.: 2582.68 руб. Цена от 1 шт.: 2703.95 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 2 шт
IPW60R041C6FKSA1, транзистор 600В TO-247 Infi IPW60R041C6FKSA1, транзистор 600В TO-247 Infi
Производитель: Infineon
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 2566.75 руб. Цена от 1 шт.: 2703.04 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 2000 шт
GD25FFK120C5SP Stavpower GD25FFK120C5SP Stavpower
Производитель: STARPWR
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 2574.29 руб. Цена от 1 шт.: 2666.23 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 200 шт
P3M12025K4 (TO247) PN JUNCTION P3M12025K4 (TO247) PN JUNCTION
SiC MOSFET Полярность: N-Channel, V(br)dss: 1200 В, Rds(on): 25 мОм, Qrr: 172 нКл, I d: 80 А, Корпус: TO-247-3.
Производитель: PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 2573.66 руб. Цена от 1 шт.: 2665.57 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 1 шт
GD100HFX170C1S Starpower GD100HFX170C1S Starpower
GD100HFX170C1S, IGBTмодуль, Low Loss, замена для SKM100GB17E4, аналог CM100DY-34A, SKM145GB176D.
Производитель: Starpower
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 2420.59 руб. Цена от 3 шт.: 2577.32 руб. Цена от 2 шт.: 2607.49 руб. Цена от 1 шт.: 2632.10 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 1 шт
SCT30N120 (HiP247[тм]) STM SCT30N120 (HiP247[тм]) STM
Полевой транзистор N-канальный 1200В 45A HIP247
Производитель: STM
Цена от 8 шт.: 2191.14 руб. Цена от 3 шт.: 2370.77 руб. Цена от 2 шт.: 2465.76 руб. Цена от 1 шт.: 2582.40 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 80 шт
MGC75D12A1-251H3 TechSem MGC75D12A1-251H3 TechSem
Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В
Производитель: TechSem
Цена от 5 шт.: 2297.95 руб. Цена от 3 шт.: 2427.97 руб. Цена от 2 шт.: 2452.94 руб. Цена от 1 шт.: 2473.91 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 1 шт
2SK1058 (TO3P) SANYO 2SK1058 (TO3P) SANYO
N-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SJ162)
Производитель: Renesas
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 2181.52 руб. Цена от 3 шт.: 2296.84 руб. Цена от 2 шт.: 2378.64 руб. Цена от 1 шт.: 2465.49 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
MG25P12E1 YangJie MG25P12E1 YangJie
IGBT Modules 3x 25A, 1200 V
Производитель: YangJie
Цена от 8 шт.: 2081.03 руб. Цена от 3 шт.: 2252.22 руб. Цена от 2 шт.: 2342.89 руб. Цена от 1 шт.: 2454.18 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 8 шт
Показывать по
//
RUB