IGBT транзисторы

силовые IPM модули - улучшенные гибридные силовые приборы, которые сочетают в себе быстродействие и высокий КПД IGBT транзисторов, коптимизированные управляющие драйверы и схемы защиты. Применение улучшенных токовых датчиков в схемах защиты по току и КЗ позволяет проводить непрерывный мониторинг работы устройства, тем самым повышая надежность эксплуатации. В IPM модулях имеет также и защита по температуре и по пониженному напряжению. Высокая степень интеграции IPM позволяет создавать компактные и недорогие изделия.Сигнальный интерфейс связи с IPM модулем должен иметь гальваническую развязку. Для этого обычно применяют оптроны, хотя возможно и применение оптоволоконной связи или импульсных трансформаторов. Логика управления отрицательная,т.е. активный сигнал на входе равнее 0. <<

от пониженного напряжения питания есть, Защита по току есть, Макс.напр.к-э,В 220, Максимальная частота модуляции,кГц 20, Мощность привода, кВт 0.2, Напряжение изоляции, В 2500, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.9, Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост, Температурный диапазон,С -20...125, Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM, <<

потерями на переключение со встроенной схемой управления затвором и цепями защиты.Силовая часть модуля состоит из трехфазного входного выпрямителя, тормозного прерывателя и трехфазного инвертора, схемы защиты включают защиту от короткого замыкания, пониженного напряжения питания, перегрева и защиту по току.Также, модули имеют встроенные датчик тока и схемы накачки.Такие модули выпускаются на напряжение 600 и1200 В и являются универсальным решением для построения приводов на 220 и 460 В. <<

от пониженного напряжения питания есть, Защита по току есть, Макс.напр.к-э,В 1200, Максимальная частота модуляции,кГц 20, Мощность привода, кВт 0.75, Напряжение изоляции, В 2500, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3.6, Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10, Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост, Температурный диапазон,С -20...125, Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM, <<