Транзисторы

Всего найдено: 7364 наименования
Показывать по
STF14NM50N STF14NM50N
STF14NM50N, Транзистор ST Microelectronics полевой N-канальный, 500В, 14А, корпус TO-220- 3FP Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Вес брутто 2.44 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*54/500 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220F <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 120 шт.: 110.06 руб. Цена от 30 шт.: 113.89 руб. Цена от 10 шт.: 129.85 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 300 шт
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF
IRFS4227TRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 62A, корпус D2Pak (TO-263-3) ...
Транзисторы разные Вес брутто 2.29 Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*40*52/800 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 120 шт.: 110.80 руб. Цена от 30 шт.: 114.66 руб. Цена от 10 шт.: 130.73 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 800 шт
STW26NM60N (TO247) STW26NM60N (TO247)
STW26NM60N, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 600В, 20А, 140Вт, корпус TO-247-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Вес брутто 6.92 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/900 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247-3 Упаковка TUBE, 30 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 120 шт.: 113.94 руб. Цена от 30 шт.: 117.90 руб. Цена от 10 шт.: 134.43 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF
IRF1310NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный, 100В, 42A, корпус TO-263-3(D2PAK) Транзисторы полевые ...
Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 42 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 36 Емкость, пФ 1900 Заряд затвора, нКл 110 Описание N-Channel MOSFET 100 V 42A (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount D2PAK Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 160 Вт Вес брутто 2.28 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/800 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-263-3(D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 110 шт.: 123.54 руб. Цена от 30 шт.: 127.85 руб. Цена от 10 шт.: 134.79 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 900 шт
IRFB260NPBF IRFB260NPBF
IRFB260NPBF Транзисторы полевые Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, ...
В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 56 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40 Емкость, пФ 4220 Заряд затвора, нКл 220 Описание N-Channel 200 V 56A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 380 Вт Вес брутто 2.99 Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220-3 Упаковка TUBE, 50 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 110 шт.: 124.24 руб. Цена от 30 шт.: 128.57 руб. Цена от 10 шт.: 135.54 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 1000 шт
IRF740ASPBF IRF740ASPBF
IRF740ASPBF, Транзистор полевой VISHAY, N-канальный, 400В, 10А, 125Вт, корпус TO-263-3 Транзисторы ...
разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 400 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550 Емкость, пФ 1030 Заряд затвора, нКл 36 Описание MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Ток утечки непрерывный (Id) - 10 А Максимальо допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 30 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 125 Вт Вес брутто 2.48 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 110 шт.: 124.97 руб. Цена от 30 шт.: 129.32 руб. Цена от 10 шт.: 136.34 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 800 шт
IRF2804PBF (TO220) IRF2804PBF (TO220)
IRF2804PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 160А, 330Вт, 1.6 мОм, корпус ...
TO-220-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 40 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 280 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2,3 Заряд затвора, нКл 240 Описание MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-иток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Вес брутто 2.71 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 110 шт.: 128.68 руб. Цена от 30 шт.: 133.16 руб. Цена от 10 шт.: 140.39 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 300 шт
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3
SIHG20N50C-E3, Транзистор полевой N-канальный Vishay Siliconix, 500В, 20A, 250Вт, корпус TO-247-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 6.70 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/500 <<
Производитель: VISHAY
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 110 шт.: 129.20 руб. Цена от 30 шт.: 133.70 руб. Цена от 10 шт.: 140.96 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 500 шт
STW9NK90Z STW9NK90Z
STW9NK90Z, Транзистор ST Microelectronics полевой N-канальный, 900В, 8А, 160Вт, корпус TO- 247-3 ...
Транзисторы разные Вес брутто 7.02 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/600 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 100 шт.: 129.97 руб. Цена от 30 шт.: 134.48 руб. Цена от 10 шт.: 141.79 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 300 шт
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
BSP135H6327XTSA1, силовой МОП-транзистор Infineon Technologies, N-канал, 120 мА, 600 В, 25 Ом, 10 ...
В, -1.4 В, корпус SOT-223-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Описание MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Вес брутто 0.27 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-223 Упаковка REEL, 1000 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 100 шт.: 135.56 руб. Цена от 30 шт.: 140.28 руб. Цена от 10 шт.: 147.89 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 2000 шт
IRFB4332PBF IRFB4332PBF
IRFB4332PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 250В, 60А, 390Вт, корпус ТО-220-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 250 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 60 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 29 Емкость, пФ 5860 Заряд затвора, нКл 150 Описание 250V, 60A N-Channel MOSFET Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 30 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 390 Вт Вес брутто 2.98 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*31*26/1000 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-220 Упаковка TUBE, 50 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 100 шт.: 136.13 руб. Цена от 30 шт.: 140.85 руб. Цена от 10 шт.: 148.51 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 800 шт
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1
IKW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 40А, 230Вт, корпус TO-247-3 IGBT транзисторы ...
Вес брутто 8.38 Транспортная упаковка: размер/кол-во 57*31*27/600 Мощность 230 Вт Тип IGBT Диапазон рабочих температур -40+175 С Описание IGBT Trench 650 V 79 A 230 W Through Hole PG-TO247-3 Корпус TO-247 Способ монтажа Through Hole Упаковка TUBE, 30 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 100 шт.: 140.07 руб. Цена от 30 шт.: 144.93 руб. Цена от 10 шт.: 152.81 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 400 шт
STW4N150 STW4N150
STW4N150, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 1500В, 4А, 160Вт, корпус TO- 247-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 1500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 70 Емкость, пФ 1300 Заряд затвора, нКл 50 Описание N-Channel 1500 V 4A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3 Диапазон рабочих температур -55+150 С Мощность рассеиваемая (Pd) - 160 Вт Вес брутто 6.97 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/600 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247-3 Упаковка TUBE, 30 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1 <<
Производитель: ST Microelectronics
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 90 шт.: 145.25 руб. Цена от 30 шт.: 150.30 руб. Цена от 10 шт.: 158.46 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 60 шт
IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRLP
IRFS38N20DTRLP, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 200В, 38A, корпус TO-263-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 43 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 54 Емкость, пФ 2900 Заряд затвора, нКл 91 Описание MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 5 В Диапазон рабочих температур -55+175 С Максимально допустимое напряжеие затвор-исток (Vgs) 20 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 320 Вт Вес брутто 2.30 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус TO-263 (D2PAK) Упаковка REEL, 800 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 80 шт.: 168.41 руб. Цена от 20 шт.: 174.27 руб. Цена от 10 шт.: 183.74 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 800 шт
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF
IRFP90N20DPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 200В, 94А, 580Вт, корпус TO-247-3 ...
Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 200 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 94Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 23 Емкость, пФ 6040 Заряд затвора, нКл 270 Описание N-Channel 200 V 94A (Tc) 580W (Tc) Through Hole TO-247AC Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 5 В Диапазон рабочих температур -55+175 Саксимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 30 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 580 Вт Вес брутто 7.75 Способ монтажа Through Hole Корпус TO-247 Упаковка TUBE, 25 шт. <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 80 шт.: 180.93 руб. Цена от 20 шт.: 187.22 руб. Цена от 10 шт.: 197.38 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 300 шт
КП103Е КП103Е
Производитель: RUS
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 50 шт.: 236.57 руб. Цена от 20 шт.: 242.70 руб. Цена от 10 шт.: 250.85 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 100 шт
MAX3245EETX+T MAX3245EETX+T
Производитель: Maxim
Цена от 20 шт.: 617.09 руб. Цена от 10 шт.: 649.57 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 900 шт
FF300R12KS4HOSA1 FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module ...
62 mm Транзисторы разные Вес брутто 367.00 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*48*60/10 <<
Производитель: Infineon Technologies
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 10 шт.: 13732.16 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-7 нед.
Ставрополь: 6-7 нед.
Кратность заказа: 10 шт
Доступно: < 20 шт
SVT078R0ND (TO-252) YOUTAI SVT078R0ND (TO-252) YOUTAI
Транзистор N-канальный MOSFET 68В 88A 167 Вт
Производитель: YOUTAI
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 940 шт.: 19.50 руб. Цена от 95 шт.: 20.61 руб. Цена от 20 шт.: 20.97 руб. Цена от 11 шт.: 24.12 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 2000 шт
BF620,115 (SOT-89-3) NEX-NXP BF620,115 (SOT-89-3) NEX-NXP
BF620,115, Биполярный транзистор (SOT-89-3).
Производитель: NEX-NXP
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 100 шт.: 23.36 руб. Цена от 40 шт.: 23.75 руб. Цена от 11 шт.: 24.15 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 500 шт
Показывать по
//
RUB