Транзисторы

полевые Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1,8 Емкость, пФ 270 Заряд затвора, нКл 12 Описание P-Channel 60 V 1.8A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.40 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1,9 Описание MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC Диапазон рабочихтемператур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,1 Вт Вес брутто 0.39 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -13 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 205 Емкость, пФ 760 Заряд затвора, нКл 58 Описание MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 66 Вт Вес брутто 0.64 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<

сток-исток Uси,В 10, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -80, Структура 2P-канал, <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -15 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 420 Емкость, пФ 1200 Заряд затвора, нКл 68 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.98 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/2000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 230 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2,3 Емкость, пФ 7000 Заряд затвора, нКл 190 Диапазон рабочих температур -55+175 С Вес брутто 2.89 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/2000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 110 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8 Заряд затвора, нКл 146 Описание 55V, 110A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs)20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 2.83 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,4Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 100 Емкость, пФ 510 Заряд затвора, нКл 15,6 Описание MOSFET MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рссеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.38 Транспортная упаковка: размер/кол-во 63*44*44/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 140 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1,65 Емкость, пФ 3830 Заряд затвора, нКл 66 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.30 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<

биполярный PNP, -100 В, -6 А, hFE 15, TO-220 Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -1,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 65 Коэффициент усиления hFE мин. 15 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/1000 Вес брутто 01.02.1986 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-220 Упаковка 50 <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 20 Емкость, пФ 4050 Заряд затвора, нКл 39 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.03 Транспортная упаковка: размер/кол-во 54.5*20.2*20.5/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

0Вт, 0.029 Ом, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 29 Емкость, пФ 650 Заряд затвора, нКл 33 Описание MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.22 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/8000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 5,2Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Заряд затвора, нКл 48 Описание MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1 Вт Вес брутто 0.39 Транспортная упакока: размер/кол-во 58*46*46/5000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 540 Емкость, пФ 250 Заряд затвора, нКл 6,1 Описание N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Время здержки включения/ выключения - 47/ 18 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 10 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 3,1 Вт Вес брутто 0.37 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*39*39/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT)орпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 50 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 22 Емкость, пФ 1540 Заряд затвора, нКл 31 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 2.96 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*33*17/6000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

007, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1.5, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10, Структура P-FET, <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 57 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 23 Заряд затвора, нКл 86,7 Описание 100V, 57A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 Вощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 3.09 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Тип Составной транзистор (Дарлингтона) Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 5 Максимальный постоянный ток коллектора, А 12 Коэффициент усиления hFE мин. 1000 Коэффициент усиления hFE макс. 20000 Вес брутто 2.60 Корпус TO-220F Упаковка 50 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 87 Емкость, пФ 1535 Заряд затвора, нКл 26,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.61 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*34/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус T-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 185 Емкость, пФ 440 Заряд затвора, нКл 20 Описание MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержкиключения/ выключения - 35/ 22 нс Мощность рассеиваемая (Pd) - 48 Вт Вес брутто 0.64 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<