Транзисторы

Всего найдено: 7756 наименований
Сортировать по: Названию Цене  Норме отпуска
развернуть описания
←Ctrl 1 ... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 ... 388 Ctrl →
Показывать по
3П604Б-2 3П604Б-2
Транзисторы разные Ток утечки 20 мкА Мощность рассеиваемая макс.: 0,9 Вт Напряжение сток-исток: 8 В
  • Документация:  
Цена от 5 шт.: 2660.36 руб. Цена от 1 шт.: 2752.90 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 2 шт
MG100HF12TFC1 YJ MG100HF12TFC1 YJ
Производитель: YJ
 Цена от 40 шт.: 2479.05 руб. Цена от 8 шт.: 2656.97 руб. Цена от 2 шт.: 2751.87 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 100 шт
UF3C065040T3S ONSEMI UF3C065040T3S ONSEMI
SiC транзистор
Производитель: ON Semiconductor
 Цена от 8 шт.: 2651.25 руб. Цена от 1 шт.: 2745.95 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 6 шт
BG150B12UY4-I BYD BG150B12UY4-I BYD
Производитель: BYD
 Цена от 20 шт.: 2587.49 руб. Цена от 5 шт.: 2681.58 руб. Цена от 2 шт.: 2728.64 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 30 шт
MG100HF065TLC1 YJ MG100HF065TLC1 YJ
Модуль полумостовой IGBT 650В 150А
Производитель: Yangzhou Yangjie
 Цена от 6 шт.: 2382.80 руб. Цена от 3 шт.: 2509.11 руб. Цена от 2 шт.: 2573.28 руб. Цена от 1 шт.: 2639.95 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
MGC75D12A1-251H3 TechSem MGC75D12A1-251H3 TechSem
Полумомтовой модуль IGBT 150А 1200В
Производитель: TechSem
 Цена от 5 шт.: 2444.89 руб. Цена от 3 шт.: 2581.83 руб. Цена от 2 шт.: 2607.92 руб. Цена от 1 шт.: 2629.86 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 1 шт
SPW55N80C3FKAS1 (TO247-3) INFINEON SPW55N80C3FKAS1 (TO247-3) INFINEON
SPW55N80C3FKAS1, транзистор N канал 800В 55A 85мОм, TO247-3
Производитель: INFINEON
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 20 шт.: 2439.43 руб. Цена от 5 шт.: 2549.33 руб. Цена от 1 шт.: 2615.26 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 90 шт
IPW65R019C7FKSA1 INF IPW65R019C7FKSA1 INF
Полевой транзистор
Производитель: INF
 Цена от 5 шт.: 2269.72 руб. Цена от 3 шт.: 2467.21 руб. Цена от 2 шт.: 2503.54 руб. Цена от 1 шт.: 2531.68 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 70 шт
2Т9118А 2Т9118А
Производитель: Россия
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 21 шт.: 2258.74 руб. Цена от 8 шт.: 2299.44 руб. Цена от 2 шт.: 2421.53 руб. Цена от 1 шт.: 2524.04 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 20 шт
GD100CUY120C1S STARPWR GD100CUY120C1S STARPWR
IGBT силовой транзисторный модуль (одиночный) 1200 В, 100 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ...
устойчивость к короткому замыканию. <<
Производитель: STARPWR
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 24 шт.: 2386.07 руб. Цена от 6 шт.: 2472.83 руб. Цена от 2 шт.: 2516.22 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 80 шт
SCT30N120 (HiP247[тм]) STM SCT30N120 (HiP247[тм]) STM
Полевой транзистор N-канальный 1200В 45A HIP247
Производитель: STM
 Цена от 20 шт.: 2095.63 руб. Цена от 6 шт.: 2255.63 руб. Цена от 3 шт.: 2392.80 руб. Цена от 1 шт.: 2492.06 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 50 шт
P3M12025K4 (TO247) PN JUNCTION P3M12025K4 (TO247) PN JUNCTION
SiC MOSFET Полярность: N-Channel, V(br)dss: 1200 В, Rds(on): 25 мОм, Qrr: 172 нКл, I d: 80 А, Корпус: TO-247-3.
Производитель: PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 9 шт.: 2349.36 руб. Цена от 1 шт.: 2433.27 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 1 шт
P3M12025K3 (TO247) PN JUNCTION P3M12025K3 (TO247) PN JUNCTION
SiC MOSFET Полярность: N-Channel, V(br)dss: 1200 В, Rds(on): 25 мОм, Qrr: 172 нКл, I d: 80 А, Корпус: TO-247-3.
Производитель: PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 9 шт.: 2349.36 руб. Цена от 1 шт.: 2433.27 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 2 шт
GD150HFX65C1S STARPWR GD150HFX65C1S STARPWR
IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 650 В, 150 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ...
устойчивость к короткому замыканию. <<
Производитель: STARPWR
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 24 шт.: 2289.11 руб. Цена от 5 шт.: 2372.35 руб. Цена от 2 шт.: 2413.96 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 200 шт
PS11032, IGBT модуль 0.2кВт 220В 1/3 фаз PS11032, IGBT модуль 0.2кВт 220В 1/3 фаз
Драйвер управления встроенный, Защита от короткого замыкания есть, Защита от перегрева есть, Защита ...
от пониженного напряжения питания есть, Защита по току есть, Макс.напр.к-э,В 220, Максимальная частота модуляции,кГц 20, Мощность привода, кВт 0.2, Напряжение изоляции, В 2500, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.9, Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост, Температурный диапазон,С -20...125, Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM, <<
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 2284.38 руб. Цена от 1 шт.: 2405.68 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 2 шт
IXFH16N80P (TO-247AD (IXFH)) IXYS IXFH16N80P (TO-247AD (IXFH)) IXYS
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 16 А
Производитель: IXYS
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 2081.50 руб. Цена от 3 шт.: 2215.47 руб. Цена от 2 шт.: 2241.16 руб. Цена от 1 шт.: 2262.19 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
2П322А 2П322А
Транзисторы разные Вес не более 0,7 г Ток стока начальный: не более 42 мА Ток утечки не более 10 ...
нА Мощность рассеиваемая: 200 мВт Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В Коэффициент шума: не более 6 дБ Корпус 301.6-1 Напряжение отсечки: 2,5-12 В Емкость проходная: не более 0,2 пФ <<
  • Документация:  
Цена от 2 шт.: 2217.26 руб. Цена от 1 шт.: 2261.61 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
MG50HF12TFC1 YJ MG50HF12TFC1 YJ
Производитель: YJ
 Цена от 60 шт.: 1572.95 руб. Цена от 10 шт.: 1792.79 руб. Цена от 3 шт.: 1979.65 руб. Цена от 1 шт.: 2256.80 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 20 шт
IHW30N160R2FKSA1 (TO247) INF1 IHW30N160R2FKSA1 (TO247) INF1
IGBT
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 1908.93 руб. Цена от 3 шт.: 2065.13 руб. Цена от 2 шт.: 2147.64 руб. Цена от 1 шт.: 2248.89 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 80 шт
2Т993А 2Т993А
Транзисторы разные Конфигурация n-p-n Мощность рассеиваемая: 50 Вт Максимальное напряжение эмиттер-база ...
при токе коллектора, равном нулю: 4 В Коэффициент передачи тока статический: 1070 Максимальный ток коллектора импульсный: 10 А <<
  • Документация:  
Цена от 2 шт.: 2202.32 руб. Цена от 1 шт.: 2246.37 руб.
+-  
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 2 шт
←Ctrl 1 ... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 ... 388 Ctrl →
Показывать по