Транзисторы

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.27 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 1000 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 120 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 120 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 7,5 Емкость, пФ 3614 Заряд затвора, нКл 60,8 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.00 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*21*19/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 <<

разные Тип Полевой N-канальный транзистор Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 20 / -20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 5.1 Емкость, пФ 1647 Описание MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 5 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) -2,5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 14 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 430 Емкость, пФ 2600 Заряд затвора, нКл 150 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 7.86 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247AC Упаковка 25 <<

биполярные Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 100 Максимальный постоянный ток коллектора, А 25 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125 Коэффициент усиления hFE мин. 10 Вес брутто 6.93 Корпус TO-247 Упаковка TUBE, 30 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<

0Вт, корпус SOIC-8 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости 2P Максимальное напряжение сток-исток, В -20 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -9 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 18 Заряд затвора, нКл 42 Описание 20V, 9A 2P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 12 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2 Вт Вес брутто 0.34 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

Транзистор биполярный PNP, -130 В, -12 А, hFE 80160, TO-3P Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -130 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -160 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -6 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В 2,5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -12 Коэффициент усиления hFE мин. 80 Коэффициент усиления hFE макс. 160 Граничная частота ft, МГц 15 Вес брутто 07.05.2025 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3P Упаковка 30 <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 100 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 6 Емкость, пФ 2699 Заряд затвора, нКл 115 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 3.16 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/450 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247AC Упаковка TUBE, 30 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 55 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 100 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5 Емкость, пФ 2699 Заряд затвора, нКл 115 Диапазон рабочих температур -55+175 С Вес брутто 6.26 Транспортная упаковка: размер/кол-во 59*32*18/900 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247AC Упаковка TUBE, 30 шт. <<

Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 20 Минимальное сопротивлениеоткрытого канала, мОм 270 Емкость, пФ 4200 Заряд затвора, нКл 210 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 5.99 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247AC Упаковка TUBE, 30 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Емкость, пФ 2820 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В Диапазон рабочих температур -55+150С Мощность рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости P Максимальное напряжение сток-исток, В -40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -10,5 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 15 Заряд затвора, нКл 73 Описание 40V, 10.5A P-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs)0 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 2.5 Вт Вес брутто 0.13 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOIC-8 Упаковка REEL, 4000 шт. <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 180 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 2,7 Емкость, пФ 4340 Заряд затвора, нКл 150 Описание 40V, 180A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвористок (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Вес брутто 2.88 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 100 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 62 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,7 Емкость, пФ 1077 Заряд затвора, нКл 13 Описание MOSFET MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 65 Вт Вес брутто 2.97 Транспортная упаковка: размер/кол-во 61*51*51/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

серия OPTIMOS, корпус TO-252-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2 Емкость, пФ 2500 Заряд затвора, нКл 26 Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Время задержки включения/ выключения24/ 14 нс Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 94 Вт Вес брутто 0.55 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

биполярный NPN, 100 В, 25 А, hFE 1080, TO-3P Тип проводимости NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В 100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В 5 Максимальный постоянный ток коллектора, А 25 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125 Коэффициент усиления hFE мин. 10 Коэффициент усиления hFE макс. 80 Граничная частота ft, МГц 3 Вес брутто 01.06.1970 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3P Упаковка 30 <<

биполярный PNP, -100 В, -25 А, hFE 1580, TO-3P Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Максимальный постоянный ток коллектора, А -25 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125 Коэффициент усиления hFE мин. 15 Коэффициент усиления hFE макс. 80 Граничная частота ft, МГц 3 Вес брутто 01.06.1960 Способ монтажа Сквозной Корпус TO-3P Упаковка 30 <<

разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 75 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 140 Минимальноесопротивление открытого канала, мОм 7 Заряд затвора, нКл 150 Описание 75V, 140A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мщность рассеиваемая (Pd) - 330 Вт Вес брутто 3.04 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<

Транзисторы разные Вес брутто 3.00 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*45/1000 <<