Транзисторы

Всего найдено: 7362 наименования
Показывать по
DFI450HF12DF1 LEAPERS DFI450HF12DF1 LEAPERS
Производитель: LEAPERS
Цена от 5 шт.: 8175.76 руб. Цена от 2 шт.: 8473.06 руб. Цена от 1 шт.: 8621.71 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 30 шт
HF300H170 HUAJING HF300H170 HUAJING
Модуль силовой IGBT 1700В/300A
Производитель: HUAJING
Цена от 8 шт.: 7355.63 руб. Цена от 3 шт.: 7875.45 руб. Цена от 2 шт.: 8188.57 руб. Цена от 1 шт.: 8483.12 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 1 шт
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 INF FF23MR12W1M1PB11BPSA1 INF
Модуль полумостовой транзисторный MOSFET N-канальный SiC 1.2KВ 50A
Производитель: INF
Цена от 5 шт.: 7472.29 руб. Цена от 3 шт.: 7857.60 руб. Цена от 2 шт.: 8169.74 руб. Цена от 1 шт.: 8463.37 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 6 шт
IXGN400N60B3 IXYS IXGN400N60B3 IXYS
Модуль IGBT:
Пробой коллектор-эмиттер: 600 В,
Ток коллектора: 430 А,
Рассеивание мощности: 1000 Вт, ...
Обратный ток коллектора: 100 мкА,
Входная ёмкость: 31 нФ при 25 В,
Температура: –55 °C до 150 °C,
Корпус: SOT-227-4, miniBLOC. <<
Производитель: IXYS
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 7994.92 руб. Цена от 2 шт.: 8285.65 руб. Цена от 1 шт.: 8431.01 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: 2 шт
MRF314 (SOT123) MACOM MRF314 (SOT123) MACOM
Производитель: MACOM
Цена от 5 шт.: 7978.99 руб. Цена от 2 шт.: 8269.13 руб. Цена от 1 шт.: 8414.22 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 30 шт
MG450HF12TLC2 IGBT модуль YJ ! MG450HF12TLC2 IGBT модуль YJ !
Производитель: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.
Цена от 10 шт.: 7574.97 руб. Цена от 2 шт.: 8242.94 руб. Цена от 1 шт.: 8387.56 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 2 шт
DFI300HF17DF1, IGBT модуль LEAPERS DFI300HF17DF1, IGBT модуль LEAPERS
DFI300HF17DF1, IGBT модуль, 1700V, 300A Half Bridge 62 mm
Производитель: LEAPERS
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 12 шт.: 7773.52 руб. Цена от 3 шт.: 7913.59 руб. Цена от 1 шт.: 8333.77 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 30 шт
IGBT модуль MG450HF12TLE3 YJ ! IGBT модуль MG450HF12TLE3 YJ !
Производитель: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.
Цена от 10 шт.: 7478.65 руб. Цена от 2 шт.: 8137.58 руб. Цена от 1 шт.: 8280.34 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
FF150R12RT4 (34 mm) INF FF150R12RT4 (34 mm) INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 6 шт.: 7245.38 руб. Цена от 3 шт.: 7439.66 руб. Цена от 2 шт.: 7808.33 руб. Цена от 1 шт.: 8272.74 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 300 шт
P3M17040K4 (TO247) PN JUNCTION P3M17040K4 (TO247) PN JUNCTION
SiC MOSFET Полярность: N-Channel, V(br)dss: 1700 В, Rds(on): 40 мОм, Qrr: 77,9 нКл, I d: 73 А, Корпус: TO-247-4.
Производитель: PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 7839.44 руб. Цена от 2 шт.: 8124.50 руб. Цена от 1 шт.: 8267.05 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 5 шт
DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль LEAPERS DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль LEAPERS
DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль, 1200V, 300A, полумост ED3
Производитель: LEAPERS
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 7522.77 руб. Цена от 2 шт.: 7861.63 руб. Цена от 1 шт.: 8255.77 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 40 шт
RF3L05200CB4 (POWERSO10RF) ST RF3L05200CB4 (POWERSO10RF) ST
Производитель: ST
Цена от 5 шт.: 7826.89 руб. Цена от 2 шт.: 8111.51 руб. Цена от 1 шт.: 8253.82 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: 3 шт
RF3L05400CB4 (POWERSO10RF) ST RF3L05400CB4 (POWERSO10RF) ST
Производитель: ST
Цена от 5 шт.: 7826.89 руб. Цена от 2 шт.: 8111.51 руб. Цена от 1 шт.: 8253.82 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: 5 шт
GD450HFY120C6S Starpower GD450HFY120C6S Starpower
IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 1200 В, 450 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ...
устойчивость к короткому замыканию. (=CM450DX-24T) <<
Производитель: STARPOWER
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 6 шт.: 7654.74 руб. Цена от 1 шт.: 8206.44 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 40 шт
MG300HF12TFC2 YJ MG300HF12TFC2 YJ
Модуль IGBT 1200В 300А
Производитель: YangJie
Цена от 5 шт.: 6790.29 руб. Цена от 3 шт.: 7111.85 руб. Цена от 2 шт.: 7555.67 руб. Цена от 1 шт.: 8072.28 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 4 шт
DFI450HF17I4RE1 Leapers Semiconductor DFI450HF17I4RE1 Leapers Semiconductor
IGBT Модуль Half Bridge 1700В 450А
Производитель: Leapers Semiconductor
Цена от 6 шт.: 6985.26 руб. Цена от 3 шт.: 7173.79 руб. Цена от 2 шт.: 7530.00 руб. Цена от 1 шт.: 7978.92 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 4000 шт
CM450DX-34T#310G модуль MITSUBISHI CM450DX-34T#310G модуль MITSUBISHI
CM450DX-34T#310G, IGBT модуль 450 Ампер 1700 Вольт T-Серия
Производитель: MITSUBISHI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 7383.90 руб. Цена от 2 шт.: 7716.50 руб. Цена от 1 шт.: 7916.07 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 1 шт
FF100R12RT4HOSA1 (34 mm) INF FF100R12RT4HOSA1 (34 mm) INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 4 шт.: 6835.94 руб. Цена от 3 шт.: 6986.16 руб. Цена от 2 шт.: 7385.00 руб. Цена от 1 шт.: 7851.76 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 9 шт
FF300R12KT4HOSA1 INF FF300R12KT4HOSA1 INF
Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А
Производитель: INF
Цена от 4 шт.: 6707.20 руб. Цена от 3 шт.: 6854.83 руб. Цена от 2 шт.: 7246.31 руб. Цена от 1 шт.: 7704.45 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 50 шт
MGFC36V5258-51, GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8 M MGFC36V5258-51, GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8 M
СВЧ транзистор GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8
Производитель: Mitsubishi
Цена от 8 шт.: 6335.39 руб. Цена от 2 шт.: 6620.76 руб. Цена от 1 шт.: 7542.30 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 2 шт
Показывать по
//
RUB