Транзисторы

Всего найдено: 7354 наименования
Показывать по
WMB072N12LG2 MOSFET транзистор WAYON ? WMB072N12LG2 MOSFET транзистор WAYON ?
Производитель: CYG Wayon
Цена от 260 шт.: 73.57 руб. Цена от 37 шт.: 76.20 руб. Цена от 11 шт.: 77.53 руб. Цена от 3 шт.: 89.15 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: < 70 шт
КП505А (2024) (TO-92) (КТ-26) КП505А (2024) (TO-92) (КТ-26)
Транзистор полевой N-канальный 50В, 1,4 А, 0.5 Вт, 8 Ом.
Производитель: ИНТЕГРАЛ
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 700 шт.: 41.82 руб. Цена от 400 шт.: 46.76 руб. Цена от 100 шт.: 51.68 руб. Цена от 3 шт.: 88.67 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 4000 шт
WMO26N65C4 (TO252) WAYON WMO26N65C4 (TO252) WAYON
Производитель: WAYON
Цена от 220 шт.: 68.61 руб. Цена от 76 шт.: 76.04 руб. Цена от 46 шт.: 79.43 руб. Цена от 3 шт.: 88.43 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 600 шт
IRF520NPBF, TO-220 Isolated Tab INFINEON IRF520NPBF, TO-220 Isolated Tab INFINEON
Производитель: INFINEON
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 250 шт.: 81.22 руб. Цена от 150 шт.: 83.38 руб. Цена от 3 шт.: 88.41 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 20 шт
FF1200R17KP4_B2 INF FF1200R17KP4_B2 INF
FF1200R17KP4B2NOSA2 SP000941366
Производитель: Infineon
Цена от 10 шт.: 137985.36 руб. Цена от 2 шт.: 144884.69 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
CM1200DC-34S IGBT модуль Mitsubishi CM1200DC-34S IGBT модуль Mitsubishi
CM1200DC-34S, IGBT модуль.
Макс.напр.к-э,В1700.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В2.15.
Номинальный ...
ток одиночного тр-ра,А1200.
Структура модуля полумост.
Тип силового модуляСборка на IGBT Транзисторах.
Максимальная частота модуляции,кГц15.
Входная емкость затвора,нФ176.
Драйвер управления внешний. <<
Производитель: Mitsubishi Electric
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 10 шт.: 81636.42 руб. Цена от 2 шт.: 85773.74 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 8 шт
TIM1200DDM17-TSA000 IGBT модуль TIM1200DDM17- TIM1200DDM17-TSA000 IGBT модуль TIM1200DDM17-
Производитель: CRRC
Цена от 10 шт.: 64542.58 руб. Цена от 2 шт.: 67804.98 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: < 30 шт
SKM200GB12T4 SEMIKRON SKM200GB12T4 SEMIKRON
Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin
Производитель: SEMIKRON
Цена от 3 шт.: 9333.59 руб. Цена от 2 шт.: 9666.42 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 40 шт
IXFN110N60P3 IXYS IXFN110N60P3 IXYS
MOSFET транзистор
Производитель: IXYS
Цена от 1100 шт.: 3244.76 руб. Цена от 110 шт.: 3385.84 руб. Цена от 2 шт.: 4016.85 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: < 2000 шт
IPW65R019C7FKSA1 (TO-247) INF IPW65R019C7FKSA1 (TO-247) INF
IPW65R019C7FKSA1, Транзистор полевой N-канальный 700В 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 SP000928646
Производитель: Infineon
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 100 шт.: 2064.98 руб. Цена от 50 шт.: 2477.57 руб. Цена от 2 шт.: 3396.53 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: < 200 шт
PS21542-G(0.2kW,600B,5kHzMDIP) MIT stop PS21542-G(0.2kW,600B,5kHzMDIP) MIT stop
Производитель: Mitsubishi Electric
Цена от 25 шт.: 1690.16 руб. Цена от 10 шт.: 1816.50 руб. Цена от 2 шт.: 1980.39 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 9 шт
RSM120040Z (TO247-4) REASUNOS RSM120040Z (TO247-4) REASUNOS
RSM120040Z, N-канальный силовой МОП транзистор 1200 V,68 А (TO247-4 ) аналог C3M0040120K
Производитель: REASUNOS
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 40 шт.: 1111.13 руб. Цена от 10 шт.: 1161.18 руб. Цена от 2 шт.: 1211.22 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 2 шт
Доступно: < 500 шт
STW45NM60 STW45NM60
STW45NM60, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 650В, 45A, корпус TO-247-3 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 650 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 45 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 110 Емкость, пФ 3800 Заряд затвора, нКл 134 Описание N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 417 Вт Вес брутто 6.92 Траспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/120 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247-3 Упаковка TUBE, 30 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 20 шт.: 678.88 руб. Цена от 4 шт.: 702.49 руб. Цена от 2 шт.: 740.62 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 2 шт
Доступно: < 50 шт
ТК152-50-4-2 ТК152-50-4-2
Транзисторы разные
  • Документация:  
Цена от 20 шт.: 668.16 руб. Цена от 4 шт.: 691.40 руб. Цена от 2 шт.: 728.93 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 2 шт
Доступно: 2 шт
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1
IPB010N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 180A, корпус TO-263-7(D2PAK) ...
Транзисторы разные Тип Полевой N-канальный транзистор Описание MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7 Диапазон рабочих температур -55+175 СМощность рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Вес брутто 1.70 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263-7 (D2PAK) Упаковка REEL, 1000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 26 шт.: 556.28 руб. Цена от 6 шт.: 575.62 руб. Цена от 2 шт.: 656.31 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 2 шт
Доступно: < 300 шт
IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1
IPW60R080P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 37A, 129Вт, корпус ...
TO-247-3 Транзисторы разные Вес брутто 8.07 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/150 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 26 шт.: 596.41 руб. Цена от 6 шт.: 617.15 руб. Цена от 2 шт.: 650.66 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 2 шт
Доступно: < 200 шт
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3 IGBT транзисторы ...
Вес брутто 8.20 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/150 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 30 шт.: 471.81 руб. Цена от 6 шт.: 488.23 руб. Цена от 2 шт.: 556.66 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 2 шт
Доступно: < 200 шт
STP20NM60FP STP20NM60FP
STP20NM60FP, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 20А, 600В, 45Вт, корпус TO-220-3 ...
Full Pack Транзисторы разные Вес брутто 2.67 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/150 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 36 шт.: 425.07 руб. Цена от 8 шт.: 439.86 руб. Цена от 2 шт.: 501.51 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 2 шт
Доступно: < 200 шт
SPW47N60C3FKSA1 SPW47N60C3FKSA1
SPW47N60C3FKSA1, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 600В, 47А, 415Вт, корпус ...
TO-247-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 650 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 47 Заряд затвора, нКл 320 Описание N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1 Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 3.9 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (max) - 415 Вт Вес брутто 8.50 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*26*32/2400 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247-3 Упаковка TUBE, 25 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 36 шт.: 423.82 руб. Цена от 8 шт.: 438.56 руб. Цена от 2 шт.: 500.03 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 2 шт
Доступно: < 3000 шт
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1
IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3 IGBT ...
транзисторы Вес брутто 3.00 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*40*40/150 Тип IGBT транзистор Корпус TO-220 Упаковка 50 MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250 Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 650 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 36 шт.: 422.97 руб. Цена от 8 шт.: 437.67 руб. Цена от 2 шт.: 499.03 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 2 шт
Доступно: < 200 шт
Показывать по
//
RUB