Транзисторы

Всего найдено: 7789 наименований

Сортировать по: Названию Цене Норме отпуска

развернуть описания

←Ctrl 1 ... 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ... 390 Ctrl →

Показывать по

2Т960А Транзисторы разные Конфигурация n-p-n Ток обратный: не более 20 мА Мощность рассеиваемая макс.: 70 ... Вт Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В Коэффициент усиления мощности: не менее 2,5 дБ Выходная мощность не менее 40 Вт на частоте 400 МГц Частота коэффициента передачи тока граничная: не менее 600 МГц Максимальный ток 7 А Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ << Документация:	Цена от 2 шт.: 2202.32 руб. Цена от 1 шт.: 2246.37 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Доступно: 1 шт
2Т993А Транзисторы разные Конфигурация n-p-n Мощность рассеиваемая: 50 Вт Максимальное напряжение эмиттер-база ... при токе коллектора, равном нулю: 4 В Коэффициент передачи тока статический: 1070 Максимальный ток коллектора импульсный: 10 А << Документация:	Цена от 2 шт.: 2202.32 руб. Цена от 1 шт.: 2246.37 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Доступно: 2 шт
IHW30N160R2FKSA1 (TO247) INF1 IGBT Производитель: INF Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 1908.93 руб. Цена от 3 шт.: 2065.13 руб. Цена от 2 шт.: 2147.64 руб. Цена от 1 шт.: 2248.89 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 80 шт
SCT30N120 (HiP247[тм]) STM Полевой транзистор N-канальный 1200В 45A HIP247 Производитель: STM	Цена от 10 шт.: 1858.04 руб. Цена от 3 шт.: 2065.06 руб. Цена от 2 шт.: 2148.79 руб. Цена от 1 шт.: 2251.57 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 30 шт
2П322А Транзисторы разные Вес не более 0,7 г Ток стока начальный: не более 42 мА Ток утечки не более 10 ... нА Мощность рассеиваемая: 200 мВт Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В Коэффициент шума: не более 6 дБ Корпус 301.6-1 Напряжение отсечки: 2,5-12 В Емкость проходная: не более 0,2 пФ << Документация:	Цена от 2 шт.: 2217.26 руб. Цена от 1 шт.: 2261.61 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Доступно: < 20 шт
MG50HF12TFC1 YJ Производитель: YJ	Цена от 60 шт.: 1667.19 руб. Цена от 10 шт.: 1803.59 руб. Цена от 3 шт.: 2027.12 руб. Цена от 1 шт.: 2310.92 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней Ставрополь: 6-10 раб.дней Доступно: < 20 шт
SPW55N80C3FKAS1 (TO247-3) INFINEON SPW55N80C3FKAS1, транзистор N канал 800В 55A 85мОм, TO247-3 Производитель: INFINEON Внешний вид товара может отличаться	Цена от 21 шт.: 2175.17 руб. Цена от 12 шт.: 2214.36 руб. Цена от 1 шт.: 2331.93 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: < 90 шт
IXFH16N80P (TO-247AD (IXFH)) IXYS Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 16 А Производитель: IXYS Внешний вид товара может отличаться	Цена от 5 шт.: 2213.06 руб. Цена от 3 шт.: 2357.02 руб. Цена от 2 шт.: 2384.85 руб. Цена от 1 шт.: 2407.57 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 20 шт
PS11032, IGBT модуль 0.2кВт 220В 1/3 фаз Драйвер управления встроенный, Защита от короткого замыкания есть, Защита от перегрева есть, Защита ... от пониженного напряжения питания есть, Защита по току есть, Макс.напр.к-э,В 220, Максимальная частота модуляции,кГц 20, Мощность привода, кВт 0.2, Напряжение изоляции, В 2500, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.9, Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост, Температурный диапазон,С -20...125, Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM, << Производитель: Mitsubishi Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 2336.43 руб. Цена от 1 шт.: 2460.50 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: 2 шт
GD150HFX65C1S STARPWR IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 650 В, 150 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ... устойчивость к короткому замыканию. << Производитель: STARPWR Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 9 шт.: 2380.65 руб. Цена от 1 шт.: 2465.67 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней Ставрополь: 6-10 раб.дней Доступно: < 200 шт
P3M12025K3 (TO247) PN JUNCTION SiC MOSFET Полярность: N-Channel, V(br)dss: 1200 В, Rds(on): 25 мОм, Qrr: 172 нКл, I d: 80 А, Корпус: TO-247-3. Производитель: PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD Внешний вид товара может отличаться	Цена от 9 шт.: 2414.25 руб. Цена от 1 шт.: 2500.47 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Доступно: 2 шт
P3M12025K4 (TO247) PN JUNCTION SiC MOSFET Полярность: N-Channel, V(br)dss: 1200 В, Rds(on): 25 мОм, Qrr: 172 нКл, I d: 80 А, Корпус: TO-247-3. Производитель: PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD Внешний вид товара может отличаться	Цена от 9 шт.: 2414.25 руб. Цена от 1 шт.: 2500.47 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Доступно: 1 шт
GD100HFY120C1S Starpower IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 1200 В, 100 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ... устойчивость к короткому замыканию. << Производитель: STARPWR Документация: Внешний вид товара может отличаться	Цена от 8 шт.: 2430.84 руб. Цена от 1 шт.: 2517.66 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней Ставрополь: 6-10 раб.дней Доступно: < 200 шт
2Т9118А Производитель: Россия Внешний вид товара может отличаться	Цена от 21 шт.: 2258.74 руб. Цена от 8 шт.: 2299.44 руб. Цена от 2 шт.: 2421.53 руб. Цена от 1 шт.: 2524.04 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней Ставрополь: 6-11 раб.дней Доступно: < 20 шт
IPW65R019C7FKSA1 INF Полевой транзистор Производитель: INF	Цена от 5 шт.: 2269.72 руб. Цена от 3 шт.: 2467.21 руб. Цена от 2 шт.: 2503.54 руб. Цена от 1 шт.: 2531.68 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 70 шт
MGC75D12A1-251H3 TechSem Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В Производитель: TechSem	Цена от 5 шт.: 2444.89 руб. Цена от 3 шт.: 2581.83 руб. Цена от 2 шт.: 2607.92 руб. Цена от 1 шт.: 2629.86 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: 1 шт
MG100HF065TLC1 YJ Модуль полумостовой IGBT 650В 150А Производитель: Yangzhou Yangjie	Цена от 6 шт.: 2382.80 руб. Цена от 3 шт.: 2509.11 руб. Цена от 2 шт.: 2573.28 руб. Цена от 1 шт.: 2639.95 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней Ставрополь: 8-12 раб.дней Доступно: < 20 шт
2Т9103А2 (200*г) СВЧ транзисторы Конфигурация n-p-n Максимальный ток коллектора импульсный: 1,1 А Мощность выходная: ... >,7 Вт Частота коэффициента передачи тока граничная: >,0,9 ГГц Максимальное напряжение питания: 1521 В Ток эмиттера обратный: <,0,5 мА Коэффициент усиления мощности: >,1,72 дБ Корпус КТ-54 <<	Цена от 5 шт.: 2553.95 руб. Цена от 1 шт.: 2642.79 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Доступно: 2 шт
2Т9113А Транзисторы разные Конфигурация n-p-n Ток коллектора обратный: <,30 мА Мощность рассеиваемая постоянная: ... 82 Вт Максимальное напряжение эмиттер-база: 4 В Коэффициент передачи тока статический: 1070 Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером: 0,8 В Частота коэффициента передачи тока граничная: >,30 МГц Максимальный ток коллектора импульсный: 10 А <<	Цена от 5 шт.: 2553.95 руб. Цена от 1 шт.: 2642.79 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Доступно: 1 шт
2Т981А Транзисторы разные Конфигурация n-p-n Ток эмиттера обратный: <,150 мА Мощность выходная: >,50 ... Вт Максимальное напряжение питания: 12,6 В Коэффициент усиления по мощности: >,5 дБ Частота коэффициента передачи тока граничная: >,80 МГц Максимальный ток коллектора постоянный: 10 А Рабочая температура -60+125 С Максимальная температура перехода: 200 С <<	Цена от 5 шт.: 2553.95 руб. Цена от 1 шт.: 2642.79 руб.	+- Срок доставки в офис: Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней Ставрополь: 7-12 раб.дней Доступно: 1 шт