Транзисторы

Всего найдено: 7757 наименований
Показывать по
DFI200HF17DF1 LEAPERS DFI200HF17DF1 LEAPERS
Производитель: LEAPERS
Цена от 5 шт.: 3987.84 руб. Цена от 1 шт.: 4130.26 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 50 шт
GD150HFY120C1S, IGBT модуль STARPOWER GD150HFY120C1S, IGBT модуль STARPOWER
IGBT модуль, Half Bridge, 1200V, 150A, C1.0, альтернатива для SKM145GB128D-CASED61
Производитель: STARPOWER
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 16 шт.: 3952.32 руб. Цена от 4 шт.: 4130.34 руб. Цена от 1 шт.: 4237.16 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 200 шт
FP25R12W2T4BOMA1 (EASY2B-1) INF FP25R12W2T4BOMA1 (EASY2B-1) INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт
Производитель: INF
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 3627.12 руб. Цена от 3 шт.: 3812.77 руб. Цена от 2 шт.: 4058.52 руб. Цена от 1 шт.: 4239.20 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 20 шт
IXFN110N60P3 IXYS IXFN110N60P3 IXYS
MOSFET транзистор
Производитель: IXYS
Цена от 1100 шт.: 3443.80 руб. Цена от 110 шт.: 3593.54 руб. Цена от 2 шт.: 4263.24 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: < 2000 шт
UF4SC120030K4S ONSEMI UF4SC120030K4S ONSEMI
SiC транзистор
Производитель: ON Semiconductor
Цена от 7 шт.: 4165.46 руб. Цена от 3 шт.: 4239.84 руб. Цена от 1 шт.: 4314.24 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 6 шт
DFI450HF12I4ME1 Leapers Semiconductor DFI450HF12I4ME1 Leapers Semiconductor
IGBT Модуль Half Bridge 1200В 450А
Производитель: Leapers Semiconductor
Цена от 6 шт.: 3726.82 руб. Цена от 3 шт.: 3924.01 руб. Цена от 2 шт.: 4153.38 руб. Цена от 1 шт.: 4314.42 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 4000 шт
2Т9104Б (200*г) 2Т9104Б (200*г)
СВЧ транзисторы Конфигурация n-p-n Максимальный ток коллектора постоянный: 5 А Мощность выходная: ...
>,20 Вт Частота коэффициента передачи тока граничная: >,0,6 ГГц Максимальное напряжение питания: 29 В Ток эмиттера обратный: <,10 мА Коэффициент усиления мощности: >,7 дБ Корпус КТ-42 <<
Цена от 4 шт.: 4190.85 руб. Цена от 1 шт.: 4336.63 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 2 шт
MG75P12E2A YJ MG75P12E2A YJ
Производитель: YJ
Цена от 5 шт.: 4331.70 руб. Цена от 1 шт.: 4486.42 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 30 шт
MG100HF12LEC1 YJ MG100HF12LEC1 YJ
Модуль IGBT 1200В 100А
Производитель: YangJie
Цена от 5 шт.: 3974.74 руб. Цена от 3 шт.: 4183.96 руб. Цена от 2 шт.: 4427.86 руб. Цена от 1 шт.: 4598.77 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 50 шт
GD25FFK120C5SP Starpower GD25FFK120C5SP Starpower
Модуль IGBT 1200В 25А
Производитель: Starpower
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 3839.54 руб. Цена от 3 шт.: 4141.79 руб. Цена от 2 шт.: 4407.70 руб. Цена от 1 шт.: 4602.60 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 2 шт
SKM100GB12T4G (SEMITRANSR 3) SEMIKRON SKM100GB12T4G (SEMITRANSR 3) SEMIKRON
Биполярный транзистор IGBT
Производитель: SEMIKRON
Цена от 5 шт.: 3865.96 руб. Цена от 3 шт.: 4169.58 руб. Цена от 2 шт.: 4436.74 руб. Цена от 1 шт.: 4632.32 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 7 шт
MG300HF12TLE3 YJ MG300HF12TLE3 YJ
Модуль IGBT 1200В 300А
Производитель: YangJie
Цена от 5 шт.: 4001.60 руб. Цена от 3 шт.: 4315.06 руб. Цена от 2 шт.: 4590.87 руб. Цена от 1 шт.: 4792.47 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: 3 шт
GD200HFY120C2S Starpower GD200HFY120C2S Starpower
IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 1200 В, 200 А, сверхнизкие потери проводимости, а также ...
устойчивость к короткому замыканию. <<
Производитель: STARPWR
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 4633.52 руб. Цена от 2 шт.: 4716.27 руб. Цена от 1 шт.: 4799.01 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 200 шт
GD200HFU120C2S Starpower GD200HFU120C2S Starpower
IGBT силовой транзисторный модуль (сдвоенный) 1200 В, 200 А, сверхбыстрая скорость переключения, ...
а также устойчивость к короткому замыканию. <<
Производитель: STARPWR
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 5 шт.: 4642.26 руб. Цена от 2 шт.: 4725.16 руб. Цена от 1 шт.: 4808.04 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-7 раб.дней
Ставрополь: 6-10 раб.дней
Доступно: < 200 шт
GD75FFY120C5S, IGBT модуль STARPOWER GD75FFY120C5S, IGBT модуль STARPOWER
IGBT модуль, 3 Phase Bridge with NTC, 1200V, 75A, C5.2
Производитель: STARPOWER
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 16 шт.: 4482.83 руб. Цена от 4 шт.: 4563.59 руб. Цена от 1 шт.: 4819.25 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 20 шт
RA60H1317M1A-501, вч тразистор RA60H1317M1A-501, вч тразистор
RA60H1317M1A-501, вч тразистор, замена RA60H1317M1A-101
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 20 шт.: 4364.31 руб. Цена от 5 шт.: 4442.96 руб. Цена от 1 шт.: 4819.25 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: < 40 шт
CM75DY-34T#300G IGBT модуль CM75DY-34T MIT CM75DY-34T#300G IGBT модуль CM75DY-34T MIT
Производитель: Mitsubishi Electric
Цена от 7 шт.: 4653.38 руб. Цена от 3 шт.: 4736.47 руб. Цена от 1 шт.: 4819.57 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней
Ставрополь: 7-12 раб.дней
Доступно: 1 шт
GD75HHU120C5SD, IGBT модуль STARPOWER GD75HHU120C5SD, IGBT модуль STARPOWER
IGBT модуль, H Bridge, 1200V, 75A, С5.4
Производитель: STARPOWER
  • Документация:  
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 16 шт.: 4523.58 руб. Цена от 4 шт.: 4605.08 руб. Цена от 1 шт.: 4917.60 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 9 шт
GD100HFU120C1S Starpower GD100HFU120C1S Starpower
IGBTмодуль 1200V, 100A 2 in one-package
Производитель: Starpower
Цена от 5 шт.: 4168.89 руб. Цена от 3 шт.: 4494.49 руб. Цена от 2 шт.: 4660.58 руб. Цена от 1 шт.: 4990.31 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней
Ставрополь: 8-12 раб.дней
Доступно: < 40 шт
CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В
DIP-CIB модули - это стандартные модули, не имеющие встроенной схемы управления затвором и цепей ...
защиты.Это уже готовый силовой каскад инверторов мощностью до 5,5 кВт. Он включает трехфазный входной выпрямитель,тормозной прерыватель и трехфазный инверторс NTC термистором для термоконтроля.Такие модули выпускаются на напряжение 600 и 1200 В и являются универсальным решениемдля построения приводов на 220 и 460 В. Предлагая разработчикам возможность индивидуального решения производственной задачи,модули также сохраняют ультраплоский профиль корпуса - всего 5.7 мм.Среди других преимуществ DIP-CIB модулей следует назвать следующие: литой прессованный корпус,отличные характеристики рассеяния тепла, CSTBT технология изготовления кристалла(гарантирующая сверхнизкие потери на переключение), встроенные NTC термистор для непрерывного контроля температуры,бессвинцовое исполнение.DIP-CIB модули построены на стандартной для маломощных приводов схеме конвертер - инвертор - чоппер.Топология открытого эмиттера также явля <<
Производитель: Mitsubishi
Внешний вид товара может отличаться
Цена от 8 шт.: 4667.11 руб. Цена от 2 шт.: 4877.34 руб. Цена от 1 шт.: 5003.48 руб.
Срок доставки в офис:
Ростов-н/Д: 4-8 раб.дней
Ставрополь: 6-11 раб.дней
Доступно: 4 шт
Показывать по