Транзисторы импортные

Всего найдено: 6811 наименований
Показывать по
GD450HFY120C6S Starpower GD450HFY120C6S Starpower
IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 1200 В, 450 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ...
устойчивость к короткому замыканию. (=CM450DX-24T) <<
Производитель: STARPOWER
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 6 шт.: 8044.29 руб. Цена от 1 шт.: 8624.06 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 40 шт
IGBT модуль MG450HF12TLE3 YJ ! IGBT модуль MG450HF12TLE3 YJ !
Производитель: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.
Цена от 10 шт.: 7697.01 руб. Цена от 2 шт.: 8375.17 руб. Цена от 1 шт.: 8522.08 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
RF3L05400CB4 (POWERSO10RF) ST RF3L05400CB4 (POWERSO10RF) ST
Производитель: ST
Цена от 5 шт.: 8072.15 руб. Цена от 2 шт.: 8365.69 руб. Цена от 1 шт.: 8512.45 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: 5 шт
RF3L05200CB4 (POWERSO10RF) ST RF3L05200CB4 (POWERSO10RF) ST
Производитель: ST
Цена от 5 шт.: 8072.15 руб. Цена от 2 шт.: 8365.69 руб. Цена от 1 шт.: 8512.45 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: 3 шт
P3M17040K4 (TO247) PN JUNCTION P3M17040K4 (TO247) PN JUNCTION
SiC MOSFET Полярность: N-Channel, V(br)dss: 1700 В, Rds(on): 40 мОм, Qrr: 77,9 нКл, I d: 73 А, Корпус: TO-247-4.
Производитель: PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 8034.90 руб. Цена от 2 шт.: 8327.07 руб. Цена от 1 шт.: 8473.16 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 5 шт
CM450DX-34T#310G модуль MITSUBISHI CM450DX-34T#310G модуль MITSUBISHI
CM450DX-34T#310G, IGBT модуль 450 Ампер 1700 Вольт T-Серия
Производитель: MITSUBISHI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 7844.85 руб. Цена от 2 шт.: 8198.23 руб. Цена от 1 шт.: 8410.25 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 1 шт
XNG450B24LC5AL Xiner XNG450B24LC5AL Xiner
Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A
Производитель: Xiner
Цена от 4 шт.: 7224.11 руб. Цена от 3 шт.: 7381.43 руб. Цена от 2 шт.: 7802.02 руб. Цена от 1 шт.: 8294.11 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 80 шт
MG300HF12TFC2 YJ MG300HF12TFC2 YJ
Модуль IGBT 1200В 300А
Производитель: YangJie
Цена от 5 шт.: 6928.38 руб. Цена от 3 шт.: 7256.48 руб. Цена от 2 шт.: 7709.33 руб. Цена от 1 шт.: 8236.44 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 4 шт
GD450HFY120C2S Starpower GD450HFY120C2S Starpower
IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 1200 В, 450 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ...
устойчивость к короткому замыканию. <<
Производитель: STARPWR
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 7764.57 руб. Цена от 2 шт.: 8046.92 руб. Цена от 1 шт.: 8188.09 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 500 шт
DFI450HF17I4RE1 Leapers Semiconductor DFI450HF17I4RE1 Leapers Semiconductor
IGBT Модуль Half Bridge 1700В 450А
Производитель: Leapers Semiconductor
Цена от 7 шт.: 7127.32 руб. Цена от 4 шт.: 7319.69 руб. Цена от 2 шт.: 7683.13 руб. Цена от 1 шт.: 8141.20 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 4000 шт
MGFC36V5258-51, GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8 M MGFC36V5258-51, GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8 M
СВЧ транзистор GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8
Производитель: Mitsubishi
Цена от 8 шт.: 6730.89 руб. Цена от 2 шт.: 7034.09 руб. Цена от 1 шт.: 8021.55 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 2 шт
DFI450HF12DF1 LEAPERS DFI450HF12DF1 LEAPERS
Производитель: LEAPERS
Цена от 5 шт.: 7588.75 руб. Цена от 2 шт.: 7864.70 руб. Цена от 1 шт.: 8002.68 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 30 шт
FF150R12RT4 (34 mm) INF FF150R12RT4 (34 mm) INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 7 шт.: 6941.22 руб. Цена от 4 шт.: 7129.00 руб. Цена от 2 шт.: 7483.22 руб. Цена от 1 шт.: 7929.73 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 300 шт
SKM150GB12T4G SEMIKRON SKM150GB12T4G SEMIKRON
IGBT-модуль
Производитель: SEMIKRON
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 6467.73 руб. Цена от 3 шт.: 6775.83 руб. Цена от 2 шт.: 7200.05 руб. Цена от 1 шт.: 7694.00 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
SKM150GB176E4 (SEMITRANSR 2) SEMIKRON SKM150GB176E4 (SEMITRANSR 2) SEMIKRON
Модуль IGBT силовой N-канальный, 1700В 100А
Производитель: SEMIKRON
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 6774.82 руб. Цена от 3 шт.: 6906.14 руб. Цена от 2 шт.: 7249.21 руб. Цена от 1 шт.: 7606.89 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
DFI500HF17DFRE1 LEAPERS DFI500HF17DFRE1 LEAPERS
Производитель: LEAPERS
Цена от 5 шт.: 7328.97 руб. Цена от 2 шт.: 7459.83 руб. Цена от 1 шт.: 7590.71 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 40 шт
GD225HFX170C6S Starpower GD225HFX170C6S Starpower
IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 1700 В, 225 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ...
устойчивость к короткому замыканию. <<
Производитель: STARPWR
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 7135.26 руб. Цена от 2 шт.: 7262.67 руб. Цена от 1 шт.: 7390.10 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 30 шт
FF300R12KT4HOSA1 INF FF300R12KT4HOSA1 INF
Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А
Производитель: INF
Цена от 4 шт.: 6432.42 руб. Цена от 3 шт.: 6574.09 руб. Цена от 2 шт.: 6949.57 руб. Цена от 1 шт.: 7389.02 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
SKM150GB17E4G (SEMITRANSR 3) SEMIKRON SKM150GB17E4G (SEMITRANSR 3) SEMIKRON
Силовой модуль IGBT полумостовой 242А
Производитель: SEMIKRON
Цена от 5 шт.: 6643.47 руб. Цена от 3 шт.: 6866.56 руб. Цена от 2 шт.: 7122.50 руб. Цена от 1 шт.: 7368.38 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 30 шт
FF100R12RT4HOSA1 (34 mm) INF FF100R12RT4HOSA1 (34 mm) INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 4 шт.: 6406.98 руб. Цена от 3 шт.: 6549.68 руб. Цена от 2 шт.: 6924.68 руб. Цена от 1 шт.: 7363.67 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 9 шт
Показывать по
//
RUB