Транзисторы импортные

разные Вес брутто 0.25 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/2000 <<

Транзисторы разные Вес брутто 3.04 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*26*32/1000 <<

Транзисторы разные Вес брутто 0.39 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*40*50/1000 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 600 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Емкость, пФ 550 Заряд затвора, нКл 19 Описание N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 25 В Мощность рассеиваемая (max) - 70 Вт Вес брутто 0.56 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Вес брутто 0.26 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*46*55/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

корпус SOT-223 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание 60 V, 0.7 A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -40+150 С Вес брутто 0.27 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 2,3 Емкость, пФ 280 Заряд затвора, нКл 15 Описание N-Channel 500 V 2.3A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 30 В Мощность рассеиваемая (max) - 45 Вт Вес бруто 0.54 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

Транзисторы разные Вес брутто 0.68 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/1000 <<

Транзисторы разные Вес брутто 0.65 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*51*51/2000 <<

Транзисторы разные Вес брутто 0.77 Транспортная упаковка: размер/кол-во 47*45*32/1000 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 40 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 1,1 Заряд затвора, нКл 120 Описание 30V, 40A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время задержки включения/ выключения - 31/ 26 нс Максимално допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,6 Вт Вес брутто 0.16 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус PQFN-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзисторы разные Вес брутто 0.81 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*51*51/1000 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 24 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2,8 Емкость, пФ 5720 Заряд затвора, нКл 44 Описание MOSFET MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимоеапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзистор биполярный PNP, -180 В, -15 А, hFE 50180, TO-3PN Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -180 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -180 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -6 Максимальный постоянный ток коллектора, А -15 Коэффициент усиления hFE мин. 50 Коэффициент усиления hFE макс. 180 Граничная частота ft, МГц 20 Вес брутто 01.07.1955 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3PN Упаковка 30 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 650 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 16 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 620 Емкость, пФ 2747 Заряд затвора, нКл 62 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.04 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*21*19/2000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F <<

Транзисторы разные Вес брутто 0.51 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*39/2000 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм13,4 Емкость, пФ 960 Заряд затвора, нКл 11 Описание Mosfet Array 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2.55В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 ВМощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.12 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -10,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 15 Заряд затвора, нКл 73 Описание 40V, 10.5A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs)0 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2.5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 110 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6 Емкость, пФ 2699 Заряд затвора, нКл 115 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.96 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

(D2PAK) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 17,5 Емкость, пФ 3968 Заряд затвора, нКл 146 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.32 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*39/1600 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<