|
Каталог- Микросхемы
- Транзисторы
- Тиристоры
- Диоды
- Стабилитроны и Ограничители
- Резисторы
- Конденсаторы
- Резонаторы и генераторы
- Дроссели, фильтры, ферриты, трансформаторы
- Коммутация
- Реле и оптоприборы (оптроны)
- Соединители и панельки
- Разъемы импортные
- Разъемы отечественные
- Панельки
- ZIF-панельки (с нулевым усилием)
- Телефонные и Ethernet (RJ45) разъемы
- ВЧ разъемы
- Разъемы аудио, видео, ТВ
- Разъемы интерфейсные (DSUB, USB, IEEE1394)
- Разъемы на плоский кабель IDC, DIN41612, краевые
- Разъемы питания и силовые разъемы
- Разъемы цилиндрические
- Штыревые разьемы и джамперы
- Зажимы (крокодилы, скотчлоки и прочие)
- Клеммники
- Барьерные и соединительные клеммы
- Клеммы и наконечники
- Держатели SIM и карт памяти
- Разъемы герметичные
- Автомобильные Разъемы
- Устройства защиты
- Датчики
- Светотехника
- Светодиоды выводные
- SMD светодиоды
- Светодиоды в корпусе и LED лампы
- Мощные светодиоды
- Держатели светодиодов
- Светодиодные ленты и аксессуары к ним
- Источники питания и драйвера для LED
- Индикаторы светодиодные
- Индикаторы ЖКИ
- Светодиоды, индикаторы импортные (общий)
- Светодиоды, индикаторы отечественные (общий)
- Лампочки, декоративное освещение и радиолампы
- Лампы неоновые и накаливания
- Акустические компоненты
- Установочные изделия
- Беспроводная передача информации (GSM, GPS, Bluetooth, Zigbee, Wi-Fi и прочее)
- Электротехника
- Провода, кабели и аксессуары
- Провода, кабели, шнуры, термоусадочные трубки и аксессуары (общий)
- Трубки термоусадочные
- Стяжки, площадки, скобы, маркировка
- Шнуры сетевые и автошнуры
- Шнуры компьютерные и для мобильных устройств
- Шнуры телефонные
- Шнуры аудио-видео и высокочастотные
- Шлейфы (кабель плоский)
- Провода монтажные
- Кабельные вводы и втулки
- Приборы
- Средства разработки
- Паяльное оборудование
- Монтажный инструмент
- Инструменты и осветители
- Кассетницы, ячейки
- Клеевые пистолеты и аксессуары
- Кримперы, стрипперы, пресс-клещи
- Кусачки, бокорезы
- Линзы, лупы, штативы для плат и освещение
- Микроскопы
- Наборы инструментов
- Отвертки, ключи
- Пинцеты, зажимы, экстракторы
- Плоскогубцы, длинногубцы, щипцы
- Сверла, дрели и абразивный инструмент
- Скальпели, ножи и ножницы
- Слесарный инструмент
- Сумки, чемоданы для инструмента
- Тиски
- Источники питания
- Для хобби, творчества и дома
Транзисторы импортные
Всего найдено: 7100 наименований
 |
STP9NK50ZFP
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 560 шт.: 33.57 руб. Цена от 110 шт.: 35.35 руб. Цена от 45 шт.: 35.95 руб. Цена от 18 шт.: 41.34 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней Ставрополь: 10-15 раб.дней Доступно: < 200 шт
|
 |
IRFR024NTRPBF (DPAK) IR
IRFR024NTRPBF, транзистор (IRFR020,IRFR024) N канал 55В 17А DPak
полевой транзистор N-канальный MOSFET, 55 В, 17 А
Производитель: INFINEON
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 702 шт.: 17.77 руб. Цена от 402 шт.: 18.23 руб. Цена от 102 шт.: 18.54 руб. Цена от 18 шт.: 19.09 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Кратность заказа: 6 шт
Доступно: < 30 шт
|
 |
IRLML5103TRPBF (Micro3/SOT23) IR
IRLML5103TRPBF, [Micro3/SOT23] транзистор P канал30В -0.76А лог Micro3/SOT23
Корпус Micro3/SOT23, ... Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -0.76, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 600, Структура P-канал, Pкан -30В-0.76А << Производитель: Infineon
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 702 шт.: 14.36 руб. Цена от 402 шт.: 14.73 руб. Цена от 102 шт.: 14.99 руб. Цена от 18 шт.: 15.23 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Кратность заказа: 6 шт
Доступно: > 10000 шт
|
|
IRLML0100TRPBF (Micro3/SOT23) IR
IRLML0100TRPBF, транзистор N канал 100В 1.6А Micro3/SOT23
Производитель: Infineon
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 1050 шт.: 13.93 руб. Цена от 402 шт.: 14.28 руб. Цена от 102 шт.: 14.53 руб. Цена от 18 шт.: 14.77 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Кратность заказа: 6 шт
Доступно: < 3000 шт
|
 |
20N50
20N50 HXY полевой транзистор (MOSFET) , N-канал, 500 В, 20 А, 300 мОм, 63 нКл, TO-220F Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 300 Емкость, пФ 2864 Заряд затвора, нКл 63 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.80 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*35*14/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F Упаковка TUBE, 50 шт. << Производитель: HXY
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 187 шт.: 69.14 руб. Цена от 51 шт.: 71.55 руб. Цена от 17 шт.: 78.38 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 17 шт
Доступно: < 900 шт
|
 |
FQD7N20LTM
Транзисторы полевые (FETs MOSFETs)
Производитель: ONS-FAIR
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 530 шт.: 35.13 руб. Цена от 110 шт.: 36.99 руб. Цена от 43 шт.: 37.62 руб. Цена от 17 шт.: 43.27 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней Ставрополь: 10-15 раб.дней Доступно: < 3000 шт
|
 |
IRF7313TRPBF-VB (SO8) VBSEMI
IRF7313TRPBF-VB, транзистор 2N канал 30В 6.5А (SO8)= IRF7313TRPBF.
Производитель: VBSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 2108 шт.: 24.57 руб. Цена от 1207 шт.: 26.18 руб. Цена от 306 шт.: 27.79 руб. Цена от 17 шт.: 33.96 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Кратность заказа: 17 шт
Доступно: < 8000 шт
|
 |
IRFP4368PBF
IRFP4368PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,75В, 195А, 520Вт, корпус TO-247AC ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 75 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 195 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1,46 Заряд затвора, нКл 380 Описание 75V, 195A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 520 Вт Вес брутто 8.12 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247AC Упаковка TUBE, 25 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 128 шт.: 97.61 руб. Цена от 56 шт.: 101.00 руб. Цена от 32 шт.: 103.03 руб. Цена от 16 шт.: 113.33 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-5 нед. Ставрополь: 4-5 нед. Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 2000 шт
|
 |
IRF5210PBF (TO-220AB)
IRF5210PBF, транзистор полевой кремниевый P-канальный 100В 40А 200Вт Infineon Technologies Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -40 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 60 Заряд затвора, нКл 180 Описание 100V, 40A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 ВМощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 3.03 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 152 шт.: 83.76 руб. Цена от 56 шт.: 86.67 руб. Цена от 32 шт.: 88.40 руб. Цена от 16 шт.: 97.24 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 3000 шт
|
 |
IRF7842TRPBF
IRF7842TRPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 18А, 2.5Вт, корпус SOIC-8 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Емкость, пФ 4500 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+155 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.17 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 152 шт.: 78.61 руб. Цена от 56 шт.: 81.34 руб. Цена от 32 шт.: 82.97 руб. Цена от 16 шт.: 91.27 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 900 шт
|
|
IRFBG30PBF
IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3 Транзисторы разные ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 1000 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5 Емкость, пФ 980Заряд затвора, нКл 80 Описание MOSFET 1000V N-CH HEXFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 125 Вт Вес брутто 2.82 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220AB Упаковка TUBE, 1000 шт. << Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 176 шт.: 78.10 руб. Цена от 56 шт.: 80.81 руб. Цена от 32 шт.: 82.43 руб. Цена от 16 шт.: 90.67 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 2000 шт
|
|
IRF1018EPBF (TO220AB)
IRF1018EPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 60В, 79А, 110Вт, 0.0071 Ом, корпус ...
TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А79 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,4 Емкость, пФ 2290 Заряд затвора, нКл 69 Описание MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимоеапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 110 Вт Вес брутто 2.96 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 200 шт.: 60.71 руб. Цена от 56 шт.: 62.83 руб. Цена от 32 шт.: 66.23 руб. Цена от 16 шт.: 72.86 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 800 шт
|
|
IRLZ44NPBF
IRLZ44NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,55В, 47А, 83Вт, 0.022 Ом, корпус ...
TO-220AB Транзисторы разные Вес брутто 2.85 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*26*32/1500 << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 200 шт.: 60.23 руб. Цена от 56 шт.: 62.32 руб. Цена от 32 шт.: 65.71 руб. Цена от 16 шт.: 72.28 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 2000 шт
|
|
IRFP150NPBF
IRFP150NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 39А, 140Вт, 0.036 Ом, корпус ...
TO-247-3 Транзисторы разные Вес брутто 7.40 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*51*51/1000 << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 232 шт.: 59.28 руб. Цена от 56 шт.: 61.34 руб. Цена от 32 шт.: 64.67 руб. Цена от 16 шт.: 71.14 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 900 шт
|
 |
IRF1405PBF
IRF1405PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 133А, 200Вт, 0.005 Ом, корпус ...
TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А169 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5,3 Емкость, пФ 5480 Заряд затвора, нКл 260 Описание MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально доустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Вес брутто 3.04 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 232 шт.: 58.75 руб. Цена от 56 шт.: 60.80 руб. Цена от 32 шт.: 64.09 руб. Цена от 16 шт.: 70.50 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 500 шт
|
|
IRF710PBF
IRF710PBF, Транзистор полевой VISHAY, N-канальный, 400В, 2А, 36Вт, корпус TO-220-3 Транзисторы разные ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Описание MOSFET 400V N-CH HEXFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 36 Вт Вес брутто 2.96 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. << Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 232 шт.: 56.06 руб. Цена от 56 шт.: 58.01 руб. Цена от 32 шт.: 61.16 руб. Цена от 16 шт.: 67.28 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 8 шт
Доступно: < 2000 шт
|
 |
BSP89
Транзисторы
Производитель: NXP(Philips)
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 490 шт.: 37.96 руб. Цена от 99 шт.: 39.97 руб. Цена от 40 шт.: 40.66 руб. Цена от 16 шт.: 46.76 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней Ставрополь: 10-15 раб.дней Доступно: < 3000 шт
|
|
IRL540NPBF
IRL540NPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 100В, 36А, 140Вт, 0.044 Ом, корпус ...
TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 36 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 44 Емкость, пФ 1800 Описание MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 140 Вт Вес брутто 2.82 Транспортная упаковка: размер/кол-во 63*44*44/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 165 шт.: 75.02 руб. Цена от 45 шт.: 77.63 руб. Цена от 15 шт.: 85.06 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 15 шт
Доступно: < 900 шт
|
 |
IRLR3636TRPBF-VB (TO252) VBSEMI
Транзистор N-канал, 97A, 60V
Производитель: VBSEMI
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 795 шт.: 64.03 руб. Цена от 300 шт.: 65.18 руб. Цена от 75 шт.: 68.64 руб. Цена от 15 шт.: 81.69 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Кратность заказа: 15 шт
Доступно: < 3000 шт
|
 |
IRF3205STRLPBF
IRF3205STRLPBF, транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 110А, 200Вт, корпус TO-263-3( ...
D2Pak) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 110 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8 Заряд затвора, нКл 146 Описание 55V, 110A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвористок (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 2.34 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. << Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
|
Цена от 270 шт.: 47.11 руб. Цена от 75 шт.: 48.76 руб. Цена от 15 шт.: 55.59 руб. |
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Кратность заказа: 15 шт
Доступно: < 800 шт
|
|
|
|
© 1997- Elsin.ru | |
Сделано в BondSoft.ru, 2012