Транзисторы

Всего найдено: 7739 наименований
Показывать по
TIP41C TIP41C
Транзисторы биполярные (BJTs) TO-220
Производитель: KEEN SIDE
Цена от 750 шт.: 14.02 руб. Цена от 150 шт.: 14.98 руб. Цена от 60 шт.: 15.23 руб. Цена от 50 шт.: 15.86 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 600 шт
IRFR024N IRFR024N
IRFR024N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 20 А, 36 мОм, TO-252 (DPAK) Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 60 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 36 Емкость, пФ 1150 Заряд затвора, нКл 20,3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.52 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*39/10000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 950 шт.: 13.58 руб. Цена от 250 шт.: 14.05 руб. Цена от 50 шт.: 16.02 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 9000 шт
BU406 (JSMSEMI) BU406 (JSMSEMI)
BU406 JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 200 В, 7 А, TO-220 Транзисторы биполярные Описание Транзистор ...
биполярный NPN, 200 В, 7 А, hFE 50100, TO-220 Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 200 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 400 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 6 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 1 Максимальный постоянный ток коллектора, А 7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 60 Коэффициент усиления hFE мин. 50 Коэффициент усиления hFE макс. 100 Граничная частота ft, МГц 10 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/2000 Вес брутто 01.02.1987 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-220 Упаковка 50 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 950 шт.: 13.58 руб. Цена от 250 шт.: 14.05 руб. Цена от 50 шт.: 16.02 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 1000 шт
MJD127T4G MJD127T4G
MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK) ...
Транзисторы биполярные Тип Составной транзистор (Дарлингтона) Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -4 Максимальный постоянный ток коллектора, А -8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 20 Коэффициент усиления hFE мин. 1000 Коэффициент усиления hFE макс. 20000 Граничная частота ft, МГц 4 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*39/10000 Вес брутто 0.53 Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка 2500 <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 950 шт.: 13.58 руб. Цена от 250 шт.: 14.05 руб. Цена от 50 шт.: 16.02 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 10000 шт
IRFR120N IRFR120N
IRFR120NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 15 А, 112 мОм, 26.2 нКл, TO-252 ...
(DPAK) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 15 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 112 Емкость, пФ 1535 Заряд затвора, нКл 26,2 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.53 Транспортная упаковка: размер/кол-во 38*38*38/2500 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 950 шт.: 13.59 руб. Цена от 250 шт.: 14.07 руб. Цена от 50 шт.: 16.04 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF7416T (SO8) IRF7416T (SO8)
IRF7416 HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -30 В, -9.5 А, 18 мОм, SOP-8 Транзисторы полевые ...
Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -9,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 18 Емкость, пФ 1690 Заряд затвора, нКл 29 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.23 Транспортная упаковка: размер/кол-во 38*29*38/9000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 950 шт.: 13.70 руб. Цена от 250 шт.: 14.17 руб. Цена от 50 шт.: 16.17 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 10000 шт
AO4828 AO4828
Транзисторы биполярные (BJTs)
Производитель: YOUTAI
Цена от 750 шт.: 14.42 руб. Цена от 150 шт.: 15.40 руб. Цена от 60 шт.: 15.67 руб. Цена от 50 шт.: 16.30 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 8-12 раб.дней
Ставрополь: 10-15 раб.дней
Кратность заказа: 5 шт
Доступно: < 60 шт
TIP41C TO-220 TIP41C TO-220
Производитель: ZH
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 800 шт.: 15.01 руб. Цена от 150 шт.: 15.53 руб. Цена от 50 шт.: 16.71 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-8 раб.дней
Ставрополь: 7-11 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 300 шт
FQT7N10LTF FQT7N10LTF
FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223 Транзисторы полевые ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 150 Емкость, пФ 650 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.21 Транспортная упаковка: размер/кол-во 44*44*25/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 2500 шт. <<
Производитель: Elecsuper
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 850 шт.: 15.39 руб. Цена от 200 шт.: 15.93 руб. Цена от 50 шт.: 18.16 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 1000 шт
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF
IRFZ44NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,55В, 49А, 94Вт, корпус TO-220-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 49 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 17,5 Заряд затвора, нКл 63 Описание 55V, 49A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 94 Вт Вес брутто 2.91 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*34*24/7000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 800 шт.: 15.79 руб. Цена от 200 шт.: 16.35 руб. Цена от 50 шт.: 18.63 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 3-4 нед.
Ставрополь: 3-4 нед.
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: > 10000 шт
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
BSS169H6327XTSA1, силовой МОП-транзистор Infineon Technologies, N-канал, 100 В, 90 мА, 6 Ом, корпус ...
SOT-23-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.05 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 800 шт.: 15.53 руб. Цена от 200 шт.: 16.07 руб. Цена от 100 шт.: 16.94 руб. Цена от 50 шт.: 18.63 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 6000 шт
IRFZ44N TO-220 MOSFET IRFZ44N TO-220 MOSFET
IRFZ44NPBF
Производитель: RUME
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 700 шт.: 16.90 руб. Цена от 100 шт.: 18.07 руб. Цена от 50 шт.: 18.80 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-8 раб.дней
Ставрополь: 7-11 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 9000 шт
IRF7205 IRF7205
IRF7205PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -5,8 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 55 Емкость, пФ 520 Заряд затвора, нКл 11 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.57 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*21/3000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упакока REEL, 3000 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 800 шт.: 16.21 руб. Цена от 200 шт.: 16.77 руб. Цена от 50 шт.: 19.12 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 3000 шт
IRF7828 IRF7828
IRF7828 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 15 А, 11 мОм, 20.8 нКл, SOP-8 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 15 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 11 Емкость, пФ 2470 Заряд затвора, нКл 20,8 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.28 Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*39/4000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 800 шт.: 16.28 руб. Цена от 200 шт.: 16.85 руб. Цена от 50 шт.: 19.22 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 4000 шт
MJD42C MJD42C
MJD42CRLG JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -100 В, -6 А, TO-252 (DPAK) Транзисторы биполярные Способ ...
монтажа Поверхностный Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -1,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 20 Коэффициент усиления hFE мин. 30 Коэффициент усиления hFE макс. 75 Граничная частота ft, МГц 3 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/2500 Вес брутто 0.48 Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. Описание Транзистор биполярный PNP, -100 В, -6 А, hFE 3075, TO-252 (DPAK) <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 800 шт.: 16.41 руб. Цена от 200 шт.: 16.98 руб. Цена от 50 шт.: 19.36 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 3000 шт
AO4409 AO4409
AO4409 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -14 А, 11 мОм, 37 нКл, SOP-8 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -14 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 11 Емкость, пФ 3887 Заряд затвора, нКл 37 Описание MOSFET, P, -30 В, -14 А, 11 мОм, SOP-8 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.21 Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*37/3000 Способ мнтажа поверхностный (SMT) Корпус SOP-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<
Производитель: JSMSEMI
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 750 шт.: 16.78 руб. Цена от 200 шт.: 17.36 руб. Цена от 50 шт.: 19.79 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF9335 IRF9335
IRF9335 HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8 Транзисторы полевые ...
Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -5,8 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 55 Емкость, пФ 520 Заряд затвора, нКл 11 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.25 Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*23/6000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 3000 шт. <<
Производитель: HXY
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 750 шт.: 17.06 руб. Цена от 200 шт.: 17.65 руб. Цена от 50 шт.: 20.12 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 6000 шт
IRF640NPBF (TO-220) IRF640NPBF (TO-220)
IRF640NPBF, транзистор полевой N-канальный кремниевый 200В 18А 130Вт Infineon Technologies Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 18 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 150 Заряд затвора, нКл 67 Описание 200V, 18A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мщность рассеиваемая (Pd) - 130 Вт Вес брутто 3.03 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 750 шт.: 17.56 руб. Цена от 200 шт.: 18.17 руб. Цена от 50 шт.: 20.72 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 4000 шт
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NTRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 55В, 11А, 38Вт, корпус DPAK(TO-252) ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -11 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 175 Заряд затвора, нКл 19 Описание 55V, 11A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 2 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 38 Вт Вес брутто 0.64 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/10000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 750 шт.: 17.57 руб. Цена от 200 шт.: 18.19 руб. Цена от 50 шт.: 20.74 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 9000 шт
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF
IRLR024NTRPBF, транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 55В, 17А, 45Вт, корпус TO-252-3 ...
(DPak) Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 17 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 65 Описание 55V, 17A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения - 7.1/ 20 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 45 Вт Вес брутто 0.62 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 750 шт.: 17.57 руб. Цена от 200 шт.: 18.19 руб. Цена от 50 шт.: 20.74 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 50 шт
Доступно: < 3000 шт
Показывать по