Транзисторы импортные

Всего найдено: 6672 наименования
Показывать по
STP60NF06 STP60NF06
STP60NF06FP JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 60 А, 22 мОм, TO-220F Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 22 Емкость, пФ 1489 Заряд затвора, нКл 60 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.04 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 360 шт.: 37.39 руб. Цена от 100 шт.: 38.68 руб. Цена от 20 шт.: 44.11 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 800 шт
IRF1010E IRF1010E
IRF1010E JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 7.5 мОм, TO-220 Транзисторы полевые ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 85 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 7,5 Емкость, пФ 3091 Заряд затвора, нКл 72 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.92 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*33*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 360 шт.: 38.03 руб. Цена от 100 шт.: 39.36 руб. Цена от 20 шт.: 44.87 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IPD068P03 IPD068P03
IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -80 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,8 Емкость, пФ 4320 Заряд затвора, нКл 45 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.60 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус T-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 340 шт.: 39.25 руб. Цена от 80 шт.: 40.62 руб. Цена от 20 шт.: 46.31 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 3000 шт
HXY12N65 (TO220FP) HXY12N65 (TO220FP)
12N65, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 650 В, 12 А, 0.8 Ом, 40 нКл, корпус TO-220F Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 650 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 12 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 800 Емкость, пФ 1993 Заряд затвора, нКл 40 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.01 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*21*19/1000 Корпус TO-220F Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 320 шт.: 40.53 руб. Цена от 80 шт.: 41.94 руб. Цена от 20 шт.: 47.83 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
STN1HNK60 STN1HNK60
STN1HNK60, Транзистор ST Microelectronics полевой N-канальный, 600В, 0.4А, 3.3Вт, корпус SOT-223 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 0.4 Емкость, пФ 156 Описание 600V, 0.4A N-Channel MOSFET Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.25 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*37/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 4000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 320 шт.: 40.80 руб. Цена от 80 шт.: 42.22 руб. Цена от 20 шт.: 48.13 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 4000 шт
IRLR2908 IRLR2908
IRLR2908TRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 80 В, 45 А, 20 мОм, TO-252 (DPAK) Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 80 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 45 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 760 Заряд затвора, нКл 12 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.48 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 320 шт.: 40.99 руб. Цена от 80 шт.: 42.41 руб. Цена от 20 шт.: 48.36 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 3000 шт
STD15NF10 STD15NF10
STD15NF10 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 39 А, 20 мОм, 16.2 нКл, TO- 252 (DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 36 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 1000 Заряд затвора, нКл 16,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.48 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 320 шт.: 40.99 руб. Цена от 80 шт.: 42.41 руб. Цена от 20 шт.: 48.36 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 3000 шт
IRF3710S (D2PAK) IRF3710S (D2PAK)
IRF3710STRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 60 А, 17.5 мОм, 146 нКл, TO-263 ...
(D2PAK) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 17,5 Емкость, пФ 3968 Заряд затвора, нКл 146 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.32 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*39/1600 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 280 шт.: 47.86 руб. Цена от 80 шт.: 49.52 руб. Цена от 20 шт.: 56.46 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IRLR7843 IRLR7843
IRLR7843TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 120 А, 3.8 мОм, 20.6 нКл, TO-252 (DPAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 120 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 3,8 Емкость, пФ 2485 Заряд затвора, нКл 20,6 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.58 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) КорпусTO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 280 шт.: 49.56 руб. Цена от 80 шт.: 51.28 руб. Цена от 20 шт.: 58.47 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 3000 шт
IRF4905PBF (ТО220AB) IRF4905PBF (ТО220AB)
IRF4905PBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 55В, 74А, 200Вт, корпус TO-220-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -74 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 3400 Заряд затвора, нКл 180 Описание 55V, 74A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 3.07 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*46*35/6000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 260 шт.: 50.81 руб. Цена от 60 шт.: 52.58 руб. Цена от 20 шт.: 59.94 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IRFB4110PBF (TO-220AB) IRFB4110PBF (TO-220AB)
IRFB4110PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 120А, корпус TO- 220AB Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 120 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 4,5 Емкость, пФ 9620 Заряд затвора, нКл 210 Описание N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 370 Вт Вес брутто 3.01 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/1500 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 260 шт.: 51.94 руб. Цена от 60 шт.: 53.74 руб. Цена от 20 шт.: 61.28 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 200 шт
IRF5305PBF IRF5305PBF
IRF5305PBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 55В, 31А, 110Вт, 0.06 Ом, корпус ...
TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -31 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 60 Емкость, пФ 1200 Заряд затвора, нКл 63 Описание MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 110 Вт Вес брутто 2.81 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 260 шт.: 52.06 руб. Цена от 60 шт.: 53.87 руб. Цена от 20 шт.: 61.43 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 900 шт
IRF740AS IRF740AS
IRF740ASTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 28 нКл, TO-263 (D2PAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 400 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Емкость, пФ 1050 Заряд затвора, нКл 28 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.22 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/1600 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 260 шт.: 53.74 руб. Цена от 60 шт.: 55.62 руб. Цена от 20 шт.: 63.41 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
STB11NK40Z STB11NK40Z
STB11NK40ZT4 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 550 мОм, 28 нКл, TO-263 (D2PAK) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 400 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Емкость, пФ 1050 Заряд затвора, нКл 28 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.32 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/1600 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 1600 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 260 шт.: 53.74 руб. Цена от 60 шт.: 55.62 руб. Цена от 20 шт.: 63.41 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF
IRF7351TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 60В, 8А, 2.0Вт, ...
корпус SOIC-8 Транзисторы разные Вес брутто 0.27 Транспортная упаковка: размер/кол-во 61*51*51/2000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 240 шт.: 54.01 руб. Цена от 60 шт.: 55.88 руб. Цена от 20 шт.: 63.73 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF7240TRPBF (SO8) IRF7240TRPBF (SO8)
IRF7240TRPBF, транзистор полевой кремниевый P-канальный 40В 10.5A 2.5 Вт Infineon Technologies Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -10,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 15 Заряд затвора, нКл 73 Описание 40V, 10.5A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs)0 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2.5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 240 шт.: 57.06 руб. Цена от 60 шт.: 59.04 руб. Цена от 20 шт.: 64.69 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 50 шт
STP65NF06 STP65NF06
STP65NF06 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 110 А, 6 мОм, TO-220 Транзисторы полевые ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 110 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6 Емкость, пФ 2699 Заряд затвора, нКл 115 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.96 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: ST Microelectronics
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 240 шт.: 57.06 руб. Цена от 60 шт.: 59.04 руб. Цена от 20 шт.: 64.69 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 500 шт
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF
IRF8910TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм13,4 Емкость, пФ 960 Заряд затвора, нКл 11 Описание Mosfet Array 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2.55В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 ВМощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.12 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 240 шт.: 55.00 руб. Цена от 60 шт.: 56.91 руб. Цена от 20 шт.: 64.89 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF
IRFR4615TRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 33A, корпус DPAK(TO-252-3) ...
Транзисторы разные Вес брутто 0.51 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*39/2000 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 240 шт.: 57.55 руб. Цена от 60 шт.: 59.55 руб. Цена от 20 шт.: 65.25 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 2000 шт
2SA1492 2SA1492
2SA1492 JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -180 В, -15 А, TO-3PN Транзисторы биполярные Описание ...
Транзистор биполярный PNP, -180 В, -15 А, hFE 50180, TO-3PN Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -180 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -180 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -6 Максимальный постоянный ток коллектора, А -15 Коэффициент усиления hFE мин. 50 Коэффициент усиления hFE макс. 180 Граничная частота ft, МГц 20 Вес брутто 01.07.1955 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3PN Упаковка 30 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 220 шт.: 58.93 руб. Цена от 60 шт.: 60.98 руб. Цена от 20 шт.: 66.81 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 20 шт
Доступно: < 600 шт
Показывать по
//
RUB