Транзисторы

биполярные Описание Транзистор биполярный PNP, -100 В, -3 А, hFE 1000, TO-252 (DPAK) Тип Составной транзистор (Дарлингтона) Тип проводимости PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100 Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5 Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -4 Максимальный постоянный ток коллектора, А -3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 20 Коэффициент усиления hFE мин. 1000 Транспортная упаковка: размер/кол-во 37*26*40/10000 Вес брутто 0.52 Способ монтажа Поверхностный Корпус TO-252 (DPAK) Упаковка REEL, 2500 шт. <<

сток-исток Uси,В 60, Структура N-канал,
IR <<

корпус SOT-23-3 Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1,6 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 220 Емкость, пФ 290 Заряд затвора, нКл 2,5 Описание MOSFET MOSFT 100V 1.6A 220mOhm 2.5nC Qg Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 1 В Диапазон рабочих температур -55+150 С Максмально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 16 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,3 Вт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 62*50*52/12000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<

Транзисторы разные Тип MOSFET Тип проводимости N Максимальное напряжение сток-исток, В 30 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 3,4Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 63 Емкость, пФ 270 Заряд затвора, нКл 2,9 Описание MOSFET MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 800 мВ Диапазон рабочих температур -55+150 С Максимално допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) 12 В Мощность рассеиваемая (Pd) - 1,3 Вт Вес брутто 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*50/18000 Способ монтажа поверхностный (SMT) Корпус SOT-23 Упаковка REEL, 3000 шт. <<