Транзисторы импортные

корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,9 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 50 Емкость, пФ 520 Заряд затвора, нКл 25 Описание MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.23 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8Упаковка REEL, 4000 шт. <<

0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -3,4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 105 Емкость, пФ 690 Заряд затвора, нКл 38 Описание MOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.18 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*45*44/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

биполярные Тип Составной транзистор (Дарлингтона) Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальный постоянный ток коллектора, А 8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 20 Коэффициент усиления hFE мин. 1000 Вес брутто 0.54 Корпус TO-252 (DPAK) <<

Транзисторы разные Вес брутто 2.90 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*31/3000 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 3,7 Емкость, пФ 4310 Заряд затвора, нКл 51 Описание MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2,32 В Диапазон рабочих температур -55+155 С Максимально допустимое напряжение зтвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 80 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,3 Емкость, пФ 2680 Заряд затвора, нКл 45 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.66 Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*22/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -17 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 86 Емкость, пФ 1135 Заряд затвора, нКл 22,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.06 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

1.4 Вт, 0.05 Ом/ 0.1 Ом, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N+P Максимальное напряжение сток-исток, В 30 / -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4 / -3 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 50 / 100 Заряд затвора, нКл 25 Описание 30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1.4 Вт Вес брутто 0.23 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзисторы разные Вес брутто 0.12 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/1000 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 33 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 38 Емкость, пФ 1331 Заряд затвора, нКл 53 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.04 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*37/1600 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263(D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<

(TO-263) Транзисторы разные Вес брутто 2.31 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/1600 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 1700 Заряд затвора, нКл 92 Описание MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимоенапряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.24 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 9,7 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,5 Заряд затвора, нКл 6 Описание 30V, 9.7A 2N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.22 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 42 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Емкость, пФ 1700 Заряд затвора, нКл 48 Описание MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения - 84/ 15 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 69 Вт Вес брутто 0.65 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) <<

(DPAK) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 36 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 1000 Заряд затвора, нКл 16,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.50 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*40*21.5/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 36 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 1000 Заряд затвора, нКл 16,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.60 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 44 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 27 Емкость, пФ 1300 Заряд затвора, нКл 65 Описание MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустмое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 107 Вт Вес брутто 0.62 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<

SOIC-8 Транзисторы разные Вес брутто 0.23 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/4000 <<

ток стока (при Ta=25C), А -9,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 18 Емкость, пФ 2940 Заряд затвора, нКл 63 Вес брутто 0.24 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 700 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 900 Емкость, пФ 211 Заряд затвора, нКл 6,8 Описание MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В Диапазон рабочих температур -40+150 С Время задержки включения/ выключения - 58/ 12 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 30,5 Вт Вес брутто 0.60 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<